LDC0851 ist ein hochpräziser Induktivitätskomparator. Kostenlose Neuigkeiten aus der technischen Bibliothek

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LDC0851 Induktivitätskomparator mit hoher Genauigkeit

28.01.2017

Der LDC0851 von Texas Instruments ist ein induktiver Sensor-Schwellenwert-Controller mit kurzer Reichweite, der sich ideal für robuste kontaktlose Anwendungen wie Anwesenheitserkennungssysteme, Ereignis- oder Objektzählsysteme, industrielle Tastaturen und mehr eignet.

Der Schalter wird aktiviert, wenn sich ein leitfähiges Objekt in unmittelbarer Nähe der Sensorspule befindet. Die Hysterese sorgt für eine zuverlässige Erkennung der Schaltschwelle und eliminiert den Einfluss mechanischer Vibrationen und Fehlalarme durch Temperaturänderungen oder Feuchtigkeit.

Die Induktivitätsmesstechnik liefert selbst bei Schmutz, Öl oder Feuchtigkeit zuverlässige und genaue Messwerte und eignet sich daher ideal für den Einsatz in rauen oder kontaminierten Umgebungen.

Der Halbleiterschalter eliminiert mechanische Fehler, die Kontaktsystemen inhärent sind. Im Gegensatz zu Konkurrenzprodukten benötigt der LDC0851 keine Magnete und erzeugt keine permanenten Magnetfelder.

LDC0851 kann als Sensor zum Öffnen / Schließen von Türen, abnehmbaren Platten und Abdeckungen in elektronischen Geräten verwendet werden; als Drehzahlmesser für Motoren, Lüfter und Drehregler; als Drucksensor in Tastaturen und Personal Electronics.

Technische Eigenschaften:

Schwellenwert: < 1 % Spulendurchmesser;
Schaltstabilität unabhängig von der Umgebungstemperatur;
Durchschnittliche Stromaufnahme: < 20 µA pro 10 Proben;
Eigenverbrauchsstrom: 140 nA;
Gegentaktausgang;
Die Empfindlichkeitsschwelle wird durch einen Widerstand eingestellt;
Unempfindlichkeit gegenüber permanenten Magnetfeldern;
kontaktloses Schalten;
Schaltfrequenz bis 4 kHz;
Versorgungsspannung: 1,8 - 3,3 V;
Betriebstemperaturbereich: -40 bis 125 °C.

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Alkoholgehalt von warmem Bier 07.05.2024

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Hauptrisikofaktor für Spielsucht 07.05.2024

Computerspiele werden bei Teenagern zu einer immer beliebteren Unterhaltungsform, die damit verbundene Gefahr einer Spielsucht bleibt jedoch ein erhebliches Problem. Amerikanische Wissenschaftler führten eine Studie durch, um die Hauptfaktoren zu ermitteln, die zu dieser Sucht beitragen, und um Empfehlungen für ihre Vorbeugung abzugeben. Über einen Zeitraum von sechs Jahren wurden 385 Teenager beobachtet, um herauszufinden, welche Faktoren sie für eine Spielsucht prädisponieren könnten. Die Ergebnisse zeigten, dass 90 % der Studienteilnehmer nicht von einer Sucht bedroht waren, während 10 % spielsüchtig wurden. Es stellte sich heraus, dass der Schlüsselfaktor für die Entstehung einer Spielsucht ein geringes Maß an prosozialem Verhalten ist. Jugendliche mit einem geringen Maß an prosozialem Verhalten zeigen kein Interesse an der Hilfe und Unterstützung anderer, was zu einem Verlust des Kontakts zur realen Welt und einer zunehmenden Abhängigkeit von der virtuellen Realität durch Computerspiele führen kann. Basierend auf diesen Ergebnissen, Wissenschaftler ... >>

Verkehrslärm verzögert das Wachstum der Küken 06.05.2024

Die Geräusche, die uns in modernen Städten umgeben, werden immer durchdringender. Allerdings denken nur wenige Menschen darüber nach, welche Auswirkungen dieser Lärm auf die Tierwelt hat, insbesondere auf so empfindliche Tiere wie Küken, die noch nicht aus ihren Eiern geschlüpft sind. Aktuelle Forschungsergebnisse bringen Licht in diese Frage und weisen auf schwerwiegende Folgen für ihre Entwicklung und ihr Überleben hin. Wissenschaftler haben herausgefunden, dass der Verkehrslärm bei Zebraküken zu ernsthaften Entwicklungsstörungen führen kann. Experimente haben gezeigt, dass Lärmbelästigung das Schlüpfen der Küken erheblich verzögern kann und die schlüpfenden Küken mit einer Reihe gesundheitsfördernder Probleme konfrontiert sind. Die Forscher fanden außerdem heraus, dass die negativen Auswirkungen der Lärmbelästigung auch auf die erwachsenen Vögel übergreifen. Reduzierte Fortpflanzungschancen und verringerte Fruchtbarkeit weisen auf die langfristigen Auswirkungen von Verkehrslärm auf die Tierwelt hin. Die Studienergebnisse unterstreichen den Bedarf ... >>

Zufällige Neuigkeiten aus dem Archiv

Material zur Herstellung eines künstlichen Gehirns 15.06.2021

Wissenschaftler haben eine Möglichkeit gefunden, eine künstliche Synapse zu schaffen, um Probleme zu lösen, die dem menschlichen Denkprozess ähneln. Heute werden dafür viele Optionen angeboten, und eine der vielversprechendsten wird in Ferroelektrika gesehen. FeRAM-Speicher werden seit 20 Jahren auf solchen Materialien hergestellt, und eine neue Studie zeigt, wie man Speicherelemente von atomarer Dicke herstellt und neuromorphen Berechnungen in der Größe eines Prozessors näher kommt.

Bei handelsüblichen FeRAM-Speichern besteht das Schaltelement üblicherweise aus einer Piezokeramik, nämlich Blei-Zirkonat-Titanat (PZT). Die Eigenschaft des Materials, die Polarisation auch nach Entfernung eines externen Steuersignals – eines elektromagnetischen Feldes – aufrechtzuerhalten, verleiht dem FeRAM-Speicher seine wichtigste Eigenschaft der Energieunabhängigkeit. Es behält Daten, auch wenn das Gerät ausgeschaltet ist. Die Arbeit des Gehirns nachzuahmen - das ist äußerst wichtig. Aber in ihrer derzeitigen Form ist die FeRAM-Zelle zu groß und das "Gehirn" mit ihrer Verwendung wird sehr, sehr groß sein.

Für die Herstellung künstlicher Synapsen sind Dünnfilmstrukturen mit einer Dicke von wenigen Atomen geeignet - dies ergibt kleine Abmessungen, hohe Dichte und geringen Stromverbrauch. Es stellte sich heraus, dass Hafniumoxid (HfO2) ein vielversprechendes ferroelektrisches Material für künstliche Dünnfilm-Synapsen ist. Dieses Material wird mit modernen Verfahren aus einem gasförmigen Medium perfekt abgeschieden, um Dünnschichtstrukturen mit hoher Präzision und zuverlässiger Kontrolle zu erzeugen. Die Temperaturen der Filmherstellungsprozesse sind mit der CMOS-Prozesstechnologie kompatibel und werden die Chipelemente während des Chipherstellungsprozesses nicht verbrennen.

Ein gewisses Problem war, dass die ferroelektrischen Eigenschaften von HfO2 relativ instabil sind, aber die Zugabe von Zirkonium (Zr) löste dieses Problem. Somit hat sich die Hafnium-Zirkoniumoxid (HZO)-Verbindung als einer der starken Kandidaten für die Speicherherstellung unter Verwendung von Ferroelektrika erwiesen und verspricht, die Speicherberechnung zu revolutionieren.

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