Einfache leistungsstarke Spannungsstabilisatoren. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik

Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Überspannungsschutz

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Der Schaltungsaufbau von Gleichspannungsstabilisatoren (SV) ist sehr vielfältig. Je besser die Eigenschaften dieser Geräte sind, desto komplexer ist in der Regel ihr Aufbau.

Für Einsteiger sind Spannungsstabilisatoren mit einfachem Schaltungsaufbau am besten geeignet. Die vorgeschlagenen Optionen basieren auf der Stabilisatorschaltung in Abb. 1. Trotz der extremen Einfachheit der Schaltung ist sie sehr zuverlässig im Betrieb.

Ein solcher CH musste in den unterschiedlichsten Situationen eingesetzt werden. Es verfügt über eine Laststrombegrenzung, was sehr vorteilhaft ist, da dadurch auf zusätzliche Elemente verzichtet werden kann.

Der maximale Strom in der Last wird durch den Widerstandswert des Widerstands R3 bestimmt. Wenn der Widerstandswert dieses Widerstands abnimmt, nimmt die Größe des Kurzschlussstroms (I.c.) zu, und umgekehrt führt eine Erhöhung des Widerstandswerts dieses Widerstands zu einer Verringerung des I.c.s. und damit zu einer Verringerung des Maximaler Betriebsstrom MV (normalerweise liegt dieser Strom innerhalb von (0,5...0,7)Ikz). Wenn die Anschlüsse des Widerstands R3 kurzgeschlossen sind, unterliegt die Größe des Stroms Is.c. keiner offensichtlichen Begrenzung, daher führt ein Kurzschluss (Kurzschluss) in der MV-Last in diesem Fall zu einer Beschädigung der MV-Transistoren. Auf diese Betriebsart gehen wir nicht weiter ein.

Bei der Auswahl des Ic.c-Stroms orientieren sie sich am sicheren Betriebsbereich (ROA) des Transistors VT2. Somit kann der aus nur 11 Bauteilen zusammengesetzte SV zur Stromversorgung verschiedenster Geräte mit einer Stromaufnahme von bis zu mehreren Ampere eingesetzt werden.

Die Vorteile des SN gemäß Abb. 1: 1) die Möglichkeit, die stabilisierte Ausgangsspannung mithilfe eines variablen Widerstands R1 schnell von nahezu Null auf die Stabilisierungsspannung der Zenerdioden VD2 und VD2 einzustellen; 2) die Möglichkeit, den aktuellen Is.c. zu ändern (dazu reicht es aus, anstelle von R3 einen drahtgewickelten variablen Widerstand vom Typ PP3 mit einem Widerstand von 470 Ohm zu installieren); 3) Einfaches Starten des Stromkreises (es sind keine speziellen Startelemente erforderlich, die in anderen Mittelspannungsstromkreisen so häufig benötigt werden); 4) die Fähigkeit, die Eigenschaften von SN mit einfachen Methoden dramatisch zu verbessern.

Ein weiterer wichtiger Umstand. Da der Kollektor des leistungsstarken Regeltransistors VT2 mit dem Ausgang (positiver Bus) des CH verbunden ist, kann dieses Element direkt am Metallgehäuse des Netzteils (PSU) befestigt werden. Es ist nicht schwierig, mit diesem Schema ein bipolares SN zu konstruieren. In diesem Fall sind separate Wicklungen des Netztransformators und der Gleichrichter erforderlich, die Kollektoren der leistungsstarken Transistoren beider Mittelspannungszweige können jedoch auf dem Netzteilchassis installiert werden.

Nun zu den Mängeln, die aufgrund der extremen Einfachheit der Schaltung des SN auftreten. Der Hauptgrund ist der niedrige Wert des Spannungsstabilisierungskoeffizienten (VSR), der normalerweise mehrere Zehner nicht überschreitet. Der Welligkeitsunterdrückungskoeffizient ist ebenfalls niedrig. Der bestimmende Einfluss auf den Ausgangswiderstand des CH wird durch den Basisstromübertragungskoeffizienten der verwendeten Instanzen der Transistoren VT1 und VT2 ausgeübt. Darüber hinaus ist die Ausgangsimpedanz stark vom Laststrom abhängig. Daher müssen in diesem SN Transistoren mit maximaler Verstärkung eingebaut werden.

