Notationssysteme für Halbleiterbauelemente ausländischer Produktion. Schema, Beschreibung

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Notationssysteme für Halbleiterbauelemente ausländischer Produktion. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik

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Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Referenzmaterialien

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Derzeit gibt es in der weltweiten Praxis drei Bezeichnungssysteme für Halbleiterbauelemente: amerikanisch (JEDEC), europäisch (Pro-Electron) und japanisch (JIS). Schauen wir uns jedes dieser Systeme an.

JEDEC-System

Das JEDEC-System (Joint Electron Device Engineering Council) gibt das folgende Format für die Bezeichnung elektronischer Geräte vor: Zahl – Buchstabe – Zahl – Suffix.

Die Zahl gibt die Anzahl der pn-Übergänge im Halbleiterbauelement an. Wenn die erste Ziffer 1 ist, handelt es sich um eine Diode; 2 - Transistor; 3 (zum Beispiel) – Feldeffekttransistor mit zwei Gates. In jedem Fall gibt die Zahl die Anzahl der Anschlüsse des Geräts minus eins an.

Der Buchstabe N hat keine Bedeutung; er ist lediglich ein Trennzeichen zwischen zwei digitalen Symbolen.

Die Nummer enthält keine Informationen über das Gerät, es ist nur die Registrierungsnummer des Geräts.

Das Suffix wird zur Bezeichnung von Transistoren verwendet: A – Transistor mit niedriger Verstärkung, B – Transistor mit mittlerer Verstärkung, C – Transistor mit hoher Verstärkung.

Beispielsweise ist 2N3061B ein Transistor mit mittlerer Verstärkung.

Pro-Elektronen-System

Dieses System ergibt folgendes Format: zwei Buchstaben - Buchstabe - Ziffer - Suffix.

Der erste Buchstabe bezeichnet das Halbleitermaterial: A – Germanium; B – Silizium; C – Galliumarsenid; R – Verbundwerkstoff.

Der zweite Buchstabe gibt den Gerätetyp an:

A - Diode oder Signal mit geringer Leistung;

B - Diode mit variabler Kapazität (Varicap);

C - Niederfrequenztransistor mit geringer Leistung;

D - Niederfrequenz-Leistungstransistor;

E - Tunneldiode;

F - Hochfrequenztransistor mit niedriger Leistung;

G - verschiedene Geräte;

H - magnetisch empfindliche Dioden;

K - Hall-Effekt-Geräte;

L - leistungsstarke Hochfrequenztransistoren;

N - Optokoppler;

P - Fotodetektoren;

Q - Lichtemitter;

R – Schaltgeräte (Thyristoren, Dinistoren, Unijunction-Transistoren usw.);

S - Schalttransistoren mit niedriger Leistung;

T - leistungsstarke Schaltgeräte (Thyristoren, Triacs usw.);

U - Hochleistungsschalttransistoren;

W - Geräte für akustische Oberflächenwellen;

X - Dioden-Multiplikatoren (Varaktoren);

Y - Gleichrichterdioden;

Z - Zenerdioden.

Der dritte Buchstabe gibt an, dass das Gerät für industrielle oder militärische Anwendungen (nicht kommerziell) bestimmt ist.

Die Nummer enthält keine Informationen über das Gerät, es ist nur die Registrierungsnummer des Geräts.

Das Suffix wird bei der Bezeichnung von Transistoren verwendet:

A ist ein Transistor mit niedriger Verstärkung, B ist ein Transistor mit mittlerer Verstärkung und C ist ein Transistor mit hoher Verstärkung.

Beispielsweise ist BFY51B ein Silizium-Hochfrequenztransistor mit geringer Leistung für den industriellen Einsatz und mittlerer Verstärkung.

JIS-System (Japanese Industriestandard – Japanischer Industriestandard).

Dieses System ergibt das folgende Format: Ziffer - zwei Buchstaben - Zahl - Suffix.

Die Nummer stimmt mit der Bezeichnung im JEDEC-Code überein, d.h. Dies ist die Anzahl der Anschlüsse des Geräts minus eins.

Die Buchstaben geben die Verwendung des Geräts an:

SA - Hochfrequenztransistor der pnp-Struktur;

SB - Niederfrequenztransistor der pnp-Struktur;

SC - Hochfrequenztransistor mit npn-Struktur;

SD - Niederfrequenztransistor mit npn-Struktur;

SE - Diode;

SF - Thyristor;

SG - Gann-Gerät;

SH - Unijunction-Transistor;

SJ - p-Kanal-Feldeffekttransistor;

SK - n-Kanal-Feldeffekttransistor;

SM - Triac;

SQ - lichtemittierende Diode;

SR - Gleichrichter;

SS - Diode mit geringer Leistung (Signal);

ST - Dioden;

SV - Varicaps;

SZ - Zenerdioden.

Die Nummer enthält keine Informationen über das Gerät, es ist nur die Registrierungsnummer des Geräts.

Das Suffix kann von verschiedenen japanischen Firmen nach eigenem Ermessen verwendet werden.

Beispielsweise ist 2SC2335C ein pnp-Hochfrequenztransistor.

Viele große Unternehmen verwenden jedoch eigene Bezeichnungen für Transistoren:

MJ - leistungsstarke Transistoren von Motorola in einem Metallgehäuse;

MJE - leistungsstarke Transistoren von Motorola in einem Kunststoffgehäuse;

MPS - Low-Power-Transistoren von Motorola in einem Kunststoffgehäuse;

MRF - Hochfrequenz- und Superhochfrequenztransistoren der Firma Motorola;

TIPP - leistungsstarke Transistoren von Texas Instruments;

TIPL sind Hochleistungs-Planartransistoren von Texas Instruments.

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