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ENZYKLOPÄDIE DER FUNKELEKTRONIK UND ELEKTROTECHNIK Gerät zum Testen von Hochspannungstransistoren. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik
Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Messtechnik Die Überprüfung von Halbleiterbauelementen, insbesondere solchen, die auf dem Radiomarkt gekauft wurden, ist nicht nur wünschenswert, sondern auch notwendig, da Sie ein Teil mit einem Herstellungsfehler oder einer Fälschung kaufen können. Das vom Autor vorgeschlagene Gerät wird in Form eines Anschlusses an ein digitales oder analoges Gerät hergestellt und ermöglicht eine schnelle Bestimmung der maximal zulässigen Sperrspannung an einem Halbleiterübergang. Es ist bekannt, dass die Prüfung von Halbleiterbauelementen mit einem analogen oder digitalen Multimeter aufgrund der niedrigen Spannung, bei der die Prüfung durchgeführt wird, ihre Funktionsfähigkeit nicht vollständig gewährleistet. Es ist klar, dass Sonden zum Testen von Niederspannungstransistoren (z. B. KT315B, KT815A) nicht zum Testen leistungsstarker Hochspannungsgeräte geeignet sind. Es ist zu bedenken, dass es sich möglicherweise nicht nur um eine minderwertige Kopie, sondern um eine Fälschung (der sogenannte „Bruch“) handelt, wenn der zu testende Transistor einen deutlich höheren Kollektorstrom in Sperrrichtung aufweist als im Nachschlagewerk angegeben. ), wenn sie unter dem Deckmantel eines Transistors im selben Gehäuse etwas anderes verkaufen. Das vorgeschlagene Gerät dient zur Messung des Sperrstroms von Bipolartransistoren beliebiger Struktur bei einer Spannung von 50...600 V. Es kann auch den Sperrstrom von Gleichrichterdioden, Thyristoren und Triacs prüfen und die Betriebsspannung der Gasentladung bestimmen Lampen, Hochspannungs-Zenerdioden, Varistoren. Das schematische Diagramm des Geräts ist in der Abbildung dargestellt.
Eine Wechselspannung von 220 V wird über den Leistungsschalter SB1 und die Widerstände R1, R2 über die Dioden VD1, VD2 mit Spannungsverdoppelung einem Einweggleichrichter zugeführt. Befindet sich der Schieber des Widerstands R2 laut Diagramm in der oberen Position, so wird jeder der Kondensatoren C1, C2 auf eine Spannung aufgeladen, die nahe dem Amplitudenwert der Netzspannung liegt, also etwas mehr als 300 V. Gleichzeitig An den linken Anschlüssen der Widerstände R8 liegt laut Diagramm eine einstellbare konstante Spannung an, R9 kann 600V erreichen. Die Widerstände R3, R4 sollen die Entladung der Kondensatoren C1, C2 nach dem Ausschalten der Stromversorgung beschleunigen. Die Neonlampe HL1 leuchtet bei einer Spannung von mehr als 100 V. Ein einfaches Voltmeter mit einer auf 6 V geeichten Skala wird aus den Widerständen R7, R1 und einem Mikroamperemeter PA600 aufgebaut. Die Widerstände R8, R9 begrenzen den Lastkurzschlussstrom auf 6 mA; Gleichzeitig weisen sie eine Verlustleistung von bis zu 3,6 W auf. Die HL2-LED, die einen Anstieg des Sperrstroms des p-n-Übergangs anzeigt, beginnt bei einem Strom von 100 μA kaum merklich zu leuchten (es empfiehlt sich, die LED nach dem höchsten Lichtstrom bei niedrigem Strom auszuwählen). Die Siliziumdiode VD3 schützt das angeschlossene Mikroamperemeter vor Überlastung. Das Gerät verwendet feste MLT-Widerstände entsprechender Leistung. Variabler Widerstand R2 - SP-1 1 W mit linearer Kennlinie (Gruppe A). Die überschätzte Leistung einiger Festwiderstände erklärt sich aus ihrem Betrieb bei hoher Spannung. Die Kondensatoren C1, C2 sind Oxidkondensatoren