Ein Nachteil besteht darin, dass die Ausgangsspannung nicht von Null, sondern von ca. 0,6 V eingestellt werden kann. In den meisten Fällen ist dies jedoch nicht von Bedeutung.

Es gibt eine Auswahl an leistungsstarken Netzteilen auf dem Markt, die schaltungstechnisch sehr „ausgetrickst“ sind, also teuer sind und viel Zeit für die Reparatur benötigen.

Mit der SN-Schaltung gemäß Abb. 1 können Sie sowohl Netzteile mit geringem Stromverbrauch als auch einfache Labornetzteile erstellen, ohne selbst für deren Herstellung viel Zeit und Geld aufzuwenden, ganz zu schweigen von Reparaturarbeiten.

Durch einfache Modifikationen des SN gemäß Abb. 1 konnten die Parameter dieses Gerätes deutlich verbessert werden. Zunächst ist es notwendig, die parametrische Spannungsstabilisierungsschaltung (Elemente R1, VD1, VD2) zu modernisieren und einen Verbundtransistor, beispielsweise nach einer Darlington-Schaltung, zu verwenden. Superbeta-Transistoren wie KT825 sind sehr gut geeignet (besser 2T825 verwenden). Der Ausgangswiderstand des CH für Verbundtransistoren ist reduziert und überschreitet nicht 0,1 Ohm (für einen einzelnen Transistor der Schaltung in Abb. 1 beträgt der Ausgangswiderstand mehr als 0,3 Ohm im Laststrombereich von 1...5 A ) und bei Verwendung des KT825-Transistors kann der Ausgangswiderstand im Laststrombereich von 0,02...0,03 A auf bis zu 3...5 Ohm reduziert werden.

Beim Einbau eines Transistors vom Typ KT825 in den CH muss unbedingt der Widerstandswert des Begrenzungswiderstands R3 erhöht werden. Geschieht dies nicht, ist der Wert von Ik.z praktisch unbegrenzt und im Falle eines Kurzschlusses in der Last fällt der KT825-Transistor aus. Mit einer solchen Modernisierung eignet sich dieser Mittelspannungskreis hervorragend für die Stromversorgung aller Arten von UMZCH, Empfängern, Tonbandgeräten, Radiosendern usw.

Wenn der KT825-Transistor nicht verfügbar ist, kann der SN gemäß der Schaltung in Abb. 2 hergestellt werden. Der Hauptunterschied besteht in der Hinzufügung eines KT816-Transistors und einer mehrfachen Erhöhung des Widerstandswerts des Widerstands R4.

Mit dieser Schaltung kann eine Mini-Bohrmaschine mit Strom versorgt werden, wenn Löcher in Leiterplatten gebohrt werden. Daher wird nicht der gesamte mögliche Regelbereich der stabilisierten Ausgangsspannung genutzt, sondern nur ein Abschnitt innerhalb von 12...17 V. In diesem Bereich ist eine optimale Leistungsregelung an der Bohrmotorwelle gewährleistet. Der Widerstand R3 verhindert, dass der Transistor VT1 bei ausgeschalteter Basis arbeitet, wenn der Kontakt zwischen dem Motor des variablen Widerstands R2 und seiner Graphitbeschichtung unterbrochen ist. Es ist auch möglich, den Drahtwiderstand R2 zu verwenden; solche Widerstände sind langlebiger als solche aus Graphit. Strom Ik.c für R4 = 20 kOhm beträgt 5 A, für R4 = 10 kOhm - 6,3 A, für R4 = 4,7 kOhm - 9 A.

