Elektrodenkessel

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ENZYKLOPÄDIE DER FUNKELEKTRONIK UND ELEKTROTECHNIK
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Anhang 3. Normen für die Prüfung elektrischer Geräte und Geräte für elektrische Anlagen von Verbrauchern

Elektrodenkessel

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Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Regeln für den technischen Betrieb von elektrischen Verbraucheranlagen (PTE)

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K, T oder M - werden innerhalb der vom PPR-System festgelegten Fristen produziert.

Name des Tests	Art der Prüfung	Normen testen	Wegbeschreibung
25.1. Messung des Widerstandes der Wassersäule der Isoliereinlage	K, T oder M	Der Widerstand der Wassersäule (Ohm) in jedem der Einsätze muss mindestens 0,06 U betragen_ф×n; wo bist du_ф - Phasenspannung des Elektrodenkessels, V; n ist die Anzahl der Isoliereinsätze aller Kessel im Heizraum	Gemessen für Elektrodenkessel mit Spannungen über 1000 V
	K, T oder M	Nicht weniger als 200n	Gemessen für Elektrodenkessel bis 1000 V
25.2. Messen des spezifischen Widerstands von Speisewasser (Leitungswasser).	K, M.	Bei 20 °C müssen die vom Hersteller angegebenen Grenzen eingehalten werden	Gemessen bei Elektrodenkesseln vor der Inbetriebnahme und beim Wechsel der Wasserversorgungsquelle sowie bei Versorgung aus offenen Behältern – mindestens viermal im Jahr
25.3. Netzfrequenz-Überspannungsprüfung:	К	Testdauer - 1 min.	-
1) Isolierung des Kesselkörpers zusammen mit vom Wasser befreiten Isoliereinsätzen		Siehe Tabelle. 5 (Anlage 3.1)	-
2) Isoliereinsätze		Erzeugt durch die doppelte Nennphasenspannung	-
25.4. Kesselisolationswiderstandsmessung ohne Wasser	К	Nicht weniger als 0,5 MOhm, es sei denn, der Hersteller schreibt höhere Anforderungen vor	Gemessen in der Position der Elektroden bei maximaler und minimaler Leistung im Verhältnis zum Körper mit einem Megaohmmeter für eine Spannung von 2500 V
25.5. Überprüfung der Funktion der Sicherheitsausrüstung des Kessels	K, T, M	Hergestellt gemäß den örtlichen und Herstelleranweisungen

Siehe andere Artikel Abschnitt Regeln für den technischen Betrieb von elektrischen Verbraucheranlagen (PTE).

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Dies kann durch die Unvollkommenheit der Technologie zum Züchten von ultrareinen Diamantscheiben behindert werden, was zu einer Herausforderung für Wissenschaftler geworden ist. Die Japaner nahmen die Herausforderung an und konnten eine interessante Lösung für das Problem finden.

Wenn an irgendeiner Stelle des Diamantkristallgitters eines der Kohlenstoffatome durch ein Stickstoffatom ersetzt (gebunden) ist, dann wird eine solche Verletzung der Diamantkristallstruktur eine stickstoffsubstituierte Leerstelle im Diamant oder ein NV-Zentrum genannt. Ein solcher Punktdefekt hat Quanteneigenschaften, die durch Licht, Magnetfelder oder andere Einflüsse auch bei Raumtemperatur leicht kontrolliert werden können. Insbesondere kann das NV-Zentrum zur Aufzeichnung und Speicherung von Daten verwendet werden.

Ein Merkmal von Diamantstrukturen mit NV-Zentren ist, dass nicht zu viel Stickstoff vorhanden sein sollte. Für den praktischen Einsatz von Diamantdatenträgern ist es daher erforderlich, entweder sehr große Scheiben mit zulässigen Stickstoffverunreinigungen herzustellen (Stickstoff sozusagen großflächig zu „verschmieren“) oder reinste Diamanten mit streng kontrollierter Menge zu züchten von Verunreinigungen, was technisch viel schwieriger ist.

Bisher haben hochreine Diamanten kaum eine Fläche von 4 mm2 überschritten, was extrem klein ist. Japanischen Forschern der Saga University und der japanischen Adamant Namiki Precision Jewellery ist es jedoch gelungen, eine Technologie zu entwickeln, mit der ultrareine Diamantwafer mit einem Durchmesser von 2 cm (5 Zoll) gezüchtet werden können. Theoretisch kann jede dieser Discs bis zu 25 EB an Daten speichern, was der Aufzeichnung einer Milliarde 25-GB-Blu-Ray-Discs auf einem Diamond-Medium entspricht.

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