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ENZYKLOPÄDIE DER FUNKELEKTRONIK UND ELEKTROTECHNIK
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Vorrichtung zum Laden und Formen von Akkumulatoren. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik

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Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Ladegeräte, Batterien, galvanische Zellen

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Die Abbildung zeigt ein Diagramm eines Geräts, das zum Laden und Formen von wiederaufladbaren Batterien mit einer Spannung von 6 oder 12 V und einer Kapazität von bis zu 85 Ah ausgelegt ist. Der Lade- (Entlade-)Strom hängt wenig von der Spannung im Wechselstromnetz ab (Spannungsabfall über der Last). Der Wirkungsgrad des Geräts variiert je nach Last zwischen 16 und 42 %.

Vorrichtung zum Laden und Bilden von Akkumulatoren
(zum Vergrößern klicken)

Beim Laden von 2,5-Volt-Batterien kann das Gerät der Last einen Strom von 14 bis 600 A liefern, wobei der Stromstabilisierungskoeffizient auf einer Änderung des Lastwiderstands von 2 (bei 5...10 A) auf 14 (bei 35 A) basiert ) und basierend auf einer Änderung der Versorgungsspannung - jeweils von 1,5 auf 260. Die Ausgangsimpedanz des Geräts beträgt mindestens XNUMX Ohm.

Im Lademodus von Zwölf-Volt-Batterien liegen die Stromänderungsgrenzen bei 2...10 A, die Stromstabilisierungskoeffizienten liegen bei 400 - 80 bzw. 30 - 10 und der Ausgangswiderstand beträgt mehr als 600 Ohm.

Die vom Gerät aus dem Netzwerk verbrauchte Leistung beträgt im ersten Fall ca. 440 W, im zweiten Fall 235 W. Die Amplitude der Stromwelligkeit überschreitet 16 mA bei einem Strom bis 4,5 A nicht.

Das Gerät besteht aus einer Kette von Emitterfolgern, die über eine verbesserte negative Rückkopplung (NFE) für den Laststrom verfügen.

Die erste Stufe der Kette ist auf einem Verbundtransistor VT2-VT4 aufgebaut, und die letzten Stufen bestehen aus leistungsstarken Transistoren VT5, VT6 und VT7, VT8.

Die Gegenkopplungsspannung wird vom Emitter des Transistors VT7 entfernt und über einen auf dem Transistor VT2 montierten Verstärker dem Basiskreis des Transistors VT1 zugeführt. Variabler Widerstand R4 im Stromkreis. Mit dem OOS wird der benötigte Ladestrom eingestellt. Die Dioden VD6 und VD7 sorgen für eine Temperaturstabilisierung des Laststroms.

Spannungsverstärkungskaskade. Der OOS wird von einem Spannungsstabilisator mit einer Zenerdiode VD5 mit Ballastwiderständen R2 und R3 gespeist. Die über den Schalter SA1 eingeschalteten Relais K2 und K2 dienen zur Auswahl der Ausgangsspannung (6/12 V).

Beim Laden wird die Batterie an die Klemmen X1 und X2 angeschlossen, beim Entladen (zur Formation) an die Klemmen. XZ und X2. Unbenutzte Klemmen werden in beiden Fällen mit einer Brücke verbunden.

Im Entlademodus ist das Gerät vom Netzwerk getrennt.

Der Strom wird durch das Amperemeter RA1 kontrolliert, und die Spannung wird durch das Voltmeter P V1 kontrolliert.

Für einen korrekt montierten Stabilisator muss lediglich die optimale Position der Dioden VD6 und VD7 relativ zum Strahler gefunden werden. Manchmal ist es notwendig, den Widerstandswert des Widerstands R5 zu klären.

Die Dioden VD6 und VD7 sind direkt am Strahler, einem der Transistoren VT5 - VT8, auf Isolierständern montiert. Durch die Anpassung des Abstands zwischen Dioden und Strahler (durch Biegen der Diodenleitungen) erreichen wir eine möglichst geringe Abhängigkeit des Laststroms von Änderungen der thermischen Bedingungen des Geräts im Langzeitbetrieb.

Der Leistungstransformator T1 ist auf den Magnetkreis USh40x66 gewickelt.

Die Primärwicklung muss 417 Windungen PEV-2 1,2-Draht enthalten. Für die Sekundärwicklung (36 Windungen) wird eine isolierte rechteckige Kupferschiene (1,8x5 mm) verwendet.

Die Widerstände R6 + R13 sind auf Widerstandskörper gewickelt. VS-2 mit Manganin- oder Konstantandraht mit einem Durchmesser von 0,75–1,0 mm.

Die Transistoren MP25B können durch beliebige Low-Power-Transistoren der PN-P-Struktur, P201-Transistoren, ersetzt werden. P213, P214 oder (was besser ist) GT403 mit einem beliebigen Buchstabenindex A. P210A - GT701A. Die Transistoren VT5 - VT8 sind auf Rippenstrahlern mit einer Verlustfläche von 600 cmXNUMX montiert.

Die Konstruktion muss eine freie Konvektionsluftströmung um die Heizkörper herum gewährleisten. Der Transistor VT4 ist auf einem Plattenkühler mit einer Fläche von 25 cm2 installiert.

Relais K1 und KR2-MR-1 bzw. RES-9 mit einer Betriebsspannung von 15 V. Sie können durch ein Relais mit fünf Gruppen von Schließerkontakten ersetzt werden.

Autor: Shelestov I.P.

Siehe andere Artikel Abschnitt Ladegeräte, Batterien, galvanische Zellen.

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