Leistungsverstärker mit Feldeffekttransistor. Schema, Beschreibung

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ENZYKLOPÄDIE DER FUNKELEKTRONIK UND ELEKTROTECHNIK
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Leistungsverstärker mit einem Feldeffekttransistor als Stromquelle für die Eingangsstufe und Symmetrierelementen für die Ausgangsstufe. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik

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Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Transistor-Leistungsverstärker

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Der Verstärker hat die folgenden technischen Hauptmerkmale:

Nennausgangsleistung ...... 75 W
Klirrfaktor .......... 0,06 %
Betriebsfrequenzband .......... 20 ... 40 Hz
Signal-Rauschabstand .......... 86 dB
Versorgungsspannung .......... ±40 V
Ruhestrom ................ 20 mA

Die Verbesserung der Qualitätsindikatoren in diesem Verstärker im Vergleich zum vorherigen wurde durch eine Reihe von Schaltungslösungen erreicht. Eine Feldeffekttransistor-Stromquelle ist in der Emitterschaltung der Eingangsdifferenzstufe enthalten. Dadurch ist es möglich, den Transmissionskoeffizienten der ersten Stufe zu erhöhen und ihre thermische Stabilität zu verbessern. Um die Symmetrie der Arme der Ausgangsstufe des Verstärkers zu verbessern und nichtlineare Verzerrungen zu reduzieren, wird in die Emitterschaltung eines der Transistoren der Endstufe eine Korrekturschaltung eingefügt, die aus einer Diode, einem Widerstand und einem Kondensator besteht.

Das schematische Diagramm des Verstärkers ist in Abb. 1 dargestellt. 2. Es enthält eine differenzielle Eingangsstufe (VT4, VT3), Stromverstärker (VT6) und Spannungsverstärker {VT9), eine Ausgangsstufe (VT12-VT7) und eine Überlastschutzvorrichtung (VT8, VT1). Wie bereits erwähnt, ermöglicht die Stromquelle am Transistor VT2, die in den Emitterkreisen der Transistoren VT4, VT3 enthalten ist, ohne Erhöhung der Temperaturinstabilität den Spannungsübertragungskoeffizienten der Differenzstufe zu erhöhen. Mit dem Transistor VT6 können Sie die Belastung des Ausgangs der Differenzstufe reduzieren. Die lastgeteilte Kaskade auf dem VTXNUMX-Transistor verstärkt das Spannungssignal und liefert den maximalen Ausgangsspannungshub.

Abb.1 (zum Vergrößern anklicken)

Die quasi-komplementäre Ausgangsstufe, die aus zusammengesetzten Transistoren (VT9, VT11 und VT10, VT12) besteht, ist gut auf eine niederohmige Last abgestimmt. Die Korrekturschaltung, bestehend aus der parallel geschalteten Diode VD2, dem Widerstand R28 und dem Kondensator C10, verbessert die Symmetrie der Arme des Verstärkers und reduziert dadurch nichtlineare Verzerrungen. Die anfängliche Vorspannung an den Basen der Ausgangstransistoren für den Betrieb im AB-Modus wird durch den Spannungsabfall im Kollektor-Emitter-Abschnitt des Transistors VT5 bestimmt und durch den Widerstand R16 geregelt. Die Transistoren VT7 und VT8 überbrücken die Emitterverbindung der Ausgangstransistoren während einer Überlastung und schützen sie dadurch. Die Elemente C3, R5, C4, R31, C12 verhindern eine Selbsterregung des Verstärkers bei hohen Frequenzen. Die Schaltung R7, Sat dient zur Entzerrung des Frequenzgangs des Verstärkers bei hohen Frequenzen im Audiobereich (bis 20 kHz).

Strukturell ist der Verstärker auf einer Leiterplatte montiert. Die Temperaturstabilisierung des Ruhestroms der Ausgangstransistoren erfolgt mit dem Transistor VT5, der an einem gemeinsamen Strahler mit VT12 oder VT11 installiert ist; in unmittelbarer Nähe zu ihnen. Zur Stromversorgung des Verstärkers ist eine bipolare Quelle erforderlich, die einen Strom von mindestens 40 A bei einer Spannung von ± 2,5 V liefert.

Die Einrichtung eines aus wartungsfähigen Elementen zusammengesetzten Verstärkers besteht darin, die korrekte Installation zu überprüfen und den Ruhestrom der Ausgangstransistoren mit dem Widerstand R16 innerhalb von 20 ... 40 mA einzustellen.

Veröffentlichung: cxem.net

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