Leistungsstarke Mikrowellentransistoren von Philips Semiconductors. Vergleichsdaten

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Mikrowellentransistoren werden in vielen Bereichen menschlicher Aktivität verwendet: Fernseh- und Radiosender, Repeater, zivile und militärische Radargeräte, Basisstationen eines zellularen Kommunikationssystems, Avionik usw.

In den letzten Jahren war ein Trend beim Übergang von der Bipolartechnologie zur Herstellung von Mikrowellentransistoren hin zu den Technologien VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) und LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors) zu beobachten. Die fortschrittlichste LDMOS-Technologie hat die besten Eigenschaften wie Linearität, Verstärkung, thermische Bedingungen, Fehlanpassungstoleranz, hohe Effizienz, Verlustleistungsmarge, Zuverlässigkeit. Transistoren von Philips haben eine außergewöhnliche Reproduzierbarkeit von Charge zu Charge, und Philips ist stolz darauf. Beim Austausch ausgefallener Transistoren müssen Sie sich keine Gedanken über die erneute Einrichtung des Geräts machen, da alle Parameter der Transistoren absolut identisch sind. Damit kann sich keiner der Konkurrenten von Philips rühmen.

Alle Neuentwicklungen von Philips basieren auf der neuen modernen LDMOS-Technologie.

Transistoren für Mobilfunk-Basisstationen

Neben in Gehäusen verpackten Transistoren stellt Philips integrierte Module her.

Besonderheiten integrierter Module:

• LDMOS-Technologie (Löten direkt auf den Kühlkörper, Linearität, höhere Verstärkung), o geringere Verzerrungen,
• o geringere Erwärmung des Halbleiters durch Verwendung eines Kupferflansches, o integrierte Temperatur-Offset-Kompensation,
• 50 Ohm Ein-/Ausgänge,
• lineare Verstärkung,
• Unterstützung für viele Standards (EDGE, CDMA).

Empfohlene Lösungen für GSM-Standard: bei 800 MHz: BGF844 + BLF1049 bei 900 MHz: BGF944 + BLF1049 bei 1800 MHz: BGF1801-10 + BLF1820-10 bei 1900 MHz: BGF1901-10 + BLF1820-10

Empfohlene Lösungen für CDMA-Standard: bei 800 MHz: BGF802-20 + BLF0810-180 bei 1900 MHz: BGF1901-10 + BLF1820-90

Empfohlene Lösungen für den EDGE-Standard:

BGF0810-90

• Ausgangsleistung: 40W,
• Verstärkung: 16 dB,
• Wirkungsgrad: 37 %,
• Nachbarkanal-Leistungsdämpfung ACPR: -60 dB,
• EVM-Fehlervektoramplitude: 2 %.

BLF1820-90

• Ausgangsleistung: 40W,
• Verstärkung: 12 dB,
• Wirkungsgrad: 32 %,
• Nachbarkanal-Leistungsdämpfung ACPR: -60 dB,
• EVM-Fehlervektoramplitude: 2 %.

Transistoren für Rundfunkstationen

In den letzten 25 Jahren war Philips führend auf diesem Gebiet. Durch den Einsatz der neuesten Fortschritte in der LDMOS-Technologie (BLF1xx-, BLF2xx-, BLF3xx-, BLF4xx-, BLF5xx-Serie) können Sie Ihre Position auf dem Markt ständig stärken. Ein Beispiel ist der große Erfolg des Transistors BLF861 für TV-Sender. Im Gegensatz zu konkurrierenden Transistoren hat sich der BLF861 als äußerst zuverlässiges und äußerst stabiles Element erwiesen, das vor einem Ausfall geschützt ist, wenn die Antenne getrennt wird. Keiner der Konkurrenten konnte in Sachen Stabilität an die Eigenschaften des BLF861 heranreichen. Als Hauptanwendungsgebiete für solche Transistoren können wir nennen: Sender für Frequenzen von HF bis 800 MHz, private Funkstationen PMR (TETRA), UKW-Sender für zivile und militärische Zwecke.

Tabelle 5. L- und S-Band-Radartransistoren

 

Tabelle 6. Avionik-Transistoren

Die wichtigsten Eigenschaften des Transistors BLF861A

• Gegentakttransistor (Gegentaktverstärker),
• Ausgangsleistung über 150 W,
• Verstärkung über 13 dB,
• Wirkungsgrad über 50 %,
• deckt das Band von 470 bis 860 MHz ab (Bänder IV und V),
• zuverlässig, resistent gegen Mismatch,
• resistent gegen Antennentrennung,
• ist heute der Industriestandard bei TV-Sendern.

Neues Transistormodell BLF647

• entworfen basierend auf BLF861A,
• große Verstärkung von 16 dB bei 600 MHz,
• Ausgangsleistung bis 150 W,
• deckt das Band von 1,5 bis 800 MHz ab,
• zuverlässig, resistent gegen Mismatch,
• resistent gegen Antennentrennung,
• hat einen eingebauten Widerstand, mit dem Sie mit den Frequenzen HF und VHF arbeiten können,
• Gegentakttransistor (Gegentaktverstärker).

Transistor BLF872

• wird als leistungsstärkerer Ersatz für den BLF861A entwickelt,
• Produktionsstart 1. Quartal 2004,
• Ausgangsleistung bis 250 W,
• der zuverlässigste Transistor in Bezug auf die Widerstandsfähigkeit gegen Fehlanpassung,
• behält die Linearität bei,
• bewahrt Zuverlässigkeit,
• aktuelle Verschiebung Idq weniger als 10 % für 20 Jahre,
• mehr als 14 dB gewinnen,
• deckt das Band von 470 bis 860 MHz ab.

Transistoren für Radar und Avionik

Auch die neuen Philips Transistoren für Radar und Avionik werden mit modernster LDMOS-Technologie gefertigt. Mit LDMOS-Technologie hergestellte Kristalle erwärmen sich weniger, sind zuverlässiger, haben eine höhere Verstärkung und benötigen keinen Isolator zwischen dem Substrat und dem Kühlkörper. Dementsprechend sind weniger Transistoren erforderlich, um die gleiche Leistung zu erzielen, was die Zuverlässigkeit weiter verbessert und die Produktkosten senkt.

Neue Entwicklungen:

BLA0912-250

• Band von 960 bis 1250 MHz (alle wichtigen Avionikfrequenzen),
• hohe Verstärkung bis zu 13 dB,
• Zuverlässigkeit, Widerstand gegen Phasenfehlanpassung 5:1,
• Linearität,
• Muster sind ab Juni 2003 erhältlich.

BLS2934-100

• Band von 2,9 bis 3,4 GHz (alle wichtigen Avionikfrequenzen),
• Verwendung eines handelsüblichen drucklosen Gehäuses,
• Muster werden bis Ende 2003 verfügbar sein.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass Philips mit der Zeit geht und Transistoren anbietet, die neue Geräte mit besseren Eigenschaften ermöglichen: kleinere Größe, höhere Ausgangsleistung, weniger Rohrleitungskomponenten und niedrigere Endproduktkosten.

Autor: Vladimir Zakharov, zww@gamma.spb.ru; Veröffentlichung: cxem.net

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