Länder, Völker, Sprachen – Hauptstädte der Staaten Nord- und Mittelamerikas. Handbuch für Kreuzworträtsel

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Länder, Völker, Sprachen / Länder der Welt / Hauptstädte der Staaten Nord- und Mittelamerikas

(4)

ROSO - Dominica

(5)

NASSO - Bahamas

(6)

BASTER - St. Kitts und Pevis

HAVANNA - Kuba

CASTRIES - St. Lucia

MEXIKO-STADT, MEXIKO

OTTAWA - Kanada

PANAMA-Panama

PLYMOUTH - Montserrat (Großbritannien)

(7)

MANAGUA - Nicaragua

(8)

KINGSTON - Jamaika

(9)

BELMOPAN - Belize

BRIDGETOWN - Barbados

WASHINGTON - Vereinigte Staaten von Amerika

HAMILTON - Bermudas

GUATEMALA - Guatemala

KINGSTOUN - St. Vincent und die Grenadinen

(10)

WILLEMSTAD - Antillen (Niederlande)

GEORGETOWN - Kaimaninseln (Vereinigtes Königreich)

(12)

TEGUCIGALPA - Honduras

Wortsuche zum Lösen des Kreuzworträtsels:

Ersetzen Sie jeden unbekannten Buchstaben durch *. Zum Beispiel Hund * ka, * oshka, wir ** a. Die Paare е - ё und - й werden gleichgesetzt.

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Elpida, der drittgrößte Speicherhersteller der Welt, hat einen Prototyp eines resistiven Speichers vorgestellt. Das Gerät ist beispiellos und hat eine ganze Reihe von Vorteilen gegenüber dem überall verwendeten kapazitiven Speicher, indem es die Geschwindigkeit von DRAM und die Nichtflüchtigkeit von NAND kombiniert.

Der vollständige Name der Neuheit lautet „High-Speed Non-Volatile Resistive Random Access Memory“ (ReRAM). Der Speicher wird in 50-Nanometer-Prozesstechnologie hergestellt, die Zelldichte beträgt hier 64 Mbit/s pro Array. Neben Elpida waren Sharp, die Universität Tokio und das Japan National Institute of Science and Technology an der Entwicklung beteiligt.

Resistive Speicher werden von vielen als eine neue Stufe in der Entwicklung der Computertechnologie angesehen. Die Essenz der Technologie ist die Verwendung eines speziellen Materials, das seinen elektrischen Widerstand unter dem Einfluss von Spannungsänderungen ändert. Im Gegensatz zu DRAM, wo jede Zelle ein Kondensator ist und häufig aufgeladen werden muss, können hier Informationen unabhängig von der Energiequelle gespeichert werden. Die Schreibgeschwindigkeit des vorgestellten ReRAM-Prototypen beträgt 10 ns, was ungefähr der Schreibgeschwindigkeit von DRAM entspricht.

Das Unternehmen wird nicht nur weiter in diese Richtung forschen, sondern plant auch den Start der Serienproduktion bis 2013, allerdings bereits auf einer 30-Nanometer-Prozesstechnologie.

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