Leistungshalbleiterbauelemente aus Siliziumkarbid von Renesas Electronics. Kostenlose Neuigkeiten aus der technischen Bibliothek

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Leistungsstarke Siliziumkarbid-Halbleiter von Renesas Electronics

01.02.2012

Renesas Electronics hat die Lieferung von drei Hochleistungs-Halbleiterbauelementen angekündigt, die Siliziumkarbid (SiC) verwenden. Neue Artikel erhielten die Bezeichnungen RJQ6020DPM, RJQ6021DPM und RJQ6022DPM. Sie sind Sätze von Dioden und Transistoren in einem gemeinsamen Gehäuse, die für leistungsstarke Wandler oder Schalter ausgelegt sind.

Die Produkte gehören zur zweiten Serie von Siliziumkarbid-Hochleistungshalbleitern von Renesas, deren Verwendung hilft, Verluste zu reduzieren. Als Anwendungsbereiche für neue Produkte nennt der Hersteller Server, Mobilfunk-Basisstationen, Haushaltsgeräte wie Klimaanlagen sowie Stromversorgungssysteme auf Basis von Solarpanels.

Das RJQ6020DPM-Gehäuse enthält eine Hochspannungs-SiC-SBD-Schottky-Diode mit einer Nennspannung von bis zu 600 V und einer Sperrwiderstands-Erholzeit von nur 15 ns sowie zwei Hochspannungs-Hochleistungs-MOSFET-Transistoren mit einem Einschaltwiderstand von 100 mΩ.

Das RJQ6021DPM-Gehäuse enthält eine SiC-SBD-Diode und zwei Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs) mit einer niedrigen Restdurchlassspannung von 1,5 V. Das RJQ6022DPM-Gehäuse enthält zwei SiC-SBD-Dioden und zwei IGBTs.

Einführungsmuster von Produkten werden im Februar zu einem Preis von 10 $ pro Stück erscheinen. Das Unternehmen rechnet damit, im Mai mit der Serienproduktion zu beginnen.

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