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ENZYKLOPÄDIE DER FUNKELEKTRONIK UND ELEKTROTECHNIK
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Fünfstufiges Voltmeter. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik

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Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Messtechnik

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Messuhren werden zunehmend durch LEDs ersetzt. Und das ist nicht überraschend: Letztere sind viel bequemer und zuverlässiger als erstere. Die Schaltung eines einfachen fünfstufigen Niederfrequenzvoltmeters für eine Spannung von 0,1–0,6 V, bei dem LEDs als Anzeigen dienen, wurde in der Zeitschrift Funkamateur veröffentlicht.

Voltmeter mit fünf Stufen
(zum Vergrößern klicken)

Übersteigt das an den Buchsen X2, X3 anliegende Signal die Spannung von 0,1 V, öffnen die Transistoren V2, V4 und dadurch leuchtet die LED B1. Steigt das Signal auf 0,2 V, öffnet die Halbleitertriode V6 und LED B2 blinkt. Wenn die Signalspannung etwa 0,6 V erreicht, leuchten alle LEDs.

LEDs sind meist vertikal „in einer Säule“ angeordnet, ähnlich einem Thermometer. Mit zunehmender Spannung erhöht sich auch die Höhe der Leuchtsäule und zeigt so deutlich den Signalpegel an.

Ein Voltmeter wird über eine Emitter-Anpassungsstufe V1 an ein Gerät mit geringer Leistung angeschlossen und legt ein Signal an Buchse X1 an.

In einem Voltmeter können anstelle ausländischer Halbleiterbauelemente auch heimische verwendet werden: Transistoren KT306, KT312 oder KT315, Dioden D219, D220, LEDs AL102A - AL102G, Auswahl der Widerstände der Widerstände R3, R5, R7, R9, R11.

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Von seinen Anfängen vor 40 Jahren bis heute war der Flash-Speicher eine planare, zweidimensionale Zellstruktur. Bisher hat es die Reduzierung des technologischen Produktionsprozesses ermöglicht, die Dichte der Informationsspeicherung zu erhöhen. Als sich der Prozess jedoch dem 10-nm-Standard näherte, begannen Interferenzen zwischen den Speicherzellen aufzutreten, wodurch die Zuverlässigkeit der Datenspeicherung unter die zulässige Grenze fiel.

Die 3D-V-NAND-Technologie wurde entwickelt, um dieses Problem zu lösen: einen neuen Weg zu eröffnen, um die Speicherdichte in der Zukunft zu erhöhen und gleichzeitig eine technologische Norm beizubehalten, die das erforderliche Maß an Zuverlässigkeit bietet.

Bei neuen Speicherchips mit 3D-V-NAND-Technologie sind die Zellen dreidimensional zueinander angeordnet. Die vertikale Verbindung der Zellen erfolgt durch spezielle Leiter. In einer Mikroschaltung können bis zu 24 Schichten mit Zellen vorhanden sein, während der Leiter durch spezielle Löcher isoliert durch andere Schichten verlaufen und beispielsweise die Zellen der ersten und vierundzwanzigsten Schicht verbinden kann.

Samsung behauptet, dass Sie mit 3D V-NAND eine 8-fache Kapazitätssteigerung erreichen können: Statten Sie beispielsweise einen Laptop mit 128 TB Speicher statt 1 GB aus.

Die neue Technologie ermöglicht jedoch nicht nur eine Erhöhung der Dichte, sondern auch eine wesentlich höhere Zuverlässigkeit (um das 2- bis 10-fache) im Vergleich zu NAND-Speichern auf Basis der 10-nm-Prozesstechnologie. Darüber hinaus bietet 3D V-NAND schnellere Schreibgeschwindigkeiten – laut Samsung doppelt so schnell.

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