Ergänzende leistungsstarke Transistoren der Serien KT8115, KT8116. Vergleichsdaten

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Ergänzende leistungsstarke Transistoren der Serien KT8115, KT8116. Vergleichsdaten

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Die Silizium-Hochleistungs-Verbundtransistoren KT8115A – KTV115V (p-n-p-Strukturen) und KT8116A – KT8116V (n-p-n), hergestellt in Epitaxie-Planar-Technologie, sind für den Einsatz in den Endstufen von 3-Kanal-Verstärkern, in Spannungswandlern und anderen Geräten einer breiten Palette vorgesehen Anwendungen. Die Geräte sind in einem Kunststoffgehäuse KT-28 (TO-220) mit starren, gestanzten, verzinnten Anschlüssen untergebracht (Abb. 1). Das Gewicht des Geräts beträgt nicht mehr als 2,5 g.

Komplementäre Leistungstransistoren der Serien KT8115, KT8116

Ausländische Analoga: KT8115A - TIP127, KT8115B - TIP126, KT8115B - TIP125, KT8116A - TIP122, KT8116B - TIP121, KT8116B - TIP120.

Haupteigenschaften bei Tacr.av = 25°C

Kollektor-Emitter-Grenzspannung, V, nicht weniger, mit einem Kollektorstrom von 100 mA und einem Basisstrom von Null für KT8115A, KT8116A......100
KT8115B, KT8116B......80
KT8115V, KT8116V......60
Rückwärtskollektorstrom, mA, nicht mehr, bei maximaler Kollektor-Basis-Spannung und Null-Emitterstrom......0,2
Kollektor-Emitter-Umkehrstrom, mA, nicht mehr, für KT8115A, KT8116A (bei Kollektor-Emitter-Spannung 50 V), KT8115B, KT8116B (40 V), KT8115V, KT8116V (30 V) .....0.5
Rückwärtsemitterstrom, mA, nicht mehr, bei einer Basis-Emitter-Spannung von 5 V und einem Kollektorstrom von Null......2
Statischer Basisstromübertragungskoeffizient, nicht kleiner, bei einer Kollektor-Emitter-Spannung von 3 V und einem Emitterstrom von 0,5 A und FOR......1000
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, V, nicht mehr, mit einem Kollektorstrom von 3 A und einem Basisstrom von 12 mA......2
5 A bzw. 20 mA......4
Basis-Emitter-Sättigungsspannung, V, nicht mehr, mit einem Kollektorstrom von 3 A und einem Basisstrom von 12 mA...... 2,5
Modul mit einem Basisstromübertragungskoeffizienten, nicht kleiner, bei einer Kollektor-Emitter-Spannung von 4 V, einem Kollektorstrom von 3 A und einer Frequenz von 1 MHz.....4
Wärmewiderstand Übergangsgehäuse, °С/W, max......1,92

Grenzwerte

Höchste Kollektor-Basis-Spannung, V, für KT8115A, KT8116A......100
KT8115B, KT8116B.....80
KT8115V, KT8116V......60
Höchste Kollektor-Emitter-Spannung, V, für KT8115A, KT8116A.....100
KT8115B, KT8116B......80
KT8115V, KT8116V......60
Die höchste Emitter-Basis-Spannung, V ...... 5
Der höchste DC-Kollektorstrom, A ...... 5
Der höchste Stoßkollektorstrom, A ...... 8
Der höchste Gleichstrom der Basis, A ...... 0,12
Die höchste konstante Verlustleistung des Kollektors, W, mit Kühlkörper......65
Die höchste Übergangstemperatur, ° С ...... 150
Betriebsbereich Umgebungstemperatur, °С -60...+125

Der zulässige Wert des statischen Potentials beträgt 2000 V (Härtegrad VI gemäß OST 11073.062). Bei Grenzwerten von zwei oder mehr Parametern ist der Einsatz von Transistoren nicht zulässig. Um die Zuverlässigkeit zu erhöhen, wird empfohlen, Geräte mit Parameterwerten von nicht mehr als 70 % der maximal zulässigen Werte zu betreiben.

Beim Einbau von Transistoren in ein unter Spannung stehendes Gerät muss zuerst der Basisanschluss angelötet und bei der Demontage zuletzt abgeklemmt werden. Es wird nicht empfohlen, Transistoren über den gesamten Betriebstemperaturbereich mit einem Betriebsstrom zu betreiben, der mit dem unkontrollierten Rückstrom der Übergänge vergleichbar ist.

Es ist nicht mehr als ein einmaliges Biegen der Leitungen zulässig. Der Biegepunkt sollte nicht näher als 5 mm vom Körper entfernt sein, der Biegeradius sollte mindestens 1,5 mm betragen. Beim Beugen müssen Maßnahmen getroffen werden, um die Kraftübertragung auf den Körper zu verhindern.

In Abb. Abbildung 2 zeigt eine typische Abhängigkeit des statischen Stromübertragungskoeffizienten der Transistorbasis und Abb. 3 - typische Abhängigkeiten der Kollektor-Emitter- und Basis-Emitter-Sättigungsspannung vom Kollektorstrom.

Komplementäre Leistungstransistoren der Serien KT8115, KT8116

Wenn die Temperatur des Transistorkörpers über +25 °C steigt, muss die vom Kollektor abgegebene Leistung gemäß der in Abb. gezeigten Kurve reduziert werden. 4.

Komplementäre Leistungstransistoren der Serien KT8115, KT8116

Reis. 5 definiert den Bereich des sicheren Betriebs von Transistoren im statischen und gepulsten Modus.

Komplementäre Leistungstransistoren der Serien KT8115, KT8116

Autor: V. Kiselev, Minsk

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