Diagramm einer digitalen Anzeige. Schema, Beschreibung

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Diagramm einer digitalen Anzeige. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik

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Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Messtechnik

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Das vorgeschlagene digitale Anzeigeschema entspricht im Wesentlichen dem vom Hersteller empfohlenen. Schaltkreise und Komponenten wurden ausgewählt, um maximale Messgenauigkeit und Stabilität zu erreichen.

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Als Referenzspannungsquelle wurde eine externe Präzision K142en19 (TL431, LM431) verwendet. Dadurch war es möglich, den Versorgungsspannungsbereich auf +/-3.5 +/-5.5 V zu bringen, ohne dass die Messgenauigkeit verloren ging. Weil Die Schaltung dient zur Messung von Spannungen, die symmetrisch zum gemeinsamen Draht sind. Es wird bipolare Leistung ausgewählt. Die im Diagramm angegebenen Bewertungen der Teile sind optimal und es ist nicht ratsam, sie zu ändern. Beispielsweise führt eine Erhöhung der Taktfrequenz zu einer Verschiebung des Wertes der gemessenen Spannung um 2 Einheiten; und Ändern der Parameter der Integrierschaltung - zu einer spürbaren Nichtlinearität zwischen der tatsächlichen und der angezeigten Spannung.

Die Kondensatortypen sind im Diagramm angegeben; Bei gleichzeitiger Reduzierung der Anforderungen an die Messgenauigkeit können Kondensatoren anderer Typen und kleinerer geometrischer Abmessungen verwendet werden, sogar vom Typ KM5 oder KM6. Die Leiterplatte ist in zwei Teile unterteilt – die Mikroschaltung selbst und die Anzeige, um die Größe und die Möglichkeit der Verwendung verschiedener Anzeigen zu reduzieren. Die Platine bietet Platz für den Einbau von Zenerdioden und Lastwiderständen bei einer Versorgungsspannung von mehr als +/-5 Volt. Um die Position des Dezimalpunkts auf der Anzeigeplatine anzuzeigen, sind Chipwiderstände eingelötet, ihr Wert beträgt 210 Ohm für S/D-Anzeigen bzw. 2-5 MΩ für LCD. Um die Auswahl der Werte zu erleichtern, bestehen die Widerstände R3-R4 aus zwei in Reihe geschalteten Widerständen.

Veröffentlichung: radiokot.ru

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GaN-auf-Silizium-LEDs 19.04.2013

Plessey Semiconductors produzierte seine erste Galliumnitrid-auf-Silizium-LED in seinem Werk in Plymouth.

Wie der Chefingenieur des Unternehmens, Barry Dennington, sagte: „Wir können Produktproben der Einstiegsklasse anbieten und diskutieren bereits andere Produkte.“ „Produktchargen können jetzt bestellt werden, mit einer typischen Vorlaufzeit von 6 Wochen“, sagte Dennington. „Grundsätzlich sind wir etwa 80 % billiger als Siliziumkarbid-LEDs“, fügte er hinzu und sagte, dass die Kosten sowohl für das Gehäuse als auch für den Chip etwa die Hälfte der Kosten für das fertige Gerät in diesen kleinen Gehäusen ausmachen.

Vor der Einführung von Beleuchtungs-LEDs brachte Plessey Anzeige-LEDs auf den Markt, bei denen der Preis wichtiger ist als die Effizienz. Die LEDs emittieren 2 lm bei 20 mA in einem 2 x 3,5 mm großen PLCC-2,7-Gehäuse. Die LEDs werden auf 150-mm-Siliziumwafern hergestellt. Im Gegensatz zu den kleineren und teureren Saphir- oder Siliziumkarbid-LEDs, die hauptsächlich für weiße, blaue und grüne LEDs verwendet werden, „sind sie sehr billig“, sagte Dennington, ohne ihren Verkaufspreis anzugeben.

Eine Familie von vier oder fünf dieser Low-Power-Geräte wird "in ein oder zwei Monaten" verfügbar sein, sagte Chief Technology Officer Dr. Keith Strickland. Welcher Art sind diese Geräte? Plessey gibt keine Antworten. „Plane einen für 4 Lumen“, war alles, was Strickland sagen konnte. „Wenn wir 60 lm/W erreichen, werden wir unsere ersten Beleuchtungsprodukte einführen", sagte Strickland. „Wir werden in den nächsten 100 Monaten 12 lm/W erreichen." Die erste Beleuchtungs-LED, betonte er, werde voraussichtlich eine Leistung von 1 Watt haben.

Plessey trat durch die Übernahme von CamGaN, einem Spin-off des GaN-on-Silicon Centre der University of Cambridge, in den Markt für weiße LEDs ein. Zum Zeitpunkt der Übernahme sprach Plessey über die Beleuchtung von LEDs.

Die Effizienz von Signalisierungs-LEDs mit 2 lm Lichtstrom beträgt 32 lm/W, was im Vergleich zu Beleuchtungs-LEDs niedrigerer Kategorie anderer Hersteller nicht viel ist. Das Unternehmen tut jedoch das Richtige, da dies die erste Gallium-auf-Silizium-LED-Produktion eines Unternehmens ist, und Plessey, nie ein LED-Hersteller, hat in 15 Monaten den ganzen Weg zur hochmodernen Fertigung zurückgelegt .

Im vergangenen Mai kündigten Toshiba und Bridgelux Pläne für 200-mm-GaN-auf-Silizium-Wafer-Beleuchtungs-LEDs an und kündigten Ende letzten Jahres die Produktion von 150-mm-Wafern an, obwohl noch keine Produktion zu sehen ist.

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