vom Typ K50-7, K50-27 oder ähnlich für eine Spannung von mindestens 350 V. Sie können den unpolaren K73-17 mit einer Kapazität von 2,2 μF für 400 V oder ähnlich verwenden. Die Dioden VD1-VD3 können durch alle anderen Siliziumdioden mit geringer Leistung und einer zulässigen Sperrspannung von mindestens 700 V ersetzt werden. Neonlampe HL1 – jeder Typ mit ausreichender Helligkeit bei einem Strom von nicht mehr als 250 µA. Der Netzschalter SB1 ist ein Druckschalter (ohne Verriegelung!) mit einer Betriebsspannung von mindestens 250 V. Mikroamperemeter RA1 Typ M4761 mit Rahmenwiderstand 1 kOhm aus der Füllstandsanzeige des Tonbandgeräts „Saturn 202C-2“. Es kann durch jedes andere mit einem Gesamtnadelauslenkungsstrom von 50...300 μA ersetzt werden, z Beispiel: M68501, M4260, M4204. Ein solcher Austausch kann erhebliche Anpassungen des Widerstandswerts der Widerstände R6, R7 erfordern. Strukturell kann das Gerät in einem Kunststoffgehäuse mit den Maßen 100x150x30 mm untergebracht werden. Auf der Achse des Widerstands R2 muss ein Kunststoffgriff angebracht werden. Bei häufigem Einsatz kann das Gerät mit einem Polaritätsschalter ausgestattet werden, um Transistoren der „npn“- und „pnp“-Strukturen zu testen. Um einen Stromschlag während der Messung zu vermeiden, ist der Strom im Stromkreis begrenzt und die Hände des Bedieners sind beschäftigt: Sie müssen gleichzeitig den Netzschalter drücken und die Spannung an der Last anpassen. Daher sieht die Konstruktion vor, die Anschlüsse des Halbleiterbauelements in den unter Spannung stehenden Anschlüssen oder Klemmen der Steckverbinder zu fixieren. Bevor Sie ein Halbleiterbauelement auf seine maximale Spannung testen, sollten Sie dennoch seine Hauptparameter mit einem herkömmlichen Ohmmeter überprüfen und defekte bereits in der ersten Testphase ausschließen. Bei der Prüfung eines Thyristors wird dieser mit den Anschlüssen für den NP-N-Strukturtransistor und die Steuerelektrode mit dem Anschluss für die Basis verbunden. Der Triac wird mit zwei Polaritätsoptionen für die Eingangsspannung geprüft, wobei die Steuerelektrode unbeschaltet bleibt. An die Buchsen X1, X2 wird ein Mikroamperemeter beliebiger Bauart angeschlossen; Besonders praktisch ist die Verwendung eines Digitalmultimeters. An die Kontakte ХЗ, Х4 kann ein zusätzliches Voltmeter angeschlossen werden. Die Prüfspannung sollte schrittweise erhöht werden, wobei der Anstieg des Rückstroms mit einem Messgerät oder das Erscheinen der LED-Leuchte überwacht werden sollte. Aufgrund der Vielfalt der Transistorgehäusetypen ist es schwierig, eine einheitliche Empfehlung für den Anschluss an das Gerät zu geben; Sie können die Drähte einfach an die Anschlüsse des Transistors anlöten. Lediglich zwei Grundvoraussetzungen müssen beachtet werden: Alle Verbindungen zum Gerät sollten im spannungslosen Zustand (das Gerät ist nicht vom Netz getrennt!) und mit vollständig entladenen Filterkondensatoren erfolgen. Manchmal reicht die Messung des Rückstroms bei Raumtemperatur nicht aus, sodass der Transistor oder ein anderes Halbleiterbauelement mit einem elektrischen Haartrockner erhitzt werden kann. Die Testergebnisse können zu einem sorgfältigeren Umgang mit Halbleiterbauelementen mit ausreichenden Spannungsreserven führen. Um eine galvanische Verbindung der Messkreise mit dem Netz auszuschließen, empfiehlt es sich, das Gerät über einen Trenntransformator anzuschließen Autor: A.Butov, Dorf Kurba, Gebiet Jaroslawl
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