Schaltnetzteil PC202003040 reparieren. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik

Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Netzteile

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Das kompakte Schaltnetzteil Modell PC202003040 LED STRIP PS 40 W ist für den Betrieb mit einer Last von bis zu 40 W bei einer Ausgangsspannung von 12 V DC ausgelegt. Nach mehrtägigem Betrieb mit einer Belastung von etwa 15 W begann das Gerät zu rauchen und funktionierte nicht mehr. Da die Kosten für dieses Produkt niedriger sind als die Einzelhandelskosten der darin enthaltenen Hauptteile und niedriger als die Kosten für eine Fahrt zum Geschäft, wurde beschlossen, es nicht zur Reparatur im Rahmen der Garantie einzusenden, sondern es selbst zu versuchen uns selbst.

Nach dem Zerlegen des Geräts dauerte es nicht lange, den Hauptfehler zu finden. In Abb. In Abb. 1 ist zu erkennen, dass unter der Netzspannung von 230 V AC ein Durchschlag auf der Geräteplatine zwischen den Leiterbahnen aufgetreten ist. Ein Teil der gedruckten Leiterbahn ist durchgebrannt, aber der Sicherungseinsatz F1 hat überlebt (dies ist eine häufige Fehlfunktion bei Produkten mit Netzstromversorgung aufgrund solcher Konstruktionsfehler). Der Abstand zwischen diesen Leiterbahnen betrug nur etwa 1 mm, für einen zuverlässigen Betrieb des Gerätes sollte er jedoch mindestens 5 mm betragen, und auch in diesem Fall wäre es nicht überflüssig, zwischen den Leiterbahnen einen durchgehenden Schlitz im Leiterplattenmaterial vorzusehen .

Reis. 1. PCB und Aufschlüsselung

Um die Funktionsfähigkeit des Geräts wiederherzustellen, wurden die gedruckten Leiterbahnen vom Zweiwicklungsinduktor LF1 (siehe auch Schaltungsausschnitt in Abb. 2) zu den Dioden D3, D4 und dem Keramikkondensator CY2 sowie die entsprechenden Anschlüsse entfernt wurden mit einem PVC-isolierten Montagedraht hergestellt (Abb. 3).

Reis. 2. Gerätediagramm (zum Vergrößern anklicken)

Reis. 3. Refurbished-Board

Um die Zuverlässigkeit des Geräts zu verbessern, wurden mehrere Modifikationen vorgenommen. So wurde mit einem Handschneider der Abstand zwischen dem Kontaktpad für den Drain-Pin des Hochspannungstransistors Q2,5 und der Leiterbahn, die vom Verbindungspunkt der Widerstände R1 und R1 zum Pin 2 der Mikroschaltung U6 verläuft, auf 1 mm erhöht ( Die beste Lösung wäre, dieses gedruckte Pad zwischen den Pins Gate und Source von Q1 sowie einen Teil der gedruckten Schaltung zu entfernen und den Drain-Anschluss des Transistors Q1 näher an den Anodenanschluss der Diode D6 zu löten.

Auf der Leiterplatte hat der Gerätehersteller das zwischen den Anschlüssen des Transistors Q1 verbleibende Lötflussmittel nicht entfernt. Wenn Sie also auf eine solche Schlamperei stoßen, entfernen Sie es unbedingt.

Es stellte sich heraus, dass der Oxidkondensator C6 eine Nennspannung von 10 V hatte (bei einer Blockausgangsspannung von 12 V!), daher wurde er durch die gleiche Kapazität mit einer Nennspannung von 16 V ersetzt (in Abb. 2 mit C6' bezeichnet). und einem Sperrkeramikkondensator 4C1 mit einer Kapazität von 1 µF.

Transistor Q1 und Schottky-Diode D10 wurden schlecht an den Aluminiumkühlkörper gedrückt. Um den thermischen Kontakt auf der Rückseite des Kühlkörpers zu verbessern, wurden breite 3 mm dicke Stahlplatten unter die Köpfe der M1-Schrauben gelegt und anschließend die Schraubverbindungen mit maximaler zerstörungsfreier Kraft angezogen. Ohne zusätzliche Stahlplatten macht das Anziehen der Schrauben keinen Sinn, da sich die Aluminiumplatte verformt.

Anstelle des Sicherungseinsatzes F1 ist ein Ein-Watt-Drahtwiderstand 3,15R1 mit einem Widerstandswert von 1 Ohm für einen Strom von 3,3 A eingebaut. Ein solcher Widerstand ist nicht nur effizienter als ein Sicherungseinsatz, sondern reduziert auch den Einschaltstrom der Stromversorgung weiter. Wenn es nach dieser Modifikation möglich ist, einen Sicherungshalter, zum Beispiel DVP-4, zu installieren, dann sollten Sie einen Einsatz für einen Strom von 1,5...2 A verwenden. Die Installationsansicht des modifizierten Netzteils ist in Abb. dargestellt . 4.

Reis. 4. Ansicht der Installation des modifizierten Netzteils

Um die tatsächliche Leistungsfähigkeit des reparierten Netzteils zu ermitteln, wurde an dessen Ausgang das Äquivalent einer Last mit einem Strom von 3 A angeschlossen. Nach einer Stunde Betrieb in diesem Modus stieg die Temperatur des Duraluminium-Kühlkörpers an den Stellen des Transistors Q1 und Diode D10 war etwa 45 ^оC bei Umgebungstemperatur 21 ^оC. Dies ist ein sehr guter Indikator, aus dem hervorgeht, dass die Hauptelemente des Netzteils im Modus mit maximaler Ausgangsleistung nicht überhitzen.

Der Widerstandswert des Drahtwiderstands 1R1 kann im Bereich von 3,3...10 Ohm liegen (bei einem Widerstand von 5,1 Ohm oder mehr muss die Verlustleistung dieses Widerstands mindestens 2 W betragen). Herkömmliche Kohlenstoff- und Metall-Dielektrikum-Festwiderstände, beispielsweise MLT-2, können hier nicht verwendet werden.

Wenn der Transistor Q1 ausfällt, können die niederohmigen Widerstände R23-R26 durchbrennen und auch die Mikroschaltung U1 wird beschädigt. Liegt kein genauer Schaltplan des Netzteils vor, fotografieren Sie die Platine vorher möglichst gut von der Seite der Leiterbahnen her, damit die Beschriftungen, Farbmarkierungen und Leiterbahnen gut sichtbar sind . Der fehlerhafte Feldeffekttransistor SIF4N60D kann durch jeden der Typen FQPF10N60C, SSP10N60B, SSS6N60A, P4NK60ZFP ersetzt werden, und der beschädigte Mikroschaltkreis kann durch einen ähnlichen achtpoligen Schaltkreis der Serien KA3842, KIA3842, TL3842, UC3842 usw. ersetzt werden. Um die Installation zu vereinfachen, empfiehlt es sich, eine Mikroschaltung im gleichen Gehäuse zu verwenden, die austauschbar ist.

Das reparierte Netzteil soll erstmals über eine in Reihe geschaltete Glühlampe mit einer Leistung von 230 W an ein 250.300-V-Netz angeschlossen werden. Ein helles Leuchten der Lampe weist auf ungelöste Fehler hin.

Autor: A. Butov

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