Wenn Sie zwei KT8102-Transistoren parallel schalten (Abb. 3), dann beträgt bei R4 = 4,7 kOhm Ik.z = 10 A. Durch die Einbeziehung eines zusätzlichen KT816-Transistors in die Schaltung konnten somit nicht nur die Eigenschaften des verbessert werden CH, sondern auch zur Reduzierung der Ströme durch die Elemente VD4, R4 und VT1. Letzterer Umstand ermöglicht die Verwendung eines Transistors mit einem hohen Stromübertragungskoeffizienten, beispielsweise KT1D(E), als VT3102. Und dies wiederum wird die Qualität der Arbeit des SN verbessern. So hatte beispielsweise der CH in Abb. 3 bei einem Widerstandswiderstand von R75 = 1 Ohm einen Stromwert von Ic.c = 5,5 A, für R3 = 43 Ohm Ic.c = 7 A usw. Wie Sie sehen, erweist sich der Widerstandswert der Strombegrenzungswiderstände Ik.c für hohe Lastströme als zu niederohmig. In diesem Fall kommt es zu einer Abnahme der Effizienz des CH und einer Überhitzung des Widerstands R3 sowie zu einem erheblichen Strom durch die Diode VD3 für den CH.

Eine weitere Verbesserung der SN-Eigenschaften kann durch eine Änderung der Schaltung des parametrischen Stabilisators (Elemente R1, VD1, VD2 in den Schaltungen von Abb. 1 und 2) erreicht werden. Die Parameter dieser Einheit können gemäß dem Diagramm in Abb. 4 verbessert werden. Auf dem Transistor VT1 ist ein stabiler Stromgenerator (GCT) montiert. Da der Transistor VT1 in einer Basisschaltung angeschlossen ist, ist die Schaltung bei hohen Frequenzen sehr anfällig für Selbsterregung. Die Selbsterregung wird auch durch das Fehlen eines Kondensators erleichtert, der die Zenerdioden VD3 und VD4 überbrückt. Daher wird ein solcher Kondensator in die Schaltung in Abb. 4 (C1) eingeführt.

Die Ergebnisse der Messungen für das Schema von Fig. 4 sind in Tabelle 1 angegeben.

Tabelle 1

Eine fortgeschrittenere Schaltung ist in Abb. 5 dargestellt, und die Messergebnisse dafür sind in Tabelle 2 aufgeführt.

Tabelle 2

Es ist leicht zu erkennen, dass die Verbesserung des SSC bei einer leichten Komplikation der Schaltung sehr bedeutend ist.

Der Nachteil der einfachsten GTS-Schaltungen ist der niedrige Stromstabilisierungskoeffizient (dies gilt insbesondere für bipolare GTS-Optionen). Und das liegt vor allem an der Instabilität der Referenzspannung, d.h. Stabilisierungsspannung der Zenerdiode VD1 (siehe Abb. 4 und 5 in RD 9/2001). Wenn sich Uin ändert, ändert sich tatsächlich auch der Strom durch die Zenerdiode VD1, und dies führt zwangsläufig zu einer Änderung der Spannung an der Zenerdiode VD1. Letzterer Umstand führt sicherlich zu einer Änderung des GTS-Stroms und natürlich der Spannung am Ausgang des ION (Elemente VD2, VD3 – Abb. 4 und VD3, VD4 – Abb. 5).

Dieses Phänomen wird weiter entlang des Stromkreises übertragen, was zu einem starken Abfall des VS des Stabilisators führt. ION gemäß dem Diagramm in Abb. 5 besteht bereits aus zwei separaten GTS. Der zweite von ihnen ist auf einem Feldeffekttransistor VT2 aufgebaut. Dieser GST stabilisiert den Strom durch die Zenerdiode VD1 und eliminiert praktisch die Spannungsänderung an dieser (siehe Tabelle 2). Dies gewährleistet einen starken Anstieg des SCV dieses ION. Die Zenerdiode VD2 erhöht die Zuverlässigkeit der Schaltung mit steigender Spannung Uin. Darüber hinaus wurde die Stromstabilisierung durch die D818E-Zenerdioden durch den Einbau eines weiteren „Feldschalters“ in den ION-Schaltkreis erreicht (Abb. 6). Dieser Feldeffekttransistor ist in den Emitterkreis des Transistors VT1 eingebunden, was die Stromstabilität um ein Vielfaches erhöht.

