Leistungsstarke Feldeffekttransistoren der KP742-Serie. Vergleichsdaten

Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Referenzmaterialien

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Die Silizium-n-Kanal-Feldeffekttransistoren KP742A und KP742B mit isoliertem Gate, Kanalanreicherung und eingebauter schützender Sperrdiode werden in Spitaxial-Planar-Technologie hergestellt. Die Geräte sind für den Einsatz in Sekundärstromversorgungen mit transformatorlosem Eingang, in Reglern, Stabilisatoren und Spannungswandlern mit kontinuierlicher und gepulster Steuerung, in Elektromotorantrieben und anderen Geräten des Alltags und der Industrie konzipiert.

Die Transistoren sind in einem rechteckigen Kunststoffgehäuse KT-43 (TO-218) mit starren, gestanzten, verzinnten Anschlüssen untergebracht (Abb. 1); Gewicht des Geräts - nicht mehr als 6 g.

Das ausländische Analogon des Transistors KP742A ist STH75N06, KP742B ist STH75N05 von SGS-THOMSON.

Technische Hauptmerkmale bei Тkorp = 25 °С

• Schwellenspannung, V, bei einem Drainstrom von 0,25 mA und verbundenem Gate und Drain......2...4
• Offener Kanalwiderstand, Ohm, nicht mehr, mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 300 μs und einem Tastverhältnis von mindestens 50, mit einem Drain-Strom von 40 A und einer Gate-Source-Spannung von 10 V für KP742A.... ..0,014
• KP742B ...... 0,012
• Rest-Drain-Strom, μA, nicht mehr, bei maximaler Drain-Source-Spannung und Null-Gate-Source-Spannung ...... 250
• Gate-Leckstrom, nA, nicht mehr, bei Gate-Source-Spannung ±20 V und Null Drain-Source-Spannung......±100
• Steigung der Strom-Spannungs-Kennlinie, A/V, nicht kleiner, mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 300 μs und einem Tastverhältnis von mindestens 50, mit einer Drain-Source-Spannung von 10 V und einem Drain-Strom von 40 A ......25
• Maximale Verstärkungsfrequenz, MHz, nicht weniger......1
• Einschaltzeit*, μs, nicht mehr, bei Drain-Source-Spannung 25 V, Drain-Strom 40 A, Ausgangswiderstand der Signalquelle 6,2 Ohm, Widerstand im Drain-Kreis 50 Ohm, Gate-Source-Spannung 10 V, Impulsdauer nicht mehr als 300 μs und ihr Arbeitszyklus beträgt mindestens 50......1,57
• Abschaltzeit*, μs, nicht mehr, bei Drain-Source-Spannung 40 V, Drain-Strom 75 A, Ausgangswiderstand der Signalquelle 50 Ohm, Widerstand im Drain-Kreis 50 Ohm, Gate-Source-Spannung 10 V, Impulsdauer nicht mehr als 300 μs und ihr Arbeitszyklus beträgt mindestens 50 für KP742A......0,97
• KP742B ...... 1,08
• Transistorkapazität*, pf, nicht mehr, bei einer Drain-Source-Spannung von 25 V, einer Gate-Source-Spannung von Null und einer Eingangsfrequenz von 1 MHz......5200
• Wochenende ...... 2300
• Durchgang......650
• Wärmewiderstand Kristallgehäuse, С/W, nicht mehr als ......30
• Konstante Durchlassspannung einer offenen Schutzdiode. V, nicht mehr, bei Null Gate-Source-Spannung, Impulsdauer nicht mehr als 300 μs und ihr Arbeitszyklus nicht weniger als 50 für KP742A mit einem Strom durch den Drain-Anschluss von 75 A und KP742B – 80 A...... 1,6
• Sperrverzögerungszeit der Diode*, nein, bei einer Drain-Source-Spannung von 35 V, einer Anstiegsgeschwindigkeit des Diodenstroms von 100 A/μs, einer Impulsdauer von nicht mehr als 300 μs und ihrem Tastverhältnis von mindestens 50 µs KP742A mit einem Strom durch den Drain-Anschluss von 75 A und KP742B - 80 A......130

* Referenzparameter.

Grenzwerte

• Die höchste Drain-Source-Spannung, V, für KP742A......60
• KP742B ...... 50
• Maximale Gate-Source-Spannung, V ...... ± 20
• Der höchste konstante Drainstrom*, A, bei einer Gehäusetemperatur von nicht mehr als 25 °C für KP742A......75
• KP742B ...... 80
• Maximaler Puls-Drain-Strom*, A, für KP742A......300
• KP742B ...... 320
• Maximaler Durchlassstrom der Schutzdiode, A, für KP742A......75
• KP742B ...... 80
• Maximale kontinuierliche Verlustleistung**, W, bei einer Gehäusetemperatur von 25 °С......200
• Die höchste Temperatur des Kristalls, "C ...... 175
• Umgebungstemperatur-Betriebsbereich, "С......-55...+150

* Vorausgesetzt, dass die maximale Verlustleistung und Kristalltemperatur nicht überschritten wird.

** Bei einer Umgebungstemperatur von mehr als 25 °C muss die maximal zulässige Leistung Pmax gemäß der Formel reduziert werden

wobei Tkp max und Tcorp die Werte der maximal zulässigen Temperatur des Kristalls und der aktuellen Temperatur des Transistorkörpers sind; Rt cr-case – thermischer Widerstand des Kristallgehäuses.

Der zulässige Wert des statischen Potentials beträgt 500 V gemäß OST 11 073.062. Die Art und Weise und die Bedingungen für den Einbau von Transistoren in Geräte entsprechen OST 11 336.907.0.

Grafische typische Abhängigkeiten der Parameter der Transistoren KP742A und KP742B sind in Abb. dargestellt. 2-7.

In Abb. In Abb. 2, a und b zeigen Familien von Ausgangseigenschaften von Geräten bei zwei Werten der Körpertemperatur, und in Abb. 3 – Temperaturabhängigkeit des Widerstands des offenen Kanals (normalisiert relativ zu dem Punkt, an dem die Kristalltemperatur Tcr = 25 °C beträgt). Reis. 4 veranschaulicht die Abhängigkeit des Drain-Stroms von der Gate-Source-Spannung.

Die Abhängigkeiten der Eingangs-, Ausgangs- und Durchgangskapazität von Geräten von der Drain-Source-Spannung sind in Abb. dargestellt. 5. Mit steigender Gehäusetemperatur muss der Drainstrom entsprechend der Kurve in Abb. reduziert werden. 6.

Der Spannungsabfall an einer offenen Schutzdiode in Abhängigkeit vom Durchlassstrom durch sie ist in Abb. dargestellt. 7 (hier ist Ic der Strom durch den Drain-Anschluss des Geräts).

Autor: V. Kiselev, Minsk, Weißrussland

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