Breitband-Leistungsverstärker auf Feldeffekttransistoren. Schema, Beschreibung

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Breitband-Leistungsverstärker auf Feldeffekttransistoren. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik

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Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / HF-Leistungsverstärker

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Leistungsverstärker mit Neutralisierung der Passkapazität des Transistors

Ein Single-Ended-Verstärker dieses Typs kann nur in der Klasse A betrieben werden. Seine Energieleistung ähnelt der von Single-Ended-Transformator-Niederfrequenzverstärkern. Der typische Wirkungsgradwert liegt normalerweise nicht über 35...40 % (in diesem Fall sind nichtlineare Verzerrungen, die hauptsächlich durch die zweite Harmonische verursacht werden, deutlich spürbar). Der Verstärker am Transistor VMP1 bei Uc=24 V liefert Pout=4 W bei Ku=15 dB und verstärkt das Frequenzband von 2 bis 150 MHz.

Abb.1 (zum Vergrößern anklicken)

T1 ist mit einer Verdrillung von zwei Drähten mit einem Durchmesser von 0.3 mm gewickelt und enthält 4 Windungen. Kerntyp F625-BQ2. Sie können einen Haushalts-HF-Ring mit geringer magnetischer Permeabilität verwenden.

Leistungsverstärker mit paralleler Gegenkopplungsschaltung

Diese Version des Verstärkers ohne Eingangsübertrager und ohne Neutralisierung der Durchgangskapazität SZS hat die halbe Bandbreite.

Breitband-Leistungsverstärker auf Basis von Feldeffekttransistoren
Ris.2

Verschiedene Versionen solcher Verstärker (je nach Ausführung der verwendeten Transformatoren und Transistoren) bieten eine Verstärkung Ku=12...30 dB in einem Frequenzband bis 300 MHz mit einer Rauschzahl von 3...5 dB.

Push-Pull-Breitband-Leistungsverstärker

Eine deutliche Verbesserung der Energieparameter von Breitband-PAs ist nur durch den Einsatz von Push-Pull-Kaskaden im Klasse-AB-Modus möglich. Diese Version der Schaltung ist in Abb. 3 dargestellt. Bei K=15 dB im 2...100-MHz-Band liefert es Pout=8 W. Die Eingangs- und Ausgangsimpedanz des Verstärkers beträgt 50 Ohm.

Breitband-Leistungsverstärker auf Basis von Feldeffekttransistoren
Ris.3

Zur Neutralisierung werden Kondensatoren Cn verwendet. Die Entwickler dieses Verstärkers empfehlen, die parasitäre Induktivität des Widerstands R2 durch Parallelschaltung von vier oder fünf Widerständen mit höherem Wert zu reduzieren. Im Gegenteil: Um die parasitäre Kapazität der Widerstände R1 und R4 zu reduzieren, empfiehlt es sich, diese in Form mehrerer in Reihe geschalteter Widerstände mit geringerem Wert auszulegen.

Die Transformatoren sind ähnlich der Schaltung in Abb. 1 aufgebaut (verdrillt aus 3 Drähten – 4 Windungen). Der Typ der Feldeffekttransistoren wird im Artikel nicht angegeben (ich denke, Sie können Transistoren wie KP901 verwenden).

Literaturа

1. EDN Magazine, 20. Juni 1974, S. 71-75.
2. Schaltung von Geräten basierend auf leistungsstarken Feldeffekttransistoren. Verzeichnis. Ed. V.P. Djakonova.

Veröffentlichung: N. Bolschakow, rf.atnn.ru

Siehe andere Artikel Abschnitt HF-Leistungsverstärker.

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