Mit einem Strom durch die D818E-Zenerdioden von 10 mA haben wir laut Spezifikation die beste thermische Stabilität der ION-Spannung.

Mit einem Satz einfacher ION-Schaltkreise können Sie sehr schnell Stromversorgungsdesigns mit sehr guten Eigenschaften und vor allem mit einem hohen Preis-Leistungs-Verhältnis zusammenstellen. Ein Diagramm einer einfachen Laborstromversorgung ist in Abb. dargestellt. 7.

(zum Vergrößern klicken)

Das Netzteil enthält ein Gerät zur „sanften“ Verbindung mit dem Netzwerk. In diesem Fall profitieren wir definitiv von der Lebensdauer teurer Stromversorgungselemente (Netztransformator, Filterkondensator und Gleichrichterdioden, letztere zwar in einer günstigen Preisklasse, aber ihr „Abgang“ birgt die Wahrscheinlichkeit von Ausfällen anderer Funkgeräte Komponenten). Wenn das Netzteil an das Netzwerk angeschlossen ist, wird der Netzwerktransformator T1 über den Widerstand eines leistungsstarken Widerstands R2 eingeschaltet.

Dadurch werden Stromstöße durch die Elemente T1, C3, VD1 – VD4 erheblich reduziert. Nach einigen Sekunden wird das Relais K1 aktiviert und seine Kontakte K1.1 schließen den Widerstand R2. Jetzt ist das Netzteil vollständig für den Betrieb vorbereitet. Die „sanfte“ Startschaltung besteht aus den Elementen: R1, R2, VD5-VD8, VD9, C2 und K1. Die Verzögerungszeit für den Anschluss von T1 an das Netzwerk wird durch die Kapazität des Elektrolytkondensators C2 und den Widerstand der Relaiswicklung K1 gegenüber Gleichstrom bestimmt.

Mit zunehmender Kapazität und Widerstand dieser Elemente nimmt die Zeitverzögerung zu. Der Widerstand R1 ist ein zuverlässiger Strombegrenzer durch den Kondensator C1 und die Diodenbrücke VD5-VD8. Die Zenerdiode schützt den Kondensator C2 und das Relais K1 vor einem Notanstieg der Spannung an diesen Elementen (wenn beispielsweise die Wicklung des Relais K1 ohne Zenerdiode bricht, besteht für den Kondensator C2 aufgrund eines starken Spannungsanstiegs eindeutig die Gefahr eines Ausfalls Spannung an seinen Klemmen).

Alle anderen CH-Knoten wurden bereits oben beschrieben, daher sind keine Kommentare erforderlich.

Zu den Details. In diesem Netzteil und in anderen ähnlichen Designs habe ich KT8102-Transistoren mit einem deutlich reduzierten Wert der maximalen Kollektor-Emitter-Spannung (Uke) verwendet. Der Wert von Ukemax wurde mit einem speziell für diesen Zweck entwickelten Messgerät gemessen [1].

Ich habe KT8102-Transistoren für den UMZCH ausgewählt, aber leider waren unter den gekauften Transistoren die meisten Exemplare mit reduziertem Ukemax. Es waren diese „Wehe“-Transistoren, die im Netzteil verbaut wurden. In der Schaltung dieses Netzteils können Sie leistungsstarke Transistoren mit Ukemax≥35 V verwenden (es sollte immer ein Mindestspielraum vorhanden sein). Anstelle des KT816-Transistors können Sie den KT814 installieren. Ein Transistor vom Typ KT801 kann durch jeden Siliziumtransistor mit Uke≥30 V und Ik≥0,1 A ersetzt werden. Transistor VT2 - KT3107 mit beliebigem Buchstabenindex oder KT361 (B, T, E). Der Feldeffekttransistor Typ 2P303D (KP 303D) kann durch jede dieser Serien (V, G, D, E, I) mit einem anfänglichen Drainstrom (Is.init) ≥3 mA ersetzt werden.

