Feldeffekttransistoren. Typische Anwendungen. Vergleichsdaten

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ENZYKLOPÄDIE DER FUNKELEKTRONIK UND ELEKTROTECHNIK
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Feldeffekttransistoren. Typische Anwendungen. Vergleichsdaten

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Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Referenzmaterialien

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Transistor	Termin
2P101	zum Betrieb in den Eingangsstufen von Niederfrequenz- und Gleichstromverstärkern mit hoher Eingangsimpedanz
KP102	zum Betrieb in den Eingangsstufen von Niederfrequenz- und Gleichstromverstärkern mit hoher Eingangsimpedanz
2P103 2P103-9	zum Betrieb in den Eingangsstufen von Niederfrequenz- und Gleichstromverstärkern mit hoher Eingangsimpedanz
2PS104	zum Betrieb in den Eingangsstufen von rauscharmen Differenzverstärkern niedriger Frequenz und Gleichstrom mit hoher Eingangsimpedanz
2P201	zum Betrieb in den Eingangsstufen von Niederfrequenz- und Gleichstromverstärkern mit hoher Eingangsimpedanz
2PS202	zum Betrieb in den Eingangsstufen von rauscharmen Differenzverstärkern niedriger Frequenz und Gleichstrom mit hoher Eingangsimpedanz
KPS203	zum Betrieb in den Eingangsstufen von rauscharmen Differenzverstärkern niedriger Frequenz und Gleichstrom mit hoher Eingangsimpedanz
KP301	für den Einsatz im Frontend von rauscharmen Verstärkern und nichtlinearen Kleinsignalschaltungen mit hoher Eingangsimpedanz
KP302	zum Einsatz in Breitbandverstärkern im Frequenzbereich bis 150 MHz, sowie in Schalt- und Schaltgeräten
KP303	Entwickelt für den Einsatz in den Eingangsstufen von Verstärkern mit hohen (D, E, I) und niedrigen (A, B, C, G) Frequenzen mit hoher Eingangsimpedanz. KP303G-Transistoren sind für den Einsatz in ladungsempfindlichen Verstärkern und anderen Kernspektrometrieschaltungen konzipiert.
KP304	Entwickelt für den Einsatz in Schalt- und Verstärkerschaltungen mit hoher Eingangsimpedanz
2P305	Entwickelt für den Einsatz in Hoch- und Niederfrequenzverstärkerstufen mit hoher Eingangsimpedanz
KP306	Entwickelt für den Einsatz in Wandler- und Verstärkerstufen für hohe und niedrige Frequenzen mit hoher Eingangsimpedanz
KP307	Entwickelt für den Einsatz in den Eingangsstufen von Hoch- und Niederfrequenzverstärkern mit hoher Eingangsimpedanz. KP307Zh-Transistoren sind für den Einsatz in ladungsempfindlichen Verstärkern und anderen Kernspektrometrieschaltungen konzipiert.
2P308-9	Konzipiert für den Einsatz in den Eingangsstufen von Niederfrequenz- und Gleichstromverstärkern (A, B, C), in Schaltkreisen und Schaltkreisen (G, D) mit hoher Eingangsimpedanz.
