Feldeffekttransistoren der Serie KP504. Vergleichsdaten

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Feldeffekttransistoren der Serie KP504. Vergleichsdaten

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Feldeffekt-n-Kanal-Siliziumtransistoren KP504A-KP504E mittlerer Leistung mit isoliertem Gate und Kanalanreicherung werden in planarer Epitaxietechnologie hergestellt. Das Gerät ist mit einer eingebauten, in Sperrrichtung vorgespannten Schutzdiode ausgestattet, die zwischen Source und Drain geschaltet ist.

Transistoren sind für den Einsatz in Sekundärstromversorgungen mit transformatorlosem Eingang, in Reglern, Stabilisatoren und Spannungswandlern mit kontinuierlicher und gepulster Steuerung, in Antriebseinheiten von Elektromotoren mit geringer Leistung und anderen Haushalts- und Industriegeräten konzipiert.

Die Geräte sind in einem Kunststoffgehäuse KT-26 (TO-92) mit starren, gestanzten, verzinnten Anschlüssen verpackt (Abb. 1). Ausländisches Analogon des Transistors KP504A -BSS88.

Feldeffekttransistoren der Serie KP504

Hauptmerkmale bei Tacr.av = 25±10°С

Schwellenspannung V bei einem Drain-Strom von 1 mA und einer mit dem Gate verbundenen Source. . .0,6...2
Offener Kanalwiderstand, Ohm, nicht mehr, mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 300 μs und ihrem Arbeitszyklus von mindestens 50, mit einem Drain-Strom von 0,25 A und einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V für KP504A-KP504V, KP504D, KP504E ... 8
KP504G......10
Offener Kanalwiderstand, Ohm, nicht mehr, mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 300 μs und ihrem Arbeitszyklus von mindestens 50, mit einem Drain-Strom von 14 mA und einer Gate-Source-Spannung von 1,8 V für KP504A-KP504V, KP504D, KP504E ... 15
KP504G......18
Rest-Drain-Strom, µA, nicht mehr, bei der maximal zulässigen Drain-Source-Spannung und einer Gate-Source-Spannung von Null ...... 1
Gate-Leckstrom, μA, nicht mehr, bei Null Drain-Source-Spannung und Gate-Source-Spannung ±20 V ......±0,1
Die Steigung der Strom-Spannungs-Kennlinie, A/V, nicht kleiner, bei einer Impulsdauer von nicht mehr als 300 μs und einem Tastverhältnis von mindestens 50, bei einer Drain-Source-Spannung von 5 V und einem Drain-Strom von 0,25 A … 0,14
Konstante Durchlassspannung der Schutzdiode, V, nicht mehr, mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 300 μs und einem Arbeitszyklus von mindestens 50, bei einer Gate-Source-Spannung von Null und einem Strom durch die Diode von 0,5 A für
KP504A, KP504V-KP504D......1,3
KP504B, KP504E......1,8

Wärmewiderstand Quarz-Umgebung, °С/W, max, z

KP504A, KP504B......125
KP504V-KP504E......177
Kapazität* des Transistors, pF, nicht mehr, bei Null Gate-Source-Spannung, Drain-Source-Spannung 25 V und Frequenz 1 MHz Eingang ...... 140
Wochenende ...... 30
Durchgang......9

* Referenzparameter.

Grenzwerte

Die höchste Drain-Source-Spannung, V, für KP504A, KP504B, KP504D, KP504E ...... 240
KP504V......200
KP504G......250
Maximale Gate-Source-Spannung, V ...... ± 10
Maximale Gleichstromaufnahme*, mA, z
KP504A, KP504B......250
KP504V, KP504D, KP504E......200
KP504G......180
Der höchste gepulste Strom * Drain, A ...... 1
Die höchste konstante Verlustleistung**, W, bei einer Umgebungstemperatur von nicht mehr als 25 °C, für KP504A, KP504B ...... 1
KP504V-KP504E......0,7
Die höchste Temperatur des Kristalls, ° С ...... 150
Betriebstemperaturbereich der Umgebung, °С......-55...+125

* Vorausgesetzt, dass die Grenzwerte der Verlustleistung und der Temperatur des Kristalls nicht überschritten werden

** Bei einer Umgebungstemperatur Tacr.avg von +25 bis +125 °C muss die maximale Verlustleistung Pmax gemäß der Formel Рmax = (Тcr max - Tacr.avg)/RT.cr-avg reduziert werden, wobei Тcr max die höchste Temperatur des Kristalls ist; RT.cr-sr – thermischer Widerstand der Kristallumgebung.

Zulässiger Wert des statischen Potentials - 30 V gemäß OST 11 073.062. Betriebsart und Bedingungen für den Einbau von Transistoren in Geräte – gemäß OST 11 336.907.0.

Im Folgenden werden die wichtigsten grafischen typischen Abhängigkeiten der Parameter von Transistoren der KP504-Serie dargestellt. Auf Abb. In Abb. 2, a und b zeigen die Ausgangskennlinien bei zwei Werten der Umgebungstemperatur und in Abb. 3 - Abhängigkeit des Drain-Stroms von der Gate-Source-Spannung. Auf Abb. Abbildung 4 zeigt die normalisierte Abhängigkeit des Widerstands des offenen Kanals des Geräts von der Temperatur (RK ist das Verhältnis des aktuellen Kanalwiderstands zum Widerstand bei einer Kristalltemperatur von +25 °C).
Reis. Abb. 5 veranschaulicht die Temperaturänderung der Schwellenspannung und Abb. 6 - die maximal zulässige konstante Verlustleistung. Die Grafik in Abb. 7. Die Abhängigkeit der Steigung der Strom-Spannungs-Kennlinie und des Widerstands des offenen Kanals vom Drain-Strom ist in Abb. dargestellt. 8 bzw. 9. Die Leistungsfähigkeit der eingebauten Schutzdiode ist in Abb. dargestellt. 10.

(zum Vergrößern klicken)

Autor: V. Kiselev, Minsk, Weißrussland

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