Wenn Sie auf Feldeffekttransistoren verzichten möchten, verwenden Sie besser den ION gemäß der Schaltung in Abb. 8. In dieser Schaltung wird die Spannung an der Zenerdiode VD1 durch den zweiten GTS stabilisiert, der auf dem Transistor VT2 montiert ist.

Die Widerstände R2 und R3 wirken antiparasitär. Anstelle der Zenerdiode KS133 können Sie auch KS147 oder 5-7 Stück einbauen. in Reihe geschaltete Instanzen von Siliziumdioden, zum Beispiel KD521, 522, D220, D223 usw. Die Anzahl der Dioden kann reduziert werden, gleichzeitig muss jedoch der Widerstand des stromstabilisierenden Widerstands im Emitterkreis des KT3107K-Transistors verringert werden. Dies führt zu einer Verschlechterung der Stabilität des GTS-Stroms. Anstelle von KS133 wurden auch drei in Reihe geschaltete LEDs vom Typ AL307 verbaut, andere sind aber auch möglich. Da in dieser GTS-Schaltung der Strom durch sie stabilisiert wird, wird auch die Spannung stabil sein (wir sprechen hier noch nicht von Temperatureffekten). Der Ersatz der Zenerdioden D818E durch D814 und ähnliche Zenerdioden führt jedoch zu einer Verschlechterung der thermischen Stabilität des Ions. Daher wurden Zenerdioden vom Typ D818E ausgewählt, die einen niedrigen Temperaturspannungskoeffizienten (TCV) aufweisen. Wenn keine besonderen Anforderungen an TKN gestellt werden, können in der Schaltung verschiedenste Zenerdioden verwendet werden.

Die Zenerdiode VD11 kann durch D814 A(B), KS175 usw. ersetzt werden, und VD9 kann durch D816V ersetzt werden. Ersetzen Sie die Siliziumdioden D223 durch ähnliche. Ersetzen Sie die Dioden des leistungsstarken Gleichrichters VD1-VD4 durch alle anderen mit Urev≥100 V, zum Beispiel KD213. Diese Dioden wurden auf drei Kühlkörpern installiert (zwei Dioden auf einem Kühler).

Die Fläche der beiden kleineren Kühlkörper beträgt 16 cm2 (AL, 40x40 mm), die des dritten 32 cm2 (80x40 mm). Brückendioden VD5-VD8 – alle mit Uobr ≥ 400 V und Idirect ≥ 0,3 A, zum Beispiel KTs401G, KU402 (A, B, V, G, I), KTs405 (A, B, V, G, I), KTs407A , usw.

Variable Widerstände R4, R10 und R11 – alle Typen. Es ist durchaus akzeptabel, die Werte dieser Widerstände zu ändern (für R4 - auf 2,2 kOhm verringern). Da der Widerstandswert des Widerstands R4 abnimmt, muss der GTS-Strom erhöht werden. Mit den Widerständen R13 und R14 können Sie den erforderlichen Wert des Is.c.-Stroms einstellen.

Die leistungsstarken drahtgewickelten Emitterwiderstände R5-R7 bestehen aus Nichromdraht mit einem linearen Widerstand von etwa 0,056 Ohm/cm. Leistungsstarker Drahtwiderstand vom Typ PEV-10. Es kann durch Parallelschaltung von Widerständen ersetzt werden, zum Beispiel MLT-2W (5-6 Stück mit einem Widerstand von 3...3,3 kOhm usw.).

Relais - RKM1, Version RS4-503.861, DC-Wicklungswiderstand - 500 Ohm. Im Diagramm von Abb. 7 verwendete Kondensatoren: C1, C4, C6 - Typ K73-17; C2 - K50-16; C3 - K50-18; C5, C7 - K50-12. An besonders kritischen Stellen im Stromkreis werden die „Elektrolyte“ mit Nicht-Elektrolyt-Kondensatoren überbrückt.