KP310	zur Verwendung in Mikrowellen-Transceivern
KP312	Konzipiert für den Einsatz in den Eingangsstufen von Verstärkern und Wandlern im Mikrowellenbereich
KP313	Entwickelt für den Einsatz in Hoch- und Niederfrequenzverstärkerstufen mit hoher Eingangsimpedanz
KP314	zur Verwendung in gekühlten Vorverstärkerkaskaden von Kernspektrometriegeräten
KPS315	zum Betrieb in den Eingangsstufen von rauscharmen Differenzverstärkern niedriger Frequenz und Gleichstrom mit hoher Eingangsimpedanz
KPS316	zum Betrieb in den Eingangsstufen von Differenzverstärkern, symmetrische Schaltungen für verschiedene Zwecke mit hoher Eingangsimpedanz
3P320-2	Arsenidogallium-Feldeffekttransistoren mit Schottky-Barriere für Mikrowellenverstärkungsgeräte mit normalisierter Rauschzahl bei einer Frequenz von 8 GHz
3P321-2	Arsenidogallium-Feldeffekttransistoren mit Schottky-Barriere für Mikrowellenverstärkungsgeräte mit normalisierter Rauschzahl bei einer Frequenz von 8 GHz
KP322	Tetrode auf PN-Übergangsbasis für Verstärker- und Mischstufen bei Frequenzen bis 400 MHz
KP323-2	p-n-Sperrschichttransistor für rauscharme Vorverstärker niedriger und hoher Frequenzen (bis 400 MHz)
3P324-2	Arsenidogallium-Feldeffekttransistoren mit Schottky-Barriere für Mikrowellenverstärkungsgeräte mit normalisierter Rauschzahl bei einer Frequenz von 12 GHz
3P325-2	Arsenidogallium-Feldeffekttransistoren mit Schottky-Barriere und normalisierter Rauschzahl bei einer Frequenz von 8 GHz für Mikrowellengeräte mit geringem Rauschen sowie für Fotodetektoren mit geringem Eigenrauschen
3P326-2	17.4-GHz-Schottky-Barriere-FETs für den Einsatz in rauscharmen Front-End- und Downstream-Verstärkern
KP327	MOS-Tetrode mit n-Kanal und diodengeschützten Gates für VHF- und UHF-Fernsehkanalwähler
3P328-2	Arsenidogallium-Feldeffekttransistoren mit Schottky-Barriere und normalisierter Rauschzahl bei einer Frequenz von 8 GHz für den Einsatz in der Eingangs- und Folgestufe rauscharmer Verstärker
KP329	für den Einsatz in den Eingangsstufen von Verstärkern niedriger und hoher Frequenz (bis 200 MHz), in Schaltgeräten und Schaltern mit hoher Eingangsimpedanz
3P330-2	Galliumarsenid-Feldeffekttransistoren mit Schottky-Barriere und normalisierter Rauschzahl bei einer Frequenz von 25 GHz (3P330A-2, 3P330B-2) und 17.4 GHz (3P330V-2) für den Einsatz in der Eingangs- und Folgestufe rauscharmer Verstärker
3P331-2	Arsenidogallium-Feldeffekttransistoren mit Rauschzahl für 10-GHz-Schottky-Barriere für rauscharme Verstärkeranwendungen mit erweitertem Dynamikbereich
2P332	p-Kanal-Feldeffekttransistor zum Schalten und Verstärken von Geräten
2P333	Feldeffekt-n-Kanal-Transistor für den Einsatz in den Eingangsstufen von Verstärkern niedriger und hoher Frequenz (bis 200 MHz), in Schaltgeräten und Schaltern mit hohem Eingangswiderstand
2P335-2	für Verstärkergeräte
2P336-1	zum Schalten und Verstärken von Geräten
2P337-R	Paarweise nach elektrischen Parametern ausgewählte Transistoren sind für den Einsatz in symmetrischen Verstärkern und Differenzverstärkern mit hoher Eingangsimpedanz bei Frequenzen bis 400 MHz ausgelegt
2P338-R1	Transistoren, die paarweise nach elektrischen Parametern ausgewählt werden, sind für den Einsatz in symmetrischen Verstärkern und Differenzverstärkern mit hoher Eingangsimpedanz ausgelegt
3P339-2	Rauschbewertete Schottky-FETs bei 8 und 17.4 GHz für den Einsatz in rauscharmen Verstärkern mit erweitertem Dynamikbereich und Breitbandverstärkern
2P341	Transistor mit pn-Übergang für Eingangsstufen von rauscharmen Verstärkern im Frequenzbereich 20 Hz - 500 MHz
KP342	für Schaltgeräte
3P343-2	12-GHz-Schottky-Barriere-FETs für den Einsatz in rauscharmen Front-End- und Downstream-Verstärkern
3P344-2	4-GHz-Schottky-Barriere-FETs für den Einsatz in rauscharmen Front-End- und Downstream-Verstärkern
3P345-2	Galliumarsenid-Feldeffekttransistoren mit Schottky-Barriere für den Einsatz in Fotodetektoren mit geringem Eigenrauschen
KP346-9	MOS-n-Kanal-Doppelgate-Transistor mit diodengeschützten Gates für Kanalwähler von Fernsehempfängern (A, B – für Dezimeterwellen, C – für Meterwellen)
2P347-2	n-Kanal-Doppelgate-Transistor für die Eingangsstufen von Rundfunkempfängern
KP350	Konzipiert für den Einsatz bei der Verstärkung, Erzeugung und Umwandlung von Kaskaden mit Höchstfrequenzen (bis zu 700 MHz)
KP351	Transistoren mit Schottky-Barriere mit zwei Gates (3P351A-2) und mit einem Gate (3P351A1-2), konzipiert für den Einsatz in rauscharmen Verstärkern, Mischern und anderen Geräten im Zentimeterbereich
KP365A	BF410C n-Kanal-Transistor
KP382A	BF960 Doppel-Gate-FET-Kanalwähler DH
KP501A	Der Hochspannungs-MOSFET ZVN2120 wird als Schlüssel für die analoge Kommunikation verwendet
KP601 2P601-9	Feldeffekttransistoren mit Diffusionsgate und n-Kanal, Einsatz in der Ein- und Ausgangsstufe von Verstärkern und Frequenzumsetzern
AP602-2	Arsenidogallium-Feldeffekttransistoren mit Schottky-Barriere und n-Kanal arbeiten in Leistungsverstärkern, Selbstoszillatoren und Frequenzumsetzern im Frequenzbereich von 3-12 GHz
3P603-2	Arsenidogallium-Feldeffekttransistoren mit Schottky-Barriere und n-Kanal arbeiten in Leistungsverstärkern, Selbstoszillatoren und Frequenzumsetzern im Frequenzbereich bis 12 GHz
3P604-2	Arsenidogallium-Feldeffekttransistoren mit Schottky-Barriere und n-Kanal arbeiten in Leistungsverstärkern, Selbstoszillatoren und Frequenzumsetzern im Frequenzbereich von 3-18 GHz
3P605-2	Galliumarsenid-Feldeffekttransistoren mit Schottky-Barriere und n-Kanal arbeiten in rauscharmen Verstärkern und Verstärkern mit erweiterter Dynamik Reichweite
3P606-2	Arsenidogallium-Feldeffekttransistoren mit Schottky-Barriere und n-Kanal arbeiten in Leistungsverstärkern, Selbstoszillatoren und Frequenzumsetzern im Frequenzbereich bis 12 GHz
3P607-2	Arsenidogallium-Feldeffekttransistoren mit n-Kanal für den Betrieb in Leistungsverstärkern, Generatoren, Frequenzumsetzern im Frequenzbereich bis 10 GHz
3P608-2	Arsenidogallium-Feldeffekttransistoren mit Schottky-Barriere und n-Kanal für den Einsatz in den Endstufen von Verstärkern und Generatoren
KP701	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate für Sekundärstromversorgungen, Schalt- und Schaltgeräte mit Schaltfrequenzen bis 1 MHz
KP702	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate und n-Kanal für Sekundärstromversorgungen, Schalt- und Impulsgeräte, Schlüsselstabilisatoren und Spannungswandler, Verstärker, Generatoren
KP703	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate und p-Kanal für Sekundärstromversorgungen, Schalt- und Impulsgeräte, Schlüsselstabilisatoren und Spannungswandler, Verstärker, Generatoren
KP704	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate und n-Kanal zur Verwendung in den Ausgangsstufen von Terminal-Videoverstärkern von mehrfarbigen Grafikdisplays, in Sekundärstromversorgungen, in Schaltgeräten für elektrische Schaltkreise
KP705	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate und n-Kanal zur Verwendung in Schaltnetzteilen, in Schalt- und Schaltgeräten
KP706	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate und n-Kanal zur Verwendung in Schaltnetzteilen, in Schalt- und Schaltgeräten
KP709	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate und n-Kanal zur Verwendung in Schaltnetzteilen für Fernsehempfänger der vierten und fünften Generation, Schalt- und Impulsgeräten radioelektronischer Geräte und elektrischen Antriebsgeräten. Ähnlich wie BUZ90, BUZ90A Siemens.
KP712	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate und p-Kanal für den Betrieb in Impulsgeräten
KP717B	IRF350 MOSFET mit 400 V, 0.3 Ohm
KP718A	BUZ45 MOSFET mit 500 V, 0.6 Ohm
KP718E1	IRF453 MOSFET mit 500 V, 0.6 Ohm
KP722A	BUZ36 MOSFET mit 200 V, 0.12 Ohm
KP723A	IRF44 MOSFET mit 60 V, 0.028 Ohm
KP723B	IRF44 MOSFET mit 60 V, 0.028 Ohm
KP723V	IRF45 MOSFET mit 60 V, 0.028 Ohm
KP724G	IRF42 MOSFET mit 60 V, 0.028 Ohm
KP724A	MTP6N60 MOSFET mit 600 V, 1.2 Ohm
KP724B	IRF842 MOSFET mit 600 V, 1.2 Ohm
KP725A	TPF450 MOSFET mit 500 V, 0.4 Ohm
KP726A	BUZ90 MOSFET mit 600 V, 1.2 Ohm
KP728A	MOSFET mit 800V, 3.0 Ohm
KP801	Feldeffekttransistoren mit pn-Übergang zur Verwendung in den Ausgangsstufen von Verstärkern von Tonwiedergabegeräten
KP802	Feldeffekttransistoren mit pn-Übergang fungieren in wichtigen Schaltkreisen von DC-DC-Wandlern als Hochgeschwindigkeitsschalter
KP803	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate für sekundäre Stromversorgungen, Schalt- und Impulsgeräte sowie für wichtige Stabilisatoren und Spannungswandler, Verstärker und Generatoren
KP804	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate und n-Kanal für Hochgeschwindigkeitsschaltkreise
KP805	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate und n-Kanal zum Aufbau sekundärer Stromversorgungen mit transformatorlosem Eingang, die an einem industriellen Wechselstromnetz mit einer Frequenz von 50 Hz und einer Spannung von 220 V betrieben werden, und für andere Geräte zur Umwandlung elektrischer Energie
KP809	MOS-Transistoren für den Betrieb bei Frequenzen bis 3 MHz und höher in Schaltnetzteilen mit transformatorlosem Eingang, in Reglern, Stabilisatoren und Wandlern
KP810	Gerät mit statischer Induktion zur Verwendung in Schaltkreisen von Hochfrequenz-Stromversorgungen mit transformatorlosem Eingang, Schlüsselleistungsverstärkern
KP812	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate und n-Kanal für Schaltnetzteile, Regler, Tonfrequenzverstärker
KP813	MOS-Transistoren für den Betrieb bei Frequenzen bis 3 MHz und höher in Schaltnetzteilen mit transformatorlosem Eingang, in Reglern, Stabilisatoren und Wandlern
KP814	FETs mit isoliertem Gate und n-Kanal für Schaltnetzteile
KP901	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate sind für den Einsatz in Verstärker- und Generatorstufen im Bereich kurzer und ultrakurzer Wellenlängen (bis 100 MHz) konzipiert.
KP902	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate zur Verwendung in Empfangs- und Sendegeräten im Frequenzbereich bis 400 MHz