Transistoren der Serie KT6113. Vergleichsdaten

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Transistoren der Serie KT6113. Vergleichsdaten

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Die Silizium-NPN-Transistoren KT6113A-KT6113E mittlerer Leistung sind für den Betrieb in den Eingangs- und Zwischenstufen von Hochfrequenzverstärkern, in Frequenzumrichtern und anderen Einheiten und Blöcken elektronischer Geräte für ein breites Anwendungsspektrum konzipiert.

Transistoren werden mithilfe der planaren Epitaxietechnologie hergestellt. Sie sind in einem Kunststoffgehäuse KT-26 (gemäß der europäischen Klassifizierung TO-92) untergebracht. Die Gehäusezeichnung ist in Abb. dargestellt. 1. Masse des Geräts – nicht mehr als 0,3 g.

Transistoren der Serie KT6113

Ausländische Analoga der Transistoren KT6113A, KT6113E - SS9018D bzw. SS9018I.

Elektrische Haupteigenschaften bei Tacr avg = 25°C

Kollektor-Emitter-Grenzspannung, V, nicht weniger als, bei einem Kollektorstrom von 10 mA, Null-Basisstrom, Impulsdauer nicht mehr als 300 μs und ihr Arbeitszyklus 100 oder mehr … 15
Rückwärtskollektorstrom, mA, nicht mehr, bei einer Kollektor-Basis-Spannung von 12 V und einem Emitterstrom von Null......50
Rückwärtsemitterstrom, μA, nicht mehr, bei einer Basis-Emitter-Spannung von 5 V und einem Kollektorstrom von Null ...... 10
Statischer Stromübertragungskoeffizient der Basis bei einer Kollektor-Basis-Spannung von 5 V und einem Emitterstrom von 1 mA für KT6113A ...... 28 ... 45
KT6113B......39...60
KT6113V......54...80
KT6113G......72...108
KT611ZD......97...146
KT6113E......32...198
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, V, nicht mehr, bei einem Kollektorstrom von 10 mA und einem Basisstrom von 1 mA......0,5
Grenzfrequenz des Stromübertragungskoeffizienten, MHz, nicht kleiner als, bei einer Kollektor-Emitter-Spannung von 5 V und einem Kollektorstrom von 5 mA......700
Kollektorübergangskapazität, pF, nicht mehr, bei einer Kollektor-Basis-Spannung von 10 V und einem Emitterstrom von Null bei einer Frequenz von 1 MHz ...... 1,7
Wärmewiderstandsübergang - Umgebung, °C / W, nicht mehr ...... 312,5

Grenzwerte

Die höchste Kollektor-Basis-Spannung, V ...... 30
Die höchste Kollektor-Emitter-Spannung, ...... 15
Die höchste Emitter-Basis-Spannung, V ...... 5
Der höchste DC-Kollektorstrom, mA......50
Konstante Verlustleistung des Kollektors, mW.....400
Maximale Übergangstemperatur, °С......150
Grenzen der Betriebsumgebungstemperatur, °С ..... -45...+85

Es ist nicht erlaubt, einen Transistor in einem Modus zu verwenden, in dem zwei (oder mehr) Parameter maximal zulässige Werte haben. Gleichzeitig wird davon abgeraten, Transistoren im gesamten Temperaturbereich mit einem Betriebsstrom zu betreiben, der einem unkontrollierten Sperrstrom entspricht.

Für den Einbau von Geräten ist ein einmaliges Biegen der Leitungen nicht näher als 2 mm vom Körper entfernt mit einem Krümmungsradius von mindestens 1,5 mm zulässig; In diesem Fall müssen Maßnahmen ergriffen werden, die eine Kraftübertragung auf den Körper ausschließen. Der Abstand vom Gehäuse zur Löt- oder Verzinnungsstelle sollte nicht weniger als 3 mm betragen. Wenn es erforderlich ist, das Gerät an einen Stromkreis anzuschließen, der unter Spannung steht, sollte der Basisanschluss zuerst angeschlossen und zuletzt getrennt werden.

Grafische Abhängigkeiten der Parameter von Transistoren der KT6113-Serie sind in Abb. 2 dargestellt. 2b. Die Ausgangsstrom-Spannungs-Kennlinien des nach der gemeinsamen Emitterschaltung angeschlossenen Geräts sind in Abb. XNUMX dargestellt. XNUMX.

Transistoren der Serie KT6113

Typische Abhängigkeiten des statischen Stromübertragungskoeffizienten vom Kollektorstrom und der Grenzfrequenz des statischen Koeffizienten sind in Abb. 3 dargestellt. In den Abbildungen 4 und 5 sind die Kollektor-Emitter- und Basis-Emitter-Sättigungsspannungen in den Abbildungen dargestellt. 6. Eine typische Abhängigkeit der Kollektorübergangskapazität von der DC-Kollektor-Basis-Spannung ist in Abb. dargestellt. XNUMX.

Transistoren der Serie KT6113

Autor: V.Kisilev, Minsk, Weißrussland

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