Unijunction-Transistoren der KT133-Serie. Vergleichsdaten

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Unijunction-Transistoren der KT133-Serie. Vergleichsdaten

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Die Silizium-Unijunction-Transistoren mit n-Basis KT133A und KT133B sind für den Betrieb in Zeitverzögerungseinheiten, Spannungswandlern, elektrischen Schwingungsgeneratoren, Thyristorsteuergeräten und anderen Geräten konzipiert, bei denen ein Element mit Relaiseigenschaften erforderlich ist.

Die Geräte werden in Epitaxie-Planar-Technologie hergestellt. Sie sind in einem Kunststoffgehäuse KT-26 (Abb. 1) untergebracht, das Gewicht des Gerätes beträgt nicht mehr als 0,3 s. Ausländische Analoga der Transistoren KT133A, KT133B sind 2N4870 bzw. 2N4871.

Unijunction-Transistoren der KT133-Serie

Elektrische Haupteigenschaften bei Tacr avg = 25°C

Leckstrom des Emitterübergangs, µA, nicht mehr, bei umgekehrter Emitter-Basis-Spannung2 30 V und Null-Basisstrom1......1
Talstrom, mA, nicht weniger, bei einer Basis1-Basis2-Spannung von 20 V, einem Widerstandswiderstand im Emitterkreis von 100 Ohm, einer Impulsdauer von 6 μs oder weniger mit einem Arbeitszyklus von 50 z
KT133A......2
KT133B......4
Übertragungskoeffizient bei Spannung Basis1-Basis2 10 V für KT133A......0,56...0,75
KT133B......0,75...0,85
Die höchste erzeugte Frequenz, Hz......220
Einschaltstrom*, µA, nicht mehr, bei Basis1-Basis2-Spannung 25 V......5
Modulationsstrom*, mA, bei Basis1-Basis2-Spannung 10 V und Emitterstrom 50 mA......15...65
Restspannung*, V, mit Basis1-Basis2-Spannung 3 V und Emitterstrom 50 mA......0,7...2,5
Basis-zu-Basis-Widerstand*, kOhm, bei Basis1-Basis2-Spannung 3 V und einem Emitterstrom von Null .....4...9,1
Temperaturkoeffizient des Zwischenbasiswiderstands*, %/°С, nicht mehr, bei Basis1-Basis2-Spannung 3 V, Null-Emitterstrom und Umgebungstemperatur im Bereich -60...+125°С 0,1...0,9
Impulsspannung der Basis 1*, V, nicht mehr, mit einem Widerstand der Widerstände in den Schaltkreisen baey1 20 Ohm, Basis2 - 100 Ohm, Emitter - 10 kOhm, Kapazität des Kondensators im Emitterkreis 0,2 μF und Spannung Basis1-Basis2 20 V für KT133A.. ....3
KT133B.......5
Wärmewiderstand Übergangsumgebung, °С/W, nicht mehr......333

* Referenzparameter.

Grenzwerte

Die höchste Spannung Basis1-Basis2 (Zwischenbasisspannung), V ...... 35
Maximale Sperrspannung Emitter-Basis2, V......30
Der höchste Gleichstrom des Emitters eines offenen Transistors, mA......50
Der höchste Impulsstrom des Emitters, A. mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 10 μs und einem Arbeitszyklus von mindestens 100......1,5
Maximale konstante Verlustleistung, mW......300
Die höchste Übergangstemperatur, ° С ...... 135
Grenzen der Betriebsumgebungstemperatur, °C... -60...+125

Die Eingangsstrom-Spannungs-Kennlinie eines Unijunction-Transistors ist in Abb. dargestellt. 2. Der Schaltstrom Ion eines Geräts wird üblicherweise als Wert des Emitterstroms bezeichnet, bei dem ein Übergang von einem geschlossenen Zustand in einen offenen Zustand erfolgt. Der Talstrom Id ist der Wert des Emitterstroms, der dem Punkt der Strom-Spannungs-Kennlinie mit minimaler Spannung und Null-Differenzwiderstand entspricht.

Der Leckstrom des Emitterübergangs Iebo ist der Strom durch den Emitterübergang, der relativ zur Basis in Sperrrichtung vorgespannt ist2. Zwischenbasiswiderstand RB1B2 – Widerstand zwischen den Basen des Transistors bei einer bestimmten Zwischenbasisspannung. Der Übertragungskoeffizient r] ist das Verhältnis der maximal möglichen Emitterspannung abzüglich des Spannungsabfalls am pn-Übergang zur angelegten Zwischenbasisspannung.

Die Restspannung UBEnas ist die Durchlassspannung am Emitter bei einem gegebenen Emitterstrom und einer gegebenen Basis-zu-Basis-Spannung. Die maximal zulässige Spannung zwischen den Basen UБ1Б2max ist der maximale Wert der Spannung beliebiger Form und Frequenz zwischen den Basen, bei dem die angegebene Zuverlässigkeit gewährleistet ist.

Die maximal zulässige Sperrspannung Emitter-Basis2 UEB2 ist der Maximalwert der Sperrspannung des Emitterübergangs relativ zur Basis2. Der Modulationsstrom Imod ist der minimale Strom im Basis2-Kreis bei einer gegebenen Zwischenbasisspannung und einem gegebenen Emitterstrom.

Da Transistoren der KT133-Serie im gleichen Gehäuse wie die KT6113-Serie gefertigt werden (siehe oben), sind ihre Einbaumerkmale gleich.

Unijunction-Transistoren der KT133-Serie

Die wichtigsten grafischen typischen Abhängigkeiten der Parameter der Transistoren KT133A, KT133B von der Umgebungstemperatur sind in Abb. dargestellt. 3-5

Autor: V. Kiselev, Minsk, Weißrussland

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