Feldeffekttransistoren der Serie KP727. Vergleichsdaten

Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Referenzmaterialien

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Die leistungsstarken Silizium-Feldeffekttransistoren KP727A und KP727B mit isoliertem Gate, angereichert mit einem n-Kanal und einer eingebauten, umgekehrt geschalteten Schutzdiode werden in planarer Epitaxietechnologie hergestellt. Sie sind für den Einsatz in Sekundärstromversorgungen, in Reglern, Stabilisatoren und Spannungs- und Stromwandlern mit kontinuierlicher und gepulster Steuerung, in Elektromotorantriebseinheiten und anderen Ausrüstungsgeräten für breite Anwendung konzipiert.

Die Transistoren sind in einem Kunststoffgehäuse KT-28 (TO-220) mit gestanzten starren verzinnten Anschlüssen und einem wärmeableitenden Metallflansch mit Montageloch untergebracht (Abb. 1). Die Masse des Geräts beträgt nicht mehr als 2,5 g. Ausländische Analoga von Transistoren: KP727A - BUZ71, KP727B - IRFZ34.

Haupteigenschaften bei Tacr.av = 25°C

• Schwellen-Gate-Source-Spannung, V, bei einem Drain-Strom von 0,25 mA und den gleichen Gate-Source- und Drain-Source-Spannungen für KP727A......2,1...4
• KP727B......2...4
• Drain-Pulsstrom, A, nicht weniger, mit einer Pulsdauer von weniger als 300 μs und einem Tastverhältnis von mehr als 50, bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V für KP727A (Drain-Source-Spannung 2 V)..... . 14
• KP727B(1,8V)......30
• Drain-Source-Widerstand eines offenen Transistors, Ohm, nicht mehr, mit einer Impulsdauer von weniger als 300 μs und einem Tastverhältnis von mehr als 50, bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V für KP727A (Drain-Strom 9 A). ..... 0,1
• KP727B(18A)......0,05
• Rest-Drain-Strom, µA, nicht mehr, bei maximaler Drain-Source-Spannung und Null Gate-Source-Spannung ...... 25
• Gate-Leckstrom, µA, nicht mehr, bei Gate-Source-Spannung +20 V und Null Drain-Source-Spannung ...... ± 0,1
• Die Steigung der Kennlinie, A/V, nicht geringer, bei einer Impulsdauer von weniger als 300 μs und einem Tastverhältnis von mehr als 50, bei einer Drain-Source-Spannung von 25 V für KP727A (Drain-Strom 9 A). .... 4
• KP727B(18A)......9,3
• Konstante Durchlassspannung an einer offenen Schutzdiode, V, nicht mehr, mit einer Impulsdauer von weniger als 300 μs und einem Arbeitszyklus von mehr als 50, bei einer Gate-Source-Spannung von Null für KP727A (Strom durch die Diode 28 A). .... 1,8
• KP727B(30A)......1,6
• Wärmewiderstand-Übergangsgehäuse, °C/W max, für KP727A......3,1
• KP727B ...... 1,7
• Wärmewiderstandsübergang - Umgebung, °C / W, nicht mehr ...... 62
• Einschaltzeit*, µs, nicht mehr, bei einer Drain-Source-Spannung von 30 V, einem Drain-Strom von 30 A und einem Ausgangswiderstand der Messsignalquelle von 9,1 Ohm.......0,14
• Abschaltzeit*, µs, nicht mehr, bei einer Drain-Source-Spannung von 30 V, einem Drain-Strom von 30 A und einem Ausgangswiderstand der Messsignalquelle von 9,1 Ohm ...... 0,12
• Eingangskapazität*, pF, nicht mehr, bei Gate-Source-Spannung Null und Drain-Source-Spannung von 25 V bei einer Frequenz von 1 MHz ...... 1600
• Ausgangskapazität*, pF, nicht mehr, bei Gate-Source-Spannung Null und Drain-Source-Spannung von 25 V bei einer Frequenz von 1 MHz ...... 800
• Kapazität*, pF, nicht mehr, bei Gate-Source-Spannung Null und Drain-Source-Spannung von 25 V bei einer Frequenz von 1 MHz ..... 195

* Referenzparameter.

Betriebsgrenzen

• Die höchste Drain-Source-Spannung, V, für KP727A......50
• KP727B ...... 60
• Maximale Gate-Source-Spannung, V ...... ± 20
• Der höchste Gleichstrom, A, bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C für KP727A … 14
• KP727B ...... 30
• Der höchste gepulste Drainstrom, A, bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C für KP727A … 56
• KP727B ...... 120
• Die höchste konstante Verlustleistung, W, bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C für KP727A......40
• KP727B ...... 88
• Der höchste Wert des statischen Potentials, V.....200**
• Betriebstemperaturbereich, °С......-55...+150

** III-Steifigkeitsgrad nach OST 11073.062.

Der Betrieb von Transistoren mit zwei oder mehr Grenzwerten von Parametern ist verboten. Um die Zuverlässigkeit der Geräte zu verbessern, sollten die Parameterwerte 70 % des maximal zulässigen Werts nicht überschreiten.

Das einmalige Biegen der Leitungen ist nicht näher als 5 mm vom Körper entfernt mit einem Biegeradius von mindestens 1,5 mm zulässig, und die Biegelinie muss in der Ebene der Leitungen liegen. Beim Beugen müssen Maßnahmen getroffen werden, um eine Kraftübertragung auf den Körper zu verhindern. Schlussfolgerungen können nicht verdreht werden.

Der Abstand vom Gehäuse zur Löt- und Verzinnungsstelle sollte nicht weniger als 5 mm betragen. Löttemperatur – nicht höher als 265°C, Lötzeit – nicht mehr als 4 s, Verzinnen – 2 s.

Um den Wärmewiderstand des Transistorgehäuse-Kühlkörpers zu verringern, wird die Verwendung spezieller Pasten empfohlen, beispielsweise KPT-8 gemäß GOST 19783. In Fällen, in denen sich unter dem Gehäuse eine Isolierdichtung befinden sollte, muss deren Wärmewiderstand berücksichtigt werden berücksichtigen.

Auf Abb. 2, a und b zeigen typische Abhängigkeiten des Drain-Stroms von Transistoren von der Drain-Source-Spannung bei normaler Gehäusetemperatur und in Abb. 3, a und b - von der Gate-Source-Spannung bei zwei Werten der Sperrschichttemperatur.

Auf Abb. 4 zeigt die normalisierte Temperaturabhängigkeit des Drain-Source-Widerstands eines offenen Transistors (Rsi.t25 ist das Verhältnis des aktuellen Werts des Drain-Source-Widerstands zum Wert dieses Widerstands bei einer Sperrschichttemperatur von 25 °C) und in Abb. 5 – typische Abhängigkeiten der Eingangs- (C11i), Ausgangs- (C22i) und Durchgangskapazität (C12i) von Transistoren von der Drain-Source-Impulsspannung.

Reis. Die Figuren 6a und XNUMXb verdeutlichen die Abhängigkeit der Spannung an den Anschlüssen des Transistorkanals vom Strom durch diese Anschlüsse, der in Vorwärtsrichtung für die Schutzdiode fließt. Der Hauptanteil dieser Spannung ist der Spannungsabfall an der offenen Schutzdiode.

Autor: V. Kiselev

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