|
Arabic
Bengali
Chinese
English
French
German
Hebrew
Hindi
Italian
Japanese
Korean
Malay
Polish
Portuguese
Spanish
Turkish
Ukrainian
Vietnamese
ENZYKLOPÄDIE DER FUNKELEKTRONIK UND ELEKTROTECHNIK UMZCH mit induktiver Korrektur. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik
Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Transistor-Leistungsverstärker Ein Merkmal dieses UMZCH ist die induktive Korrektur der Verstärkereingangsstufe sowie ein symmetrischer Aufbau. Der Leistungsverstärker, dessen Schaltung in Abb. dargestellt ist. 1, enthält fast eine Spannungsverstärkungsstufe (Transistoren VT5, VT6) und einen dreistufigen Stromverstärker (VT7-VT12) mit einem symmetrischen. Struktur, die bei einer Nennlast mit einem Widerstand von 4 Ohm eine Leistung von mindestens 70 Watt liefert. Mit einer solchen Schaltungslösung konnten sehr gute Transienteneigenschaften und ein breites VD11-Band erzielt werden. Übertragung. Nach Angaben des Autors und anderer Teilnehmer der Vergleichsproben reproduziert der Verstärker Schlaginstrumente und komplexe Klänge (z. B. Chormusik) sehr sauber und natürlich.
Die Spannungsverstärkungsstufe ist ein herkömmlicher Kaskodenverstärker (OE-OB-Strukturen), nur in symmetrischer Ausführung. Es wird durch einen FET-Eingangsfolger ergänzt, der die Anforderungen an Vorspannungsschaltungen der Eingangsstufe reduziert. Seine Temperaturstabilisierung wird durch den gemeinsamen Betrieb der Dioden VD3-VD6 und VD8-VD11 gewährleistet. Die Phasenfrequenzkorrektur im Verstärker erfolgt durch einen lokalen OOS – eine Induktivität L1, die in den Emittern der Eingangstransistoren enthalten ist, und einen Widerstand R12. Die Induktivität in der Eingangsstufe spielt eine wichtige Rolle bei der Beseitigung von Intermodulationsverzerrungen bei Vorhandensein von Obertönen und Hochfrequenzkomponenten im Signal [1]. Versuche, den Verstärker auf andere Weise zu korrigieren, führen zu einer Verschlechterung des Klangs – Transparenz und Lautstärke werden spürbar reduziert. Allerdings hat diese Korrekturmethode den Nachteil, dass die Spule empfindlich gegenüber magnetischen Störungen ist. Daher ist es wünschenswert, es auf einen ringförmigen Magnetkreis zu wickeln oder abzuschirmen (beides ist besser). In dieser Kaskade müssen zwei Elemente installiert werden – die Widerstände R15 und R18. Ohne sie wird der Verstärker erregt und die Endstufentransistoren können ausfallen. Und ohne das OOS geht das noch schneller als damit. Um die Vorspannungsschaltungen und die Temperaturstabilisierung der Ausgangstransistoren zu vereinfachen, ist der Stromverstärker mit Stromentlastung der Ausgangsstufe ausgestattet: Die Transistoren VT11, VT12 arbeiten mit Abschaltung (in Klasse C), aber das vorherige Transistorpaar arbeitet direkt an der Last durch einen sehr geringen Widerstand der Widerstände R20, R21 (1 Ohm) und eliminiert somit Schaltverzerrungen vollständig. Dieser Aufbau der Kaskade ermöglicht es Ihnen, eine herkömmliche Zenerdiode in der Vorspannungsschaltung (VD7) zu verwenden (deren TKN beträgt etwa -0,11 %/°C) und müssen sich keine Gedanken über die Stabilisierung des Stroms der Ausgangstransistoren machen. Darüber hinaus sind auch die Frequenzeigenschaften hoch, da die Basis-Emitter-pn-Übergänge der Ausgangstransistoren durch Widerstände überbrückt werden und die Kapazitäten der Übergänge schnellstmöglich wieder aufgeladen werden. Strukturell ist der Verstärker auf einer Leiterplatte aufgebaut, mit Ausnahme der Ausgangstransistoren (VT7-VT12), die ohne zusätzliche Isolierung auf Strahlern platziert sind. Die Heizkörper selbst müssen isoliert sein. Als Induktivität L1 (400 μH) verwendete der Autor zwei in Reihe geschaltete Hochfrequenzdrosseln DPM-0,1 mit einer Induktivität von 200 μH. Zusätzlich zu den im Diagramm angegebenen Elementen können im UMZCH folgende Details verwendet werden: VT3, VT4 - Transistoren KT972B, KT973B; VT9, VT10 - KT819V, KT818V; VT11, VT12 - KT8101B, KT8102B; VD1, VD2 – KS175A; VD3-VD6, VD8-VD11 – KD522-Serie oder andere ähnliche. Die Auswahl eines Paares komplementärer Feldeffekttransistoren VT1, VT2 erfolgt separat wie folgt. Der Source-Schaltkreis von jedem von ihnen (zwischen den Source- und Gate-Anschlüssen) umfasst zwei Siliziumdioden mit geringer Leistung (in Durchlassrichtung), die als Vorspannungsquelle dienen; Im Drain-Kreislauf ist ein Milliamperemeter enthalten. Bei Anlegen einer Versorgungsspannung im Bereich von 4 ... 9 V (entsprechend dem Aufbau des Transistors mit Polarität) wird der Drain-Strom gemessen. Geeignet ist ein Transistorpaar mit einem Ruhestrom von 1 ... 2 mA und einer Stromdifferenz von maximal 15 %, wobei die Nullstellelemente am Ausgang (R2, R3) den Einsatz von Transistorpaaren mit a ermöglichen größerer Unterschied in den Strömen. Passen Sie den UMZCH an, indem Sie den Widerstand R5 auswählen, bis für die VT5-VT6-Transistoren im warmen Zustand ungefähr der gleiche Strom (jeweils 3 ... 6 mA) erhalten wird. In diesem Fall ist es notwendig, mit einem Abstimmwiderstand R3 den minimalen Offset gegenüber der gemeinsamen Leitung am Ausgang des Verstärkers einzustellen. In der ersten Stufe ist es besser, die Basen der Transistoren VT9, VT10 von den Emittern VT7, VT8 zu trennen und sie an den Ausgang des Verstärkers anzuschließen oder die Kollektorstromkreise VT9-VT12 auszuschalten. Der Ruhestrom der Transistoren VT7, VT8 beträgt in diesem Fall etwa 10 ... 13 mA. Danach müssen Sie den Spannungsabfall an der Zenerdiode VD7 überprüfen. Es ist wünschenswert, dass er etwas unter dem Normalwert liegt und näher bei 3 V liegt (wählen Sie eine Zenerdiode). Stellen Sie dann durch Ausschalten der Stromversorgung die ursprünglichen Verbindungen wieder her und prüfen Sie nach Anlegen der Versorgungsspannung den Ruhestrom der Transistoren VT9, VT10. Er sollte innerhalb von 150 ... 200 mA liegen. Bei starker Erwärmung dieser Transistoren (aufgrund des höheren Stroms) empfiehlt es sich, die Widerstände R20, R21 mit großem Widerstand einzubauen. Um die notwendige Vorspannung zu erzeugen, ist es auch möglich, ein einstellbares Analogon einer Zenerdiode nach einem aus vielen Veröffentlichungen bekannten Schema zu verwenden. Ist der Aufbau eines Verstärkers mit Feldeffekttransistoren nicht möglich, kann die Eingangsstufe mit einem Operationsverstärker aufgebaut werden (Abb. 2). Bei dieser Modifikation des UMZCH in der Ausgangsstufe wird der Widerstandswert der Widerstände R20, R21 auf 3 ... 4 Ohm erhöht. Die Arbeitsqualität eines solchen Verstärkers ist etwas schlechter, aber sein „Klang“ ist immer noch viel besser als der des UMZCH mit ähnlichem Aufbau aus [2]. Zudem ist es absolut stabil, während sich der erwähnte Prototyp nur schwer „beruhigen“ lässt.
Der Autor behandelt elektronische Geräte zum Schutz vor Ausfällen von leistungsstarken Verstärkertransistoren aufgrund der Komplexität des Lastwiderstands mit einer gewissen Voreingenommenheit und beschränkte sich daher darauf, in den Stromkreisen für jeden der beiden Verstärker nur flinke 5-A-Sicherungen einzubauen die Stromversorgung. Die Gleichrichter für jeden Stereoverstärkerkanal müssen separat sein und die Kapazität der Filterkondensatoren sollte mindestens 10 uF betragen. Nach der Anpassung werden folgende Verstärkerparameter bereitgestellt: Nennleistung bei einer Last von 4 Ohm - mindestens 70 W, verstärktes Frequenzband - 20 ... 20 Hz, harmonische Verzerrung - nicht mehr als 000 %. Die Nenneingangsspannung beträgt etwa 0,01 V, aber durch Erhöhen des Widerstandswerts des Widerstands R2 kann die Empfindlichkeit des UMZCH erhöht werden. Die Leiterplatte (Abb. 3) eignet sich gut für den Einbau auf einem Kühlkörper eines Tonbandgeräts Elfa-203-3, und diesen Stereoverstärker habe ich im Gehäuse dieses Tonbandgeräts zusammengebaut.
Die Transistoren VT9, VT10 sind auf einem Kühlkörper installiert, der die Rückwand des Gehäuses darstellt, an der die Platine befestigt ist. Die Transistoren VT11, VT12 sind auf einem anderen Kühlkörper installiert (es wurde ein fertiger Verstärker vom Typ Vega 50U-122C verwendet). Die Länge der Verbindungsdrähte von der Platine zu den Ausgängen leistungsstarker Transistoren sollte minimal sein. Um Störungen an Induktivitäten zu reduzieren, ist es sinnvoll, diese in Abschirmgehäusen zu platzieren, beispielsweise aus alten K50-6-Oxidkondensatoren entsprechender Größe. Auf der Platine ist es an einigen Stellen erforderlich, Drahtbrücken zu installieren (dargestellt durch eine gestrichelte Linie). Das Debuggen der Betriebsart des Verstärkers und das Anpassen des Ruhestroms der Ausgangsstufe sollten vor dem Einbau der Platine in das Gerätegehäuse erfolgen. Zur besseren „Entkopplung“ der UMZCH-Kanäle werden die Gleichrichter der Stromversorgung getrennt ausgeführt (auch die Sekundärwicklungen müssen getrennt sein). Im Stromkreis sind Sicherungen eingebaut, die den UMZCH im Falle eines Kurzschlusses der Last schützen sollen. Literatur
Autoren: V.Levitsky, Drochia, Moldawien, I.Beloborodov, Nowosibirsk
Maschine zum Ausdünnen von Blumen im Garten
02.05.2024 Fortschrittliches Infrarot-Mikroskop
02.05.2024 Luftfalle für Insekten
01.05.2024
▪ Biohybrider Fisch aus menschlichen Herzzellen ▪ Metallisches Eisen steigt aus den Tiefen des Meeres auf ▪ Nanodrähte mit drei Atomen Durchmesser ▪ Pilze können die Menschheit retten
▪ Abschnitt der Website Tipps für Funkamateure. Artikelauswahl ▪ Artikel Quellen der Verschmutzung der Hydrosphäre. Grundlagen des sicheren Lebens ▪ Artikel Welche Stadt nutzt noch das Rohrpostsystem? Ausführliche Antwort ▪ Artikel Motherwort Herz. Legenden, Kultivierung, Anwendungsmethoden ▪ Artikel Und wieder Silberwasser. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik ▪ Artikel Winddamm. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik
Startseite | Bibliothek | Artikel | Sitemap | Site-Überprüfungen
www.diagramm.com.ua |
Siehe andere Artikel Abschnitt 
Neueste Nachrichten aus Wissenschaft und Technik, neue Elektronik:
Alle Sprachen dieser Seite