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ENZYKLOPÄDIE DER FUNKELEKTRONIK UND ELEKTROTECHNIK
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Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Amateurfunk-Technologien

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Bei der Montage von Funkkomponenten auf einer Leiterplatte ist ein Löten der Teile erforderlich. In dieser Situation sind beide Hände mit Lötkolben und Pinzette beschäftigt und die Leiterplatte muss abgestützt und umgedreht werden, was zu Unannehmlichkeiten führt. Das in der Abbildung dargestellte Gerät erleichtert das Arbeiten in verschiedenen Situationen erheblich.

(zum Vergrößern klicken)

Aufbau und Details. Der „dritte Arm“ besteht aus einer Klemme „A“, die mit Hilfe einer Klemmschraube „B“ an der Tischkante befestigt wird. In der in der Abbildung gezeigten Position bewegt sich das Verbindungsglied „D“ hin und her und die Stange „E“ bewegt sich nach links und rechts relativ zur Achse der Verriegelungsgriffe „C“, die die beweglichen Elemente in der gewünschten Position fixieren . Mit der Klemme „G“ kann sich der Halter „I“ entlang und um die Stange „E“ bewegen. Der Halter „Und“ selbst kann sich auf und ab sowie um seine Achse bewegen.

Die „Zh“-Klemme wird fertig verwendet, aus Laborständern eines Chemieschulbüros. Der Halter „I“ besteht aus zwei Metallbacken, von denen eine mit der Stange verschweißt ist. Die zweite Backe bewegt sich beim Abschrauben des Spanngriffs entlang zweier Führungen, einem Stift mit einem Durchmesser von 8 mm und einer M6-Schraube. Damit sich die Backen beim Abschrauben des Spanngriffs auseinander bewegen, wird zwischen ihnen eine Feder mit einem Durchmesser von 6 mm auf den M8-Bolzen gelegt. An der Stelle, an der die Feder installiert ist, werden in jede Backe Aussparungen gebohrt, sodass die Feder im Inneren verborgen bleibt, wenn die Backen vollständig zusammengeführt sind.

Das beschriebene Design gewährleistet die Installation des Teils in jeder geeigneten Position.

Autor: S.M. Usenko

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Für die Herstellung künstlicher Synapsen sind Dünnfilmstrukturen mit einer Dicke von wenigen Atomen geeignet - dies ergibt kleine Abmessungen, hohe Dichte und geringen Stromverbrauch. Es stellte sich heraus, dass Hafniumoxid (HfO2) ein vielversprechendes ferroelektrisches Material für künstliche Dünnfilm-Synapsen ist. Dieses Material wird mit modernen Verfahren aus einem gasförmigen Medium perfekt abgeschieden, um Dünnschichtstrukturen mit hoher Präzision und zuverlässiger Kontrolle zu erzeugen. Die Temperaturen der Filmherstellungsprozesse sind mit der CMOS-Prozesstechnologie kompatibel und werden die Chipelemente während des Chipherstellungsprozesses nicht verbrennen.

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