Wenn das Netzteil zur Stromversorgung von HF-Geräten verwendet wird, empfiehlt es sich, den MV-Ausgang mit zusätzlichen Kondensatoren, beispielsweise Glimmerkondensatoren (KSO), zu überbrücken. Und natürlich können alle Kondensatoren in diesem Stromversorgungskreis mit den entsprechenden Parametern beliebiger Art sein.

Über Transformator T1. Als Netzwerktransformator wurde ein umgespulter TS-200 verwendet. Die Spannung an der Sekundärwicklung beträgt 22 V, der Draht ist PEV-2 mit einem Durchmesser von 1,45 mm. Die .U-Sicherung ist selbstgemacht. Es besteht aus einem Stück einadrigem Kupferleiter (es kann normaler Draht verwendet werden) mit einem Durchmesser von 0,23 mm und einer Länge von 30 mm (gelötet).

Als Kühlkörper für die KT8102-Transistoren wurde ein Standardkühler eines alten UEMI-50-Verstärkers verwendet. Wenn keine erforderliche Kühlkörperfläche (≥ 2000 cm2) vorhanden ist, gehen Sie wie folgt vor.

Zur Herstellung des Netzteilgehäuses wurde Blech (Duraluminium oder Aluminium) verwendet. Bei Gehäuseabmessungen von 40x20x11 cm beträgt die Kühlfläche allein des oberen abnehmbaren Deckels etwa 1240 cm2. Dieser Kühlkörper ist sehr effektiv; Einer der Transistoren ist ebenfalls im unteren Teil des Gehäuses (Boden, Chassis) angebracht. Leistungsstarke Transistoren sind mit Abstand voneinander montiert. Wenn es zwei davon gibt, teilen Sie die Gesamtlänge des Oberkörpers (in diesem Fall 62 cm) in drei gleiche Teile. Diese leistungsstarken Transistoren befinden sich im Abstand von 20 cm (auf derselben Linie und im mittleren Teil des Gehäuses). Durch die Umkehrung der Polarität aller Halbleiterbauelemente und Elektrolytkondensatoren im Stromversorgungskreis wird es möglich, leistungsstarke gemeinsame N-PN-Transistoren der Typen KT802, KT803, KT805, KT808, KT812 usw. in den Stromkreis einzubauen Das ist es, was sie tun, wenn sie eine bipolare Stromversorgung entwerfen müssen. Voltmeter und Amperemeter sind im Diagramm nicht dargestellt. Wenn in der MV-Last ein Strom von mehr als 5 A benötigt wird (dies bedeutet einen langfristigen Betrieb der Stromversorgung in solchen Modi), wird TS-1 (TSA-270) als Transformator T270 verwendet. Die Sekundärwicklung ist mit einem Draht mit einem Durchmesser von 1,82 mm umwickelt, wodurch Sie einen Strom von 6-8 A oder mehr (bis zu 12 A) aus dem Transformator „ziehen“ können. Wählen Sie Is.c. = 20 A.

Über das Besserwerden. Das aus wartungsfähigen Funkkomponenten zusammengesetzte Stromversorgungsdesign funktioniert sofort nach dem Anschluss an das Netzwerk fehlerfrei. Es müssen lediglich die erforderlichen Widerstände der Widerstände R3 und R9 ausgewählt werden. Der erste von ihnen bestimmt den GTS-Strom. Es ist notwendig, den Strom durch die Zenerdioden VD12 und VD13 auf 10 mA einzustellen. Der Widerstand R9 stellt den Strom Is.c ein. innerhalb von 5-10 A.

Einige Exemplare des KT8102 sind sehr anfällig für Selbsterregung (insbesondere bei der „Kehr“-Installation). Das Vorhandensein einer Erzeugung wird durch den Anschluss eines Oszilloskops an den Ausgang des CH erkannt. In diesem Fall werden die Kondensatoren C6 und C7 vorübergehend vom CH abgeschirmt. Ein funktionierender HF-Kreis wird ohne sie nicht angeregt, aber wenn eine HF-Erzeugung auftritt, ist sie ohne diese Elemente leichter zu erkennen. Im Basiskreis des erzeugenden Transistors (dies ist in der Regel einer der VT3-VT5-Transistoren) ist ein niederohmiger Widerstand mit einem Widerstand von 5-10 Ohm oder noch besser eine Drossel mit Induktivität enthalten von mehr als 60 μHz. Ein zu hoher Widerstand im Basisstromkreis verschlechtert die MV-Leistung (Rout erhöht sich).

Die Leiterplatte für dieses Netzteil ist in Abb. dargestellt. 9, von der Seite der Leiterbahnen - in Abb. 10.

Die Platine verfügt über zwei technologische Jumper, die speziell für die Strommessung durch die Transistoren VT1 und VT2 entwickelt wurden (es ist nicht erforderlich, gedruckte Leiter abzuschneiden). Die Leiterplatte des „sanften“ Schaltkreises ist in Abb. dargestellt. 11 und 12.

Das Relais befindet sich außerhalb der Platine. Um zu verhindern, dass Rout aufgrund der Installation ansteigt, ist der Draht, der zum Minuspol des CH-Ausgangs führt, direkt an die Minusplatte des Kondensators C3 angelötet. Dieser Pin C3 ist mit einem separaten Leiter an den CH-Stromkreis angelötet. Bei der Wahl der Kapazität dieses Kondensators orientieren sie sich an der Regel: 1000-2000 µA pro Ampere Laststrom. Die Kondensatoren C6 und C7 sind direkt an die Kontaktlasche der Ausgangsklemmen der Stromversorgung angelötet.

Zur Möglichkeit einer Modernisierung der SN. Erstens und am wichtigsten: Um die Leistung des MV zu verbessern, ist eine separate Stromversorgung für ION und MV erforderlich. In diesem Fall wird eine separate Wicklung (oder ein Transformator) mit eigenen Gleichrichtern verwendet. Dies ermöglicht nicht nur eine Erhöhung der VS des ION und des gesamten CV-Schaltkreises, sondern auch eine Reduzierung der Windungszahl der Wicklung II des leistungsstarken Gleichrichters, da die Ausgangsspannung von 16,7 V CH bei einer Spannung der II-Wicklung erreicht wird des Transformators T1 von 17,5 V. Dies entlastet die Steuertransistoren VT3VT5. Beim Langzeitbetrieb des SV mit einem Laststrom von 5 A kommt zusätzlich eine Zwangskühlung zum Einsatz (Blasen mit einem kleinen Lüfter), insbesondere wenn sich die Kühlkörper innerhalb des perforierten Netzteilgehäuses befinden. Sie können die Anzapfungen der Wicklung II mit Umschaltung und „Bindung“ an den Widerstand R4 verwenden, dies ist jedoch, wie die Praxis zeigt, beim Betrieb eines Netzteils sehr umständlich. Übrigens können Feldeffekttransistoren in GTS-Schaltungen parallel geschaltet werden, um den erforderlichen GTS-Strom zu erhalten, sodass Sie sich nicht mit der Auswahl dieser Drähte herumschlagen müssen.

Sehr gute Ergebnisse werden mit der ION-Schaltung erzielt Abb. 8, bei dem die Widerstände R1 und R4 durch GST ersetzt wurden Abb. 6 (Emitter GTS - VT3). In diesem Fall werden die Zenerdioden VD1 (KS133D, Abb. 8) durch D818E ersetzt und Uin auf 35 V oder mehr erhöht. Dem Eingang dieses ION wird eine stabilisierte Spannung von der einfachsten Schaltung eines parametrischen Spannungsstabilisators zugeführt (typischer Aufbau – Transistor – Zenerdioden – Widerstand – zwei Kondensatoren). Dutzende der oben beschriebenen SVs sind seit vielen Jahren in Betrieb und haben damit ihre Zuverlässigkeit bei der Stromversorgung einer Vielzahl von erneuerbaren Energiequellen unter Beweis gestellt.

Литература:

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Autor: A. G. Zyzyuk

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