Rücksetzbare Sicherung, 5 Ampere. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik

Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Schutz der Ausrüstung vor dem Notbetrieb des Netzwerks

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Das Diagramm einer solchen „Sicherung“ mit einem maximalen Laststrom von 5 A ist in Abb. dargestellt. 7.19. Sein Wirkungsgrad übersteigt 90 % über einen mehr als zehnfachen Bereich von Laststromänderungen. Der Stromverbrauch im unbelasteten Zustand beträgt weniger als 0,5 mA.

Um den Spannungsabfall an der „Sicherung“ zu reduzieren, wird als VT4 ein Germaniumtransistor verwendet. Wenn der Laststrom unter dem zulässigen Wert liegt, steht dieser Transistor kurz vor der Sättigung. Dieser Zustand wird durch eine negative Rückkopplungsschleife unterstützt, die, wenn der Transistor VT2 offen und gesättigt ist, durch die Transistoren VT1 und VT3 gebildet wird. Der Spannungsabfall im Kollektor-Emitter-Bereich des Transistors VT4 überschreitet 0,5 V bei einem Laststrom von 1 A und 0,6 V bei 5 A nicht.

Wenn der Laststrom geringer ist als der Schutzansprechstrom, befindet sich der Transistor VT3 im aktiven Modus und die Spannung zwischen seinem Kollektor und Emitter reicht aus, um den Transistor VT6 zu öffnen, was den gesättigten Zustand des Transistors VT2 und letztendlich den leitenden Zustand des Schalters gewährleistet VT4. Mit zunehmendem Laststrom wird der Basisstrom des Transistors VT3 negativ. Das Betriebssystem erhöht sich und die Spannung an seinem Kollektor nimmt ab, bis der Transistor VT6 schließt. In diesem Moment wird der Schutz ausgelöst. Die ungünstigste Belastung für eine „Sicherung“ ist eine starke Glühlampe, deren Widerstand eines kalten Glühfadens um ein Vielfaches geringer ist als der eines beheizten.

Ein Test mit einer 12 V (32 + 6) W Autolampe zeigte, dass 0,06 s zum Aufwärmen völlig ausreichen und die „Sicherung“ nach dem Einschalten zuverlässig in den Betriebsmodus wechselt. Bei Lampen mit höherer Trägheit müssen jedoch möglicherweise die Dauer und die Wiederholungsperiode der Impulse erhöht werden, indem ein Kondensator C2 mit höherer Leistung (aber kein Oxidkondensator) installiert wird. Der GT806A-Transistor kann durch einen anderen aus der gleichen Serie oder durch einen leistungsstarken Germanium-Transistor, zum Beispiel P210, mit beliebigem Buchstabenindex ersetzt werden. Wenn keine Germaniumtransistoren verfügbar sind oder der Betrieb bei erhöhten Temperaturen erforderlich ist, können Sie auch Siliziumtransistoren mit h2t3 > 40 verwenden, zum Beispiel KT818 oder KT8101 mit beliebigen Buchstabenindizes, wodurch der Wert des Widerstands R5 auf 10 kOhm erhöht wird. Nach einem solchen Austausch überschritt die zwischen Kollektor und Emitter des Transistors VT4 gemessene Spannung 0,8 V bei einem Laststrom von 5 A nicht.

Bei der Herstellung einer „Sicherung“ muss der VT4-Transistor auf einem Kühlkörper installiert werden, beispielsweise einer Aluminiumplatte mit den Maßen 80 x 50 x 5 mm. Für den Transistor VT1,5 wird zusätzlich ein Kühlkörper mit einer Fläche von 2...2 cm3 benötigt.

Autor: Semjan A.P.

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