Gesprächsknoten für ein Telefongerät. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik

Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Telefonie

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Manchmal passt die Bedienung des Telefons nicht zum Verbraucher: schlechter Klang und schlechte Hörbarkeit, Lärm usw. Sie können die Eigenschaften des Geräts verbessern, indem Sie die vorgeschlagene Gesprächseinheit zusammenbauen.

Das Diagramm des Geräts ist in der Abbildung dargestellt.

(zum Vergrößern klicken)

Der Quad-Operationsverstärker DA1 wird von einer bipolaren Spannung gespeist, die aus einer unipolaren Kaskade unter Verwendung der Transistoren VT5, VT6 erzeugt wird. Ein Mikrofonverstärker ist auf dem Operationsverstärker DA1.1 und dem Transistor VT1 aufgebaut, und ein Audiosignalverstärker aus der Leitung ist auf DA1.2 und VT2, VT3 aufgebaut. Zum Betrieb des Anti-Lokal-Systems wird das gegenphasige Audiosignal für DA1.2 nicht wie bei den meisten einfachen Sprechstellen vom Ausgangstransistor VT1 entnommen, sondern von einem separaten Verstärker an DA1.3 erzeugt. Dies gewährleistet eine gute Betriebsqualität des Anti-Lokal-Systems.

Die auf dem Operationsverstärker DA1.4, den Dioden VD2, VD3 und dem Transistor VT4 basierende Kaskade dient zur Steuerung der Verstärkung von DA1.2. Wenn vom Mikrofon ein ausreichender Signalpegel empfangen wird, wird die Verstärkung des DA1.2-Operationsverstärkers reduziert, was zu einer noch stärkeren Unterdrückung Ihrer Stimme führt.

Bei einem sehr hohen Signalpegel am nichtinvertierenden Eingang des Operationsverstärkers DA1.1 verschlechtert sich die Linearität des Betriebs von DA1.1 und DA1.3 und die Unterdrückungstiefe der eigenen Stimme nimmt ab. Um diesen Effekt zu kompensieren, muss die Empfindlichkeit des Verstärkers mit Operationsverstärker DD1.2 reduziert werden. Dies erfolgt durch den Feldeffekttransistor VT4. Der Widerstand des Source-Drain-Kanals steigt stark an und die Verstärkung des Operationsverstärkers DA1.2 wird nur durch das Verhältnis der Widerstandswerte der Widerstände R25 und R21 bestimmt.

Der Schalter SA1 soll die Empfindlichkeit des Mikrofonverstärkers reduzieren. Mit dem Schalter SA2 können Sie die Lautstärke des Signals im Mobilteil stufenweise reduzieren.

Elektretmikrofon VM1 – MKE-389, MKE-332, MKE-377, M34LOR NM1003 oder ähnlich. Dioden VD2, VD3, VD6 – jedes Germanium oder Silizium mit geringer Leistung, VD4 und VD5 – Silizium mit geringer Leistung. Zenerdiode VD1 – jede Niederspannungsspannung 15...30 V.

Der Transistor VT1 kann einer der Serien KT815, KT817, KT961, KT608, KT630 ​​mit einem Basisstromübertragungskoeffizienten von 150...200 sein. Feldeffekttransistor VT4 – einer der Serien KP302, KP303, KP307, es muss jedoch die Abschaltspannung überprüft werden, die nicht mehr als 1 V betragen sollte.

Um Störungen zu reduzieren, ist es besser, die Platine mit der Sprecheinheit im Inneren des Mobilteils zu platzieren und eine Abschirmung aus Kupferfolie zu verwenden.

Beim Einrichten einer Einheit kommt es darauf an, einige Widerstände auszuwählen, die bestimmte Parameter beeinflussen. Nachfolgend sind die Bezeichnungen dieser Widerstände und die von ihnen beeinflussten Parameter sowie die Nennwerte der Parameter aufgeführt:

Autor: A.Butov, Dorf Kurba, Gebiet Jaroslawl

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