Es wurde ein Prototyp eines 96-schichtigen QLC-NAND-Flash-Speichers erstellt. Kostenlose Neuigkeiten aus der technischen Bibliothek

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96-Layer-QLC-NAND-Flash-Prototyp erstellt

22.07.2018

Toshiba Memory kündigte die Entwicklung eines Kristalls mit 96 Schichten an. Zusammen mit Western Digital erstellte sie einen Prototyp eines 96-Layer-BiCS-FLASH-Flash-Speichers, der 4 Datenbits pro Zelle (QLC NAND) speichern kann. Natürlich erhöht Layering die Dichte des Flash-Speichers weiter.

Toshiba betont, dass die neuen Chips die größten auf dem Markt sind – 1,33 Tbps. Durch das Packen von 16 Chips mit 96-Layer-QLC-3D-NAND-Speicher erhalten Sie einen rekordverdächtigen 2,66-TB-Chip. Der Hersteller verspricht, es auf dem Flash Memory Summit 2018 zu zeigen, das vom 6. bis 9. August in Santa Clara stattfindet.

Beachten Sie, dass die meisten modernen SSDs 32-Layer-Chips verwenden, während die fortschrittlichsten Modelle 64-Layer-Chips verwenden. Die Massenverteilung von 96-Layer-Speichern wird also nicht sehr bald kommen.

Die Lieferung von Testmustern neuer Speicherchips an SSD-Entwickler und Controller für SSD soll Anfang September beginnen, und das Erscheinen von Serienprodukten mit diesem Speicher wird im nächsten Jahr erwartet.

Ende letzten Jahres verkaufte Toshiba sein Halbleitergeschäft, zu dem auch Toshiba Memory gehört, für 18 Milliarden US-Dollar an ein von Western Digital geführtes Konsortium.

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DevSleep-Modus (verlängert die Akkulaufzeit des Mobilgeräts und erleichtert die Arbeit damit), NCQ-System (optimiert die Reihenfolge, in der Lese- und Schreibbefehle ausgeführt werden) und TRIM-Befehle (dienen zur Erhöhung der Lebensdauer und Optimierung der Performance ) sind unterstützt.

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