Ergänzende Transistoren KT529A und KT530A. Vergleichsdaten

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Ergänzende Transistoren KT529A und KT530A. Vergleichsdaten

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Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Referenzmaterialien

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Ein komplementäres Transistorpaar KT529A (pn-p) und KT530A (npn) mit niedriger Sättigungsspannung wird in Epitaxie-Planar-Technologie hergestellt. Die Geräte sind in einem Kunststoffgehäuse KT-26 mit starren, gestanzten, verzinnten Anschlüssen untergebracht (Abb. 1).

Komplementäre Transistoren KT529A und KT530A

Gewicht des Geräts - nicht mehr als 0,3 g.

Transistoren sind für den Betrieb in Schalt- und Impulseinheiten von Geräten mit breitem Anwendungsbereich konzipiert.

Hauptmerkmale bei Tacr.av = 25±10°C

Rückwärtskollektorstrom, µA, nicht mehr, bei einer Kollektor-Basis-Spannung von 80 V......1
Sperremitterstrom, μA, nicht mehr, bei einer Basis-Emitter-Spannung von 4V......1
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, V, nicht mehr, bei einem Kollektorstrom von 300 mA und einem Basisstrom von 10 mA......0,2
typischer Wert......0,13
Statischer Basisstromübertragungskoeffizient, nicht kleiner, bei einer Kollektor-Emitter-Spannung von 5 V und einem Kollektorstrom von 300 mA......180
typischer Wert......250
Grenzspannung, V, nicht weniger, bei Emitterstrom 10 mA......40
typischer Wert......45
Basisstromübertragungskoeffizientenmodul bei hoher Frequenz, nicht weniger, bei einer Kollektor-Emitter-Spannung von 5 V, einem Emitterstrom von 300 mA und einer Frequenz von 100 MHz...... 1,5

Grenzwerte

Kollektor-Emitter mit der höchsten Gleichspannung, V ...... 60
Die Emitter-Basis mit der höchsten konstanten Spannung, V ...... 4
Der höchste Kollektorgleichstrom, A, sofern die zulässige Verlustleistung nicht überschritten wird......1
Maximale konstante Verlustleistung, W, bei Umgebungstemperatur -60...+25°C......0,5
+85 °C......0,25
Arbeitsbereich Umgebungstemperatur, °C......-60...+85

In Abb. Abbildung 2 zeigt eine typische Abhängigkeit des statischen Übertragungskoeffizienten des Basisstroms h21e der Transistoren KT529A und KT530A vom Kollektorstrom Ik, in Abb. 3 - aus der Kollektor-Emitter-Spannung Uke, und in Abb. 4 - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Uke us vom Basisstrom IB bei unterschiedlichen Werten des Kollektorstroms Ik.

Komplementäre Transistoren KT529A und KT530A

Ein Ausschnitt der in Abb. gezeigten Schaltung. In Abb. 5 zeigt eine der möglichen Anwendungen der beschriebenen Geräte, insbesondere des KT530A-Transistors.

In Fernbedienungen für moderne Fernseher werden Feldeffekttransistoren KP505G mit isoliertem Gate (ausländisches Funktionsanalog - IRML24) als Ausgangsstromverstärker verwendet. Die Betriebsart des Transistors ist das Schalten, die Last ist eine Infrarot-emittierende Diode. Dieser Verstärker muss den geringstmöglichen Kanalwiderstand bei minimalem Eingangsstromverbrauch bieten. Diese strengen Anforderungen bestimmen die sehr hohen Kosten des Transistors.

Die Verwendung des KT6A-Transistors im Ausgangsstromverstärker der RC5-505-Fernbedienung des belarussischen Fernsehsenders „Horizon“ anstelle des KP530G (siehe Abb. 5) ermöglichte neben einer deutlichen Reduzierung der Kosten der Fernbedienung auch eine deutliche Reduzierung Erweitern Sie seinen Aktionsbereich, sowohl in der Entfernung zum Fernseher als auch im Sichtwinkel. Der Widerstandswert des Begrenzungswiderstands R1 wird durch den Mindestwert des statischen Übertragungskoeffizienten des Basisstroms des Transistors VT1 (>200), den Betriebsstrom der Sendediode BI1 (600 mA) und die Mindestamplitude des Signals bestimmt der MDATA-Ausgang (Pin 7) der DD1-Mikroschaltung (ausländisches Analogon - INA3010D).

Mit steigender Umgebungstemperatur von +25 auf +85°C sinkt der maximal zulässige Wert der Verlustleistung nach einem linearen Gesetz.

Autor: A. Shtyrev

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