Diodenbaugruppe KD638AS. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik

Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Referenzmaterialien

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Die Montage der Hochleistungs-Siliziumdioden KD638AS erfolgt in Epitaxie-Planar-Technologie. Die Baugruppe besteht aus zwei Dioden mit einem gemeinsamen Kathodenausgang. Das Gerät ist für den Einsatz in Schaltnetzteilen und anderen Geräteeinheiten mit breitem Anwendungsbereich vorgesehen.

Die Diodenbaugruppe ist in einem Kunststoffgehäuse KT-28 mit starren Plattenanschlüssen eingerahmt (Abb. 1), die Masse des Geräts beträgt nicht mehr als 2.5 g. Das ausländische Analogon ist BYV16-200T.

Technische Hauptdaten bei T_{av. av.}= 25^°C (für eine Diode)

Konstanter Sperrdiodenstrom bei Sperrspannung 200V, nicht mehr	5 μA
Konstante Vorwärtsspannung der Diode bei Gleichstrom 8A, nicht mehr	in 1.25
Sperrerholungszeit der Diode bei Durchlassstrom 1 A, Rückwärtsspannung 30 V, Vorwärtsstrom-Abnahmerate 50 A/µs und Rückwärtsstrom gleich 0.25 seines Maximalwerts, nicht mehr	35 ns
Wärmewiderstand, Übergangsgehäuse für die Baugruppe als Ganzes, mehr nicht	1.3 °K/W

Grenzwerte

Die höchste konstante Sperrspannung der Diode in 200 Der größte mittlere Durchlassstrom der Diode bei gleichzeitigem Betrieb der zweiten Diode im gleichen Modus Ein 8 Höchste Sperrschichttemperatur 150 °C Die Grenzen des Betriebsbereichs der Umgebungstemperatur -60 ... + 100 °C Zulässiger Wert des statischen Potentials* in 500

*IV-Steifigkeitsgrad nach OST 11073.062

Es ist nicht erlaubt, Dioden an den Grenzwerten von zwei oder mehr Parametern zu betreiben. Bei der Montage der Baugruppe auf der Platine dürfen die Leitungen höchstens zweimal im Abstand von mindestens 5 mm vom Gehäuserand im 90-Grad-Winkel gebogen werden. mit einem Krümmungsradius von mindestens 1.5 mm (es ist nicht erlaubt, die Anschlüsse in der Körperebene zu biegen). In diesem Fall müssen Maßnahmen ergriffen werden, die eine Kraftübertragung auf den Körper ausschließen.

Der Abstand vom Gehäuse zur Verzinnungs- und Lötstelle der Leitungen darf nicht weniger als 5 mm betragen. Die zulässige Anzahl von Nachlötungen der Montageleitungen während der Installations- und Einstellarbeiten beträgt drei.

Um den Wärmewiderstand des Gehäuse-Kühlkörpers zu reduzieren, empfiehlt sich die Verwendung einer Wärmeleitpaste, beispielsweise KPT-8 (GOST 19783). Löten Sie die Kühlkörperplatte der Baugruppe nicht an den Kühlkörper. Wenn es erforderlich ist, die Baugruppe vom Kühlkörper zu isolieren, muss der durch das Isolierpad (oder die Isolierpaste) verursachte Anstieg des Wärmewiderstands zwischen Verbindungsstelle und Kühlkörper berücksichtigt werden.

Grafische Abhängigkeiten der Parameter der Diodenbaugruppe KD638AS sind in Abb. 2-5 dargestellt. Abbildung 2 zeigt die Abhängigkeiten des DC-Sperrstroms von der DC-Sperrspannung und Abbildung 3 zeigt die Strom-Spannungs-Kennlinien bei verschiedenen Gehäusetemperaturen. Die Abhängigkeit der Diodenkapazität von der konstanten Sperrspannung ist in Abb. 4 und die Temperaturabhängigkeit der Durchbruchspannung in Abb. 5 dargestellt.

Veröffentlichung: N. Bolschakow, rf.atnn.ru

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