Thyristorschalter der Serien KR1125KP2 und KR1125KPZ. Vergleichsdaten

Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Referenzmaterialien

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Die Mikroschaltungen KR1125KPZA - KR1125KPZV sind komplementäre Paare von Transistoranaloga von Dinistoren, die im gleichen Gehäuse untergebracht sind. Sie sind für den Einsatz in Geräten zur Phasensteuerung von Wechselstrom und anderen Impulsgeräten (Zündeinheiten für Hochleistungs-Gasentladungslampen, selbsterzeugende Sägezahnimpulse usw.) konzipiert. Ausländisches Äquivalent - BR100/03.

Die Geräte werden auf einem 1,2 x 1,2 mm großen Kristall mithilfe der Planardiffusionstechnologie mit pn-Übergangsisolierung hergestellt. Gehäuse - Kunststoff, KT-26 (Abb. 1); Gewicht - nicht mehr als 0,3 g. Eine Gestaltungsmöglichkeit für das Open-Frame-Design des Schalters ist ebenfalls vorgesehen.

Der Schaltkreis des Schalters und seine Pinbelegung sind in Abb. 2 dargestellt. XNUMX.

Das Gerät besteht aus zwei identischen Transistoranalogen des Dinistors, die Rücken an Rücken in Reihe geschaltet und in einem gemeinsamen Gehäuse montiert sind. Die Zenerdiodenschaltungen VD1-VD3 und VD5-VD7 legen die Öffnungsspannung der Dinistoren fest. Beim Schalter KR1125KPZA ist also eine Zenerdiode in diese Stromkreise geschaltet, beim KR1125KPZB zwei und beim KR1125KPZV drei.

Die Strom-Spannungs-Kennlinie des Geräts ist in Abb. dargestellt. 3. Es ist leicht zu erkennen, dass es symmetrisch zu den Nullkoordinaten ist. Die Schaltkreise VD4R3 und VD8R7 sorgen für den Fluss des Anodenstroms durch das Gerät und umgehen das entsprechende Analogon des Dinistors, wenn die Sperrspannung an ihn angelegt wird. Mit den Widerständen R3, R4 und R7, R8 können Sie ein Analogon eines Dinistors ohne zusätzlichen Strombegrenzungswiderstand verwenden.

Wichtigste technische Eigenschaften*

• Schaltspannung (Öffnungsspannung), V, bei Temperaturen von -60, 25 und 85 °C für KR1125KPZA......8,5 ± 1
• KR1125KPZB......15±1
• KR1125KPZV......21 ±2
• Temperaturkoeffizient der Schaltspannung, mV/°С, max......2
• Konstante Spannung an einem offenen Dynistor, V, bei einem Durchlassstrom von 50 mA und einer Temperatur von 25 °C .....1,2...3,5**
• Schulterasymmetrie in Schaltspannung, V, nicht mehr, bei einer Temperatur von 25°С......1
• Schaltstrom, mA, nicht mehr, bei Temperaturen von 25 und 85°C......0,15
• Strom, der den Dinistor im offenen Zustand hält, mA, nicht mehr, bei einer Temperatur von -10...+85°C......1
• Einschaltzeit, nein, nicht mehr, bei einem Strombegrenzungswiderstand von 1 kOhm und einer Temperatur von 25°C......80

Betriebsgrenzen

• Spannungsanstiegsgeschwindigkeit an einem geschlossenen Dinistor, V/µs, nicht mehr, bei einer Temperatur von -60...+85°C ... .0,1
• Wiederholter Impulsstrom eines offenen Dinistors, A, mit einer Impulswiederholungsrate von nicht mehr als 50 Hz, die Kapazität des Speicherkondensators im Anodenkreis beträgt nicht mehr als 1 μF, der Widerstand des Messwiderstands beträgt 1 Ohm und die Temperatur beträgt -60...+85°C...... 0,6...3
• Maximale Verlustleistung eines offenen Dinistors, W, bei einer Temperatur von -60...+50°C......250
• +85°C......20
• Die höchstzulässige statische Spannung, kV ...... 2
• Betriebstemperaturbereich, °С......-60...+85

Beide Widerstände des Gerätes können sowohl paarweise als auch unabhängig voneinander genutzt werden. In diesem Fall muss der Wert des sich wiederholenden Impulsstroms des offenen Dinistors auf 0,25...1,2 A und die Schaltspannung für KR1125KPZA auf 7...9 V und für KR1125KZB auf 13,5... reduziert werden. 15,5 V und für KR1125KPZV - bis zu 18,5...22,5 V. Die Sperrspannung jedes der Dinistoren beträgt 1,5 V bei einem Sperrstrom von 10 mA.

Dynistor-Schalter der Serie KR1125KPZ können unter den angegebenen Betriebsbedingungen als Impulsformer arbeiten. Die Pulswiederholrate wird durch die zulässige Anstiegsgeschwindigkeit der Anodenspannung bestimmt.

Beim Betrieb der Mikroschaltung im Temperaturbereich -60...+60°C ist es möglich, die Spannungsanstiegsgeschwindigkeit an einem geschlossenen Dynistor auf 1 V/µs zu erhöhen.

Die Mikroschaltungen sind für die Montage auf einer Leiterplatte mittels Gruppenlöten geeignet. Bei der manuellen Installation sollte die Temperatur des Lötkolbens 265 °C nicht überschreiten und die Lötzeit sollte 4 s nicht überschreiten. Die zulässige Anzahl der Nachlötungen beträgt 2. Die Lötstelle sollte nicht näher als 3 mm vom Gehäuserand entfernt sein. Die Leitungen können einmalig in einem Winkel von bis zu 90 Grad gebogen werden, wobei der Biegeradius mindestens 2,2 mm beträgt. Der Biegepunkt sollte nicht näher als drei Millimeter vom Körper entfernt sein; Biegekräfte dürfen nicht auf das Gehäuse übertragen werden.

In Abb. Die Abbildungen 4, 5 und 6 zeigen typische Temperaturabhängigkeiten des Dinistor-Haltestroms im offenen Zustand, des Schaltstroms bzw. des Verhältnisses des Haltestroms zum Schaltstrom.

Das Diagramm eines Phasenleistungsreglers mit einer Mikroschaltung der Serie KR1125KPZ im Thyristorsteuergerät ist in Abb. dargestellt. 7.

Das Gerät nutzt nur einen Arm des VS2-Dinistorschalters. Der Kondensator C1 ist ein Speicherkondensator, der Widerstand R3 ist eine Leistungssteuereinheit. Der Widerstand R2 begrenzt den Strom durch den Steuerkreis in der oberen Position des Schiebers des Widerstands R3; Widerstand R1 ist ein Moduswiderstand, der einen reibungslosen Betrieb des Thyristors VS1 bei erhöhten Temperaturen seines Gehäuses gewährleisten soll. Der Dinistorschalter VS2 übernimmt die Rolle eines Auslöseelements. Die Diode VD1 bietet Leistungssteuergrenzen von 50 bis 100 %.

In Abb. Abbildung 8 zeigt ein Diagramm eines ähnlichen Leistungsreglers, montiert auf dem Triac VS1. Dabei erzeugt der Dinistorschalter VS2 bipolare Steuerimpulse – beide Schalterarme werden genutzt.

Der Mikroschaltkreis KR1125KP2 unterscheidet sich vom KR1125KPZ hauptsächlich dadurch, dass es sich nicht um einen Doppelarmschalter, sondern um einen Einarmschalter handelt. Der Fall ist derselbe, aber die Pinbelegung ist unterschiedlich (Abb. 9); Gewicht - nicht mehr als 0,3 g. Ausländisches Analogon - 4E20-28.

Da der Schalter KR1125KP2 nur über ein Dinistor-Analogon verfügt, ist seine Strom-Spannungs-Kennlinie asymmetrisch (Abb. 10).

Wichtigste technische Merkmale

• Schaltspannung (Öffnungsspannung), V, bei Temperaturen von -60, 25 und 85 °C......21 ±3
• Temperaturkoeffizient der Schaltspannung, mV/°С, max......2
• Konstante Spannung an einem offenen Dynistor, V, bei einem Durchlassstrom von 50 mA und einer Temperatur von 25 °C......1,2...3,5*
• Schaltstrom, mA, nicht mehr, bei einer Temperatur von 25 und 85°С......0,13
• Strom, der den Dinistor im offenen Zustand hält, mA, nicht mehr, bei einer Temperatur von 25°C......3
• 85°C......0,5
• Einschaltzeit, nein, nicht mehr, bei einem Strombegrenzungswiderstand von 1 kOhm und einer Temperatur von 25°C......80

* Ohne Innenwiderstand - nicht mehr als 1 V.

Betriebsgrenzen

• Spannungsanstiegsgeschwindigkeit an einem geschlossenen Dinistor, V/µs, nicht mehr, bei einer Temperatur von -60...+85°C ... .0,1
• Wiederholter Impulsstrom eines offenen Dinistors, A, bei einer Impulswiederholfrequenz von nicht mehr als 50 Hz, einer Speicherkondensatorkapazität von 1 μF, einem Messwiderstandswiderstand von 1 Ohm und einer Temperatur von -60...+85°C .....0,25.-1,2 ,XNUMX
• Maximale Verlustleistung eines offenen Dinistors, W, bei einer Temperatur von -60...+50°C......250
• +85°C......20
• Betriebstemperaturbereich, °С......-60...+85

In Abb. Abbildung 11 zeigt eine typische Temperaturabhängigkeit des Dinistor-Schaltstroms und Abb. 12 - das Verhältnis seines Haltestroms zum Schaltstrom.

Eine typische Schaltung zum Anschluss der Mikroschaltung KR1125KP2 an einen Thyristor-Leistungsregler ähnelt der in Abb. 7. In Abb. In Abb. 13 zeigt ein Diagramm einer gepulsten Zündvorrichtung für Hochleistungs-Gasentladungs-Straßenlichtquellen.

Hier sind L1 und T1 Standard-Vorschaltdrossel und Impulstransformator.

Autor: A.Nefedov, Moskau

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