Elektronische Vorschaltgeräte auf diskreten Elementen. Vorteile. Fragen der Terminologie. Schema, Beschreibung

ENZYKLOPÄDIE DER FUNKELEKTRONIK UND ELEKTROTECHNIK
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Elektronische Vorschaltgeräte auf diskreten Elementen. Vorteile. Fragen der Terminologie. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik

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Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Vorschaltgeräte für Leuchtstofflampen

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Wert

In kostengünstigen elektronischen Vorschaltgeräten werden fast überall Schaltungen eines selbstschwingenden Halbbrücken-Wechselrichters (mit Selbsterregung) verwendet, die auf diskreten Elementen implementiert sind. Würde Der Vorteil solcher elektronischen Vorschaltgeräte liegt in ihren geringen Kosten. Als Leistungsschalter kommen hier meist keine Feldeffekt-, sondern spezielle Bipolartransistoren zum Einsatz (abgekürzt BMT – bipolare leistungsstarke Transistoren).

Terminologische Probleme

In der ausländischen Fachliteratur werden Transistoren verschiedener Typen bezeichnet Abkürzungen verwendet werden:

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor);
MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor);
BJT (Bipolar Junction Transistor);
BPT (Bipolarer Leistungstransistor). Entsprechende inländische Analoga:
IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate);
MY PT (Feldeffekttransistoren der Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur);
BT (bipolare Transistoren);
BMT (bipolare leistungsstarke Transistoren).

Autor: Koryakin-Chernyak S.L.

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Laut IBM bietet die Zusammenarbeit mit Dow Corning einen integrierten Ansatz für die optische Kommunikation, ähnlich wie Metallleiter jetzt elektrische Signale auf herkömmlichen Leiterplatten leiten. Silikon-Polymer-Wellenleiter seien „hochflexibel und hochtemperaturbeständig“, sagt Bert-Jan Offrein, Leiter der Photonics Research Group bei IBM Research in Zürich. Offrain berichtete, dass bei Biegungen mit einem Radius von bis zu 1 mm und auch unter extremen Betriebsbedingungen bei 85 % Luftfeuchtigkeit und einer Temperatur von +85 °C weder Verwindungen noch Verformungen beobachtet wurden.

Mit Silikon können Sie das gleiche Grundelement wie in CMOS-Kristallen verwenden – Silizium – aber in einer flexiblen Form, die es Ihnen ermöglicht, einen Lichtstrahl mit sehr geringer Verzerrung durch Biegungen und Wendungen zu übertragen. Infolgedessen können sehr schnelle und energieeffiziente photonische Verbindungen hergestellt werden, die in der Lage sind, die Exabytes an Daten zu übertragen, die für zukünftige Rechenzentren und Supercomputer erforderlich sind.

Eric Peeters, Vizepräsident von Dow Corning Electronic Solutions, sagte voraus, dass das neue Material „silikonbasierte Kommunikation auf der Platine ermöglichen würde, die herkömmliche elektronische Signalisierungsmethoden schnell ersetzen wird“.

Silikonpolymer wird wie andere optische Materialien wie Glas als Flüssigkeit geboren, aber wenn es unter normalen atmosphärischen Bedingungen belassen wird, härtet es in weniger als 45 Minuten aus. Das Material zeigte auch eine hervorragende Haftung auf herkömmlichen PCB-Materialien wie Polyimid, hat einen Verlust von nicht mehr als 0,03 dB pro Zentimeter, bleibt bei hoher Temperatur und Feuchtigkeit mehr als 2000 Stunden stabil und hält 500 Temperaturzyklen im Bereich von -18 ° C stand. .. +120 °C

Die Präsentation auf der Photonics West „Stable and Machinable Optical Silicone for Low Loss Polymer Waveguides“ wurde von Brandon Swatowski, Projektingenieur bei Dow Corning Electronics Solutions, präsentiert.

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