Laden von Batterien mit asymmetrischem Strom. Schema, Beschreibung

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Laden von Batterien mit asymmetrischem Strom. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik

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Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Automobil. Batterien, Ladegeräte

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Deutlich bessere Batterieleistungen lassen sich erzielen, wenn sie mit einem asymmetrischen Volumen geladen werden. Ein Diagramm eines Ladegeräts, das dieses Prinzip implementiert, ist in der Abbildung dargestellt.

Laden von Batterien mit asymmetrischem Strom

Bei einer positiven Halbwelle der Eingangswechselspannung fließt der Strom durch die Elemente VD1, R1 und wird durch die Diode VD2 stabilisiert. Ein Teil der stabilisierten Spannung über einen variablen Widerstand R3 wird der Basis des Transistors VT2 zugeführt. Die Transistoren VT2 und VT4 des unteren Arms des Geräts arbeiten als Stromgenerator, dessen Wert vom Widerstandswert des Widerstands R4 und der auf VT2 basierenden Spannung abhängt. Der Ladestrom im Batteriekreis fließt durch die Elemente VD3, SA1.1, PA1, SA1.2, die Batterie, den Kollektorabfall des Transistors VT4, R4.

Bei einer negativen Halbwelle der Wechselspannung an der VD1-Diode ist die Funktionsweise des Geräts ähnlich, aber der Oberarm funktioniert – VD1 stabilisiert die negative Spannung, die den durch die Batterie fließenden Strom in Sperrspannung (Entladestrom) reguliert.

Das im Diagramm gezeigte RA1-Milliamperemeter wird während der Ersteinrichtung verwendet, in Zukunft kann es durch Bewegen des Schalters in eine andere Position ausgeschaltet werden.

Dieses Ladegerät bietet folgende Vorteile: 1. Lade- und Entladestrom können unabhängig voneinander eingestellt werden. Daher ist es in diesem Gerät möglich, Akkus mit unterschiedlicher Energieintensität zu verwenden. 2. Im Falle eines Wechselspannungsausfalls schließen sich alle Arme und es fließt kein Strom durch die Batterie, was die Batterie vor Selbstentladung schützt.

In diesem Gerät können aus Haushaltselementen VD1 und VD2 – KC133A, VT1 und VT2 – KT315B oder KT503B verwendet werden. Die restlichen Elemente werden abhängig vom Ladestrom ausgewählt. Wenn er 100 mA nicht überschreitet, sollten KG3 oder KT4 mit beliebigen Buchstabenindizes als Transistoren VT815 und VT807 verwendet werden (platziert auf einem Kühlkörper mit einer wärmeableitenden Oberfläche von 5 ... 15 cm²). ) und als Dioden VD3 und VD4 - D226 , KD105 auch mit beliebigen Buchstabenindizes.

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