Zur Wahl der Mischdioden für einen Direktumsetzungsempfänger. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik

Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Radioempfang

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Bei direkt umsetzenden Radioempfängern (z. B. „Radio“, 1973, Nr. 7, S. 15, 16) wird das hochfrequente Eingangssignal direkt in Audiofrequenzen umgewandelt. Um Übersprechen und Interferenzen zu reduzieren, die durch die direkte Erkennung amplitudenmodulierter Signale leistungsstarker Sender entstehen, ist eine minimale Hochfrequenzverstärkung (vor der Konvertierung) wünschenswert. In diesem Fall hängt die Empfindlichkeit des Empfängers stark von der Art und Qualität der Mischdioden ab. Besonders auffällig ist der niederfrequente Diodenrauschanteil, der proportional zu 1/f ist.

Um die Rauscheigenschaften der Dioden zu testen, wurde ein Gerät verwendet (Abb. 1), das die Eingangsstufe eines Niederfrequenzverstärkers am Transistor VI und einen Tiefpassfilter C2L1C3 mit einer Grenzfrequenz von 5 kHz umfasste. Frequenzen unter 300 Hz wurden aufgrund der relativ kleinen Kapazität des Kondensators C4 gedämpft. Der Rauschpegel wurde mit einem S1-70-Oszilloskop mit einer hochempfindlichen (10 µV/div) 1U14-Einheit gemessen. Wenn Sie ein weniger empfindliches Oszilloskop verwenden, müssen Sie 1-2 Bassverstärkerstufen hinzufügen.

Ris.1

Das effektive Grundrauschen Uo des Verstärkers, normiert auf den Eingang, betrug 0,32 μV. Die Eingangsimpedanz des Bassverstärkers beträgt etwa 1 kOhm. Das Anschließen der zu prüfenden Diode verursachte einen Anstieg des Rauschens bis zu einem bestimmten Wert Um. Eine typische Abhängigkeit von Um/Uo vom Durchlassstrom I durch die Diode und von der Sperrspannung U für die D18-Diode ist in Abb. dargestellt. 2.

Bild 2 Da beide Kennlinienzweige nahezu linear verlaufen, kann man sich zur Beurteilung der Qualität von Dioden darauf beschränken, das Rauschen bei fester Vorspannung zu messen, beispielsweise bei einem Strom von +10 mA und einer Spannung von -10 V In der Tabelle sind die Um/Uo-Verhältnisse angegeben, die durch Messung für mehrere Diodentypen erhalten wurden.

Im Empfänger wird auf die Mischerdioden eine hochfrequente lokale Oszillatorspannung eingewirkt, die sowohl einen Vorwärtsstrom als auch eine Sperrvorspannung verursacht. Daher zeigt die Tabelle auch den bedingten Indikator K der Qualität der Diode, der als arithmetisches Mittel zwischen den Werten von Um / Uo bei einem Durchlassstrom von 10 mA und einer Sperrvorspannung von -10 V gefunden wird.

Alle in der Tabelle aufgeführten Dioden wurden auch in einem symmetrischen Mischer (Bild 3) bei einer Frequenz von 18 MHz getestet. Die LICI-Schaltung wurde auf die mittlere Frequenz des Bereichs abgestimmt. Der Symmetriertransformator T1 wurde mit einem PELSHO 100-Draht auf einen M7NN-Ferritring (Größe K4X2X0,25) gewickelt.

Ris.3

Seine Primärwicklung enthielt 18 und die Sekundärwicklung 12 Windungen (Ausgang von der Mitte). Ein präziser Abgleich des Mischers wurde mit einem variablen Widerstand R1 durchgeführt. Vom Ausgang des Mischers wurde das Signal einem Tiefpassfilter zugeführt (Abb. 1). Gemessener Empfindlichkeitswert (bei einem S/N-Verhältnis von 10 dB). Die berechnete Rauschzahl F des Empfängers ist ebenfalls in der Tabelle aufgeführt. Es stellte sich heraus, dass die Rauschzahl des Mischers ungefähr proportional zum bedingten Qualitätsindikator K. ist, der bei niedrigen Frequenzen beim Mischen der Diode mit Gleichstrom gemessen wird. Daher ermöglicht Ihnen das Gerät (Abb. 1), die Eignung von Dioden für einen Direktkonversions-Empfängermischer zu bewerten.

Für jeden Diodentyp wurde die optimale lokale Oszillatorspannung ausgewählt, um die beste Empfindlichkeit bereitzustellen. Es stellte sich heraus, dass seine Amplitude 0,2–0,3 V für Germanium und 0,6–0,7 V für Siliziumdioden betrug. Die qualitative Abhängigkeit der Rauschzahl von der Lokaloszillatorspannung ist in Abb. 4 dargestellt. vier.

Ris.4

Bei niedrigen Spannungen steigt die Rauschzahl durch den Abfall der Mischerverstärkung und bei hohen Spannungen durch das zunehmende Rauschen der Dioden selbst.

Autor: V. Polyakov, N. Chubinsky, Moskau; Veröffentlichung: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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