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IGBT-Module mit einer Gesamtleitungsinduktivität von 15 nH

30.11.2009

SEMIKRON hat die neueste Generation niederinduktiver 1200-V-SEMITRANS-IGBT-Module für den Einsatz in 20...300-kW-Umrichtern vorgestellt. Jetzt werden diese Module mit V-IGBT (Fuji)-Chips ausgestattet, die in ihren Eigenschaften Trench-4-Quarzen ähneln.

Die neuen IGBTs zeichnen sich durch sanftere Schalteigenschaften und geringere dynamische Verluste aus, um die Umwandlungseffizienz zu verbessern. V-IGBT-Quarze werden in drei Modulgrößen in drei verschiedenen Konfigurationen verbaut, ausgelegt für den Einsatz in acht Leistungsbereichen. Der Betriebsstrombereich der Leistungsschalter beträgt 150...600 A. Die Gesamtinduktivität der SEMITRANS 3 und 4 Ausgänge wird auf 15 nH reduziert.

Bei einer typischen IGBT-Schaltgeschwindigkeit von 5000 A/µs beträgt die Amplitude der Schaltstöße nur 75 V. Bei am Markt erhältlichen Leistungsschaltern der gleichen Klasse liegt dieser Wert im Bereich von 90...125 V. Der Neue Module werden in Grundkonfigurationen hergestellt, die für das Design von Industriewandlern erforderlich sind: Einzeltasten, Halbbrücken und Zerhacker. Die Isolationsspannung der Komponenten der neuen SEMITRANS-Familie beträgt 4000 V, sie sind mit 4 Arten von IGBT-Quarzen ausgestattet: IGBT2, IGBT2 fast, IGBT3, IGBT4.

SEMITRANS-Module haben 3 Betriebsspannungsklassen: 600 V, 1200 V und 1700 V, sie werden in 3 Standardgehäusegrößen von 34 mm und 62 mm Standard hergestellt. Ebenfalls erhältlich sind 6 Schlüssel SEMITRANS 6 nach dem 3-Phasen-Wechselrichterschema, SEMITRANS 5 zum Aufbau eines 3-Level-Wechselrichters mit integriertem Stromshunt. Ein SEMITRANS 9 mit einer Isolationsspannung von 9 kV für Bahnanwendungen ist in Entwicklung.

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