Leistungsstarker Feldeffekttransistor KP784A. Vergleichsdaten

Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Referenzmaterialien

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Silizium-p-Kanal-Transistoren KP784A mit isoliertem Gate und Kanalanreicherung sowie integrierter Schutzdiode werden in Epitaxie-Planar-Technologie hergestellt. Die Geräte sind für den Betrieb in Sekundärstromversorgungen mit transformatorlosem Eingang, in Reglern, Stabilisatoren und Spannungswandlern mit kontinuierlicher und Impulssteuerung, in Computer-Netzteilen, in Antriebsgeräten für Elektromotoren und anderen Geräten mit breitem Anwendungsbereich konzipiert.

Die Transistoren sind in einem Kunststoffgehäuse KT-28-2 (TO-220AV) mit starren, gestanzten, verzinnten Anschlüssen untergebracht (Abb. 1).

Gewicht des Geräts - nicht mehr als 2,5 g.

Ausländisches Analogon des Transistors KP784A - IRF9Z34.

Wichtigste technische Merkmale

• Schwellenspannung, V, bei einem Drainstrom von 0,25 mA und verbundenem Gate und Source.....2...4
• Offener Kanalwiderstand, Ohm, nicht mehr, mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 300 μs und einem Arbeitszyklus von mindestens 50, mit einem Drain-Strom von 11 A und einer Gate-Source-Spannung von 10 V.....0,14
• Rest-Drain-Strom, µA, nicht mehr, bei einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer Gate-Drain-Spannung von Null ..... 100
• Gate-Leckstrom, µA, nicht mehr, bei Gate-Source-Spannung ±20 V und Null Drain-Source-Spannung ... ±0,1
• Steigung der Strom-Spannungs-Kennlinie, A/V, nicht kleiner, mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 300 ms und einem Arbeitszyklus von mindestens 50, mit einer Drain-Source-Spannung von 25 V und einem Drain-Strom von 11 A .....5,9
• Konstante Durchlassspannung der Schutzdiode, V, nicht mehr, mit einer Impulsdauer von weniger als 300 ms und einem Arbeitszyklus von mehr als 50, mit einer Gate-Source-Spannung von Null und einem Drain-Strom von 18 A.....6,3
• Maximale Betriebsfrequenz, MHz.....1
• Wärmewiderstand Übergangsgehäuse, °С/W, max.....1,7
• Einschaltverzögerungszeit, nein, nicht mehr, bei einer Drain-Source-Spannung von 30 V, einem Drain-Strom von 18 A und einem Ausgangswiderstand der Signalquelle von 12 Ohm.....40
• typischer Wert.....20
• Transistorkapazität, pF, nicht mehr, bei einer Drain-Source-Spannung von 25 V, einer Gate-Source-Spannung von Null und einer Frequenz von 1 MHz, Eingang ..... 1540
• Ruhetag.....660
• Kontrollpunkt.....140
• Die Anstiegszeit des Drain-Stroms ohne Schmerzen bei einer Drain-Source-Spannung von 30 V, einem Drain-Strom von 18 A und einem Ausgangswiderstand der Signalquelle von 12 Ohm ... 240
• typischer Wert.....120
• Abklingzeit des Drain-Stroms, nein, nicht mehr, bei einer Drain-Source-Spannung von 30 V, einem Drain-Strom von 18 A und einem Ausgangswiderstand der Signalquelle von 12 Ohm.....116
• typischer Wert.....58

* Bei Gehäusetemperatur 25 °С.

Grenzwerte

• Die höchste Drain-Source-Spannung, V ..... 60
• Maximale Gate-Source-Spannung, V.....+20
• Der höchste Gleichstrom * Drain, A ..... 18
• Der höchste gepulste Strom * Drain, A ..... 72
• Die höchste Dauerverlustleistung, W, bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C ** ..... 88
• Die höchste Übergangstemperatur, ° С..... 175
• Arbeitsbereich der Umgebungstemperatur, °С.....-55...+150

* Vorausgesetzt, dass die Maximalwerte der Verlustleistung und Sperrschichttemperatur nicht überschritten werden.

** Im Bereich der Gehäusetemperatur Tkorp +25...+150 °C muss die maximale Leistung entsprechend der Formel reduziert werden

Рmax =(Tnepmax -Tcorp)/Rt.n-k wobei Tnepmax die höchste zulässige Übergangstemperatur ist; Rt.n-k – Wärmewiderstand des Anschlussgehäuses.

Der zulässige Wert des statischen Potentials beträgt 200 V (Steifigkeitsgrad III gemäß OST 11073.062). Die Betriebsart und die Bedingungen für den Einbau von Transistoren in das Gerät müssen OST 11336.907.0 entsprechen (siehe Artikel von V. Kiselev „Feldeffekttransistoren der Serie KP737„in „Radio“, 2002, Nr. 5, S. 47, 48). Bei Installations- und Montagearbeiten sind nicht mehr als drei Umlötungen der Transistoranschlüsse zulässig.

Die wichtigsten typischen grafischen Abhängigkeiten der Parameter des KP784A-Transistors sind in Abb. dargestellt. 2-5.

In Abb. 2,a und b zeigen die Abhängigkeiten des Drain-Stroms Ic von der Drain-Source-Spannung Usi bei zwei Werten der Gehäusetemperatur Tcorp – 25±10 und 150 °C, und in Abb. 3 - aus der Gate-Source-Spannung Uzi.

Die Änderung des Kanalwiderstands RK eines offenen Transistors im Arbeitsbereich der Sperrschichttemperatur ist in Abb. dargestellt. 4 (RK – aktueller Wert des Kanalwiderstands; Rк25 – Kanalwiderstand bei Tper = 25 °C).

Die Abhängigkeit der Eingangs-, Ausgangs- und Durchgangskapazität von der Drain-Source-Spannung ist in Abb. dargestellt. 5.

Autor: V. Kisilei, Minsk, Weißrussland

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