Infrarotempfänger auf Transistoren. Schema, Beschreibung

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Infrarotempfänger auf Transistoren. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik

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Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Infrarot-Technologie

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Das schematische Diagramm des Empfängers für gepulste IR-Signale ist in Abb. 35 dargestellt. 100. Sein Ausgang kann direkt mit dem Eingang eines digitalen CMOS-Chips verbunden werden. Wenn der Fotokopf vom Digitalanalysator entfernt werden muss und die Kapazität des Verbindungskabels 200 ... 36 pF überschreitet, muss der Fotoverstärker durch einen Pufferverstärker ergänzt werden. So zum Beispiel wie in Abb. 36, a (Verstärker-Inverter) oder in Abb. 0,01b. Die kapazitive Last eines Fotokopfes mit einem solchen Ausgangsverstärker kann auf XNUMX uF erhöht werden.

Reis. 35. IR-Transistorempfänger (zum Vergrößern anklicken)

Infrarotempfänger auf Transistoren
Reis. 36. Leistungsverstärker in CMOS-Technologie

Tabelle 7
Upit, B Ipot, mA
4,5 0,30
5,0 0,30
6,0 0,32
7,0 0,34
8,0 0,35
9,0 0,37

Fotodiode FD263-01 kann durch FD320 ersetzt werden. Und wenn Sie einen guten optischen Hub haben – fast jeden der in Anhang 2 aufgeführten.

Der IR-Empfänger bleibt betriebsbereit, wenn sich die Versorgungsspannung Upit über einen weiten Bereich ändert. Die Abhängigkeit des von ihm aufgenommenen Stroms Ipotr von der Versorgungsspannung ist in Tabelle 7 dargestellt.

Veröffentlichung: cxem.net

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