Feldeffekttransistoren der Serie KP737. Vergleichsdaten

Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Referenzmaterialien

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Die leistungsstarken Silizium-Feldeffekttransistoren KP737A-KP737V mit isoliertem Gate, angereichert mit einem n-Kanal und einer eingebauten, in Sperrrichtung vorgespannten Schutzdiode werden in planarer Epitaxietechnologie hergestellt. Die Geräte sind für den Einsatz in transformatorlosen Sekundärstromversorgungen, Stabilisatoren und Spannungswandlern mit kontinuierlicher und gepulster Steuerung, in Steuergeräten für Elektromotoren und anderen Komponenten elektronischer Geräte für ein breites Anwendungsspektrum konzipiert.

Die Transistoren sind in einem Kunststoffgehäuse KT-28 (TO-220) mit hartgeprägten verzinnten Anschlüssen verpackt. Die Masse des Geräts beträgt nicht mehr als 2,5 g. Aufgrund des Gehäusedesigns, des Schemas der internen Verbindungen und der Pinbelegung ähneln sie den Transistoren der KP727-Serie (siehe „Radio“, 2002, Nr. 1, S. 46 - 48).

Ausländische funktionelle Analoga: KP737A – IRF630, KP737B – IRF634, KP737V – IRF635.

Hauptmerkmale bei Tacr avg =25°C

• Gate-Source-Schwellenspannung, V, mit angeschlossenem Drain und Gate- und Drain-Strom 0,25 mA......2...4
• Drainstrom, A, nicht weniger, mit einer Impulsdauer von weniger als 300 μs, einem Tastverhältnis von mehr als 50 und einer Gate-Source-Spannung von 10 V für KP737A (bei einer Drain-Source-Spannung von 4 V).... .. 9
• KP737B(4V)......8,1
• KP737V (4,8 V)......6,5
• Offener Kanalwiderstand, Ohm, nicht mehr, mit einer Pulsdauer von weniger als 300 μs, einem Tastverhältnis von mehr als 50 und einer Gate-Source-Spannung von 10 V für KP737A (bei einem Drain-Strom von 5,4 A).... .. 0,4
• KP737B(5,1A)......0,45
• KP737V(4,1A)......0,68
• Rest-Drain-Strom, μA, nicht mehr, bei maximaler Drain-Source-Spannung und Null-Gate-Source-Spannung ...... 250
• Gate-Leckstrom, nA, nicht mehr, bei Gate-Source-Spannung ±20 V und Null Drain-Source-Spannung ...... ±100
• Die Steigung der Strom-Spannungs-Kennlinie, A/V, nicht kleiner, mit einer Impulsdauer von weniger als 300 μs, einem Tastverhältnis von mehr als 50 und einer Drain-Source-Spannung von 25 V für KP737A (bei einem Drain-Strom von 5,4 A)...... 3,8
• KP737B(5,1A)......3,6
• KP737V(4,1A)......2,9
• Konstante Durchlassspannung an der Schutzdiode (mit umgekehrter Drain-Source-Spannung), V, nicht mehr, mit einer Impulsdauer von weniger als 300 μs, einem Arbeitszyklus von mehr als 50, einer Gate-Source-Spannung von Null und dem maximalen Absolutwert des Stroms durch den Drain-Ausgang...... 2
• Wärmewiderstand Übergangsgehäuse, °С/W, max......1,7
• Wärmewiderstand Übergangsumgebung, °С/W, nicht mehr......62
• Sperrverzögerungszeit der Schutzdiode, nicht (typischer Wert), bei einer Impulsdauer von weniger als 300 μs, einem Arbeitszyklus von mehr als 50, einem Durchlassstrom von 5,9 A und einer Stromabfallrate von 100 A/μs für KP737A ...... 340
• KP737B ...... 380
• KP737V......390
• Einschaltzeit*, nicht (typisch), 300 µs oder weniger, 50 oder mehr Arbeitszyklen, 100 V Drain-zu-Source, 5,9 A Drain-zu-Drain, 16 Ω Drain-zu-Source und 12 Ω Signalquellen-Ausgangsimpedanz für KP737A. .....41
• KP737B, KP737V......48
• Ausschaltzeit*, nicht (typisch), bei 300 ms oder weniger Impulsbreite, 50 Arbeitszyklen oder mehr, 100 V Drain-Source-Spannung, 5,9 A Drain-Strom, 16 Ohm Drain-Source-Widerstand und 12 Ohm Signal Quellenausgangsimpedanz für KP737A......59
• KP737B, KP737V......62
• Eingangskapazität*, pF, nicht mehr, bei Gate-Source-Spannung Null, Drain-Source-Spannung 25 V und Frequenz 1 MHz ...... 1300
• Ausgangskapazität*, pF, nicht mehr, bei Gate-Source-Spannung Null, Drain-Source-Spannung 25 V und Frequenz 1 MHz ...... 360
• Kapazität*, pF, nicht mehr, bei Gate-Source-Spannung Null, Drain-Source-Spannung 25 V und Frequenz 1 MHz ...... 120

*Referenzparameter

Grenzwerte

• Die höchste Drain-Source-Spannung für KP737A ...... 200
• KP737B, KP737V......250
• Maximale Gate-Source-Spannung, V......20
• Der höchste Gleichstrom, A, bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C für KP737A … 9
• KP737B ...... 8,1
• KP737V......6,5
• Der höchste gepulste Drainstrom, A, bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C für KP737A......36
• KP737B ...... 32
• KP737V......26
• Die höchste konstante Verlustleistung, W, bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C......74
• Die höchste Übergangstemperatur, ° С ...... 150
• Betriebsbereich Umgebungstemperatur, °С -55...+125
• Der höchste zulässige Wert des statischen Potentials beträgt 200 V (Steifigkeitsgrad III gemäß OST 11073.062).

Die Bedingungen für den Einbau von Transistoren in Geräte müssen OST 11336.907.0 entsprechen. Es ist nicht erlaubt, Transistoren bei Grenzwerten von zwei oder mehr kombinierten Parametern zu verwenden. Zur Verbesserung der Zuverlässigkeit wird empfohlen, die Geräte mit Parameterwerten zu betreiben, die 70 % der Grenzwerte nicht überschreiten.

Bei der Installation ist ein einmaliges Biegen der Leitungen nicht näher als 5 mm vom Gehäuserand zulässig, der Biegeradius beträgt mindestens 1,5 mm. Die Faltlinie muss in der Ebene der Stifte liegen. Schlussfolgerungen können nicht verdreht werden. Beim Beugen müssen Maßnahmen getroffen werden, um die Kraftübertragung auf den Körper zu verhindern. -

Der Abstand vom Gehäuse zur Verzinnungs- und Lötstelle der Leitungen darf nicht weniger als 5 mm betragen. Löttemperatur – nicht mehr als 265 °C, Verzinnungszeit – nicht mehr als 2 s, Lötzeit – nicht mehr als 4 s.

Um den Wärmewiderstand des Gehäuse-Kühlkörpers zu verringern, wird empfohlen, die Kontaktstelle mit wärmeleitenden Schmiermitteln oder Pasten abzudecken, beispielsweise KPT-8 gemäß GOST 19783. Wenn sich darunter eine isolierende Dichtung befindet des Transistors muss dessen thermischer Widerstand berücksichtigt werden.

Typische grafische Abhängigkeiten der Parameter der Transistoren KP737A - KP737V sind in Abb. 1 dargestellt. 7-XNUMX.

Auf Abb. In Abb. 1a zeigt die Abhängigkeiten des Drain-Stroms von der Drain-Source-Spannung bei verschiedenen Werten der Spannung zwischen Gate und Source und der normalen Gehäusetemperatur, und in Abb. 1,b – die gleichen Abhängigkeiten bei einer Gehäusetemperatur von 1505 °C.

Die typische Übertragungscharakteristik der Geräte bei zwei Gehäusetemperaturen ist in Abb. dargestellt. 2.

Die normalisierte Temperaturabhängigkeit des Widerstands des offenen Kanals ist in Abb. dargestellt. In Abb. 3 sind typische Abhängigkeiten der Eingangs-, Ausgangs- und Durchgangskapazität von der Drain-Source-Spannung dargestellt. 4. Wenn sich der Transistorkörper erwärmt, muss der maximale Drainstrom gemäß der Grafik in Abb. reduziert werden. 5.

Eine typische Abhängigkeit der Gate-Kapazitätsladung von der Gate-Source-Spannung ist in Abb. dargestellt. 6.

Die Fähigkeiten der eingebauten Schutzdiode sind in Abb. dargestellt. 7, wobei Ic der Strom durch den Drain-Anschluss des Transistors ist, wenn die Diode offen ist, und Upr der direkte Spannungsabfall über der Diode ist.

Autor: V. Kiselev

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