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SOI-Prozesstechnologie für HF-Chips für Massenanwendungen

05.12.2015

Toshiba Electronics Europe kündigte die Entwicklung einer neuen Generation von TarfSOI-Workflows (Toshiba Advanced RF SOI) an, die für die Produktion von Hochfrequenzschaltern (RF) optimiert sind. HF-Schalter-ICs, die mit der neuen TaRF8-Prozesstechnologie hergestellt werden, wie die neuen SP12T-Bausteine, bieten die branchenweit niedrigste Einfügungsdämpfungsklasse. Testmuster des SP12T HF-Schalt-ICs, die auf dem neuen Herstellungsprozess basieren, werden ab Januar 2016 ausgeliefert.

Die für Smartphones entwickelten HF-Schalt-ICs SP12T verfügen über einen integrierten MIPI-RFFE-Controller für mobile Lösungen. Die Switches können in 3GPP-GSM-, UMTS-, W-CDMA-, LTE- und LTE-Advanced-Geräten verwendet werden.

Produkte, die mit dem neuen TaRF8 SOI-CMOS TarfSOI-Waferprozess hergestellt werden, bieten die branchenweit niedrigste Einfügungsdämpfungsklasse von 0,32 dB bei 2,7 GHz. Im Vergleich zu Produkten, die auf Toshibas aktueller TaRF6-Prozesstechnologie basieren, wird die Einfügungsdämpfung um 0,1 dB verbessert, während der gleiche Verzerrungsgrad beibehalten wird.

Die heutige mobile Kommunikation erfordert die Übertragung großer Datenmengen mit hohen Geschwindigkeiten, und daher müssen die in Mobilgeräten und Smartphones verwendeten HF-Schalter-ICs den Multiport-Betrieb unterstützen und eine verbesserte HF-Leistung aufweisen. Die Reduzierung der Einfügungsdämpfung wird in diesem Zusammenhang als besonders wichtig angesehen, da sie den Verlust der Sendeleistung von Funksignalen reduziert und dadurch die Batterielebensdauer von Mobilgeräten erhöht.

Toshiba entwickelt hochleistungsfähige HF-Schalter-ICs im eigenen Haus unter Verwendung der SOI-CMOS-Technologie, die analoge und diskrete Schaltungen integriert. Durch die Verfolgung aller Aspekte des Herstellungsprozesses, von der Prozessentwicklung für HF-Komponenten bis hin zum Design und zur Fertigung von HF-Schalter-ICs, ist Toshiba in der Lage, die SOI-CMOS-Technologie basierend auf den Ergebnissen seiner eigenen HF-Schalter-IC-Entwicklung schnell zu entwickeln. Die Arbeit als integrierter Gerätehersteller (IDM) ermöglicht es dem Unternehmen, schnell neue Fertigungsverfahrenstechnologien zu entwickeln, die für die Massenproduktion geeignet sind, und Produkte unter Verwendung modernster Fertigungsverfahren auf den Markt zu bringen.

Das Unternehmen wird die Effizienz seines eigenen TarfSOI-Prozesses weiter verbessern und die Markt- und Kundenanforderungen für HF-Schalter-ICs erfüllen, indem es Produkte auf der Grundlage der neuesten Technologien vor anderen Herstellern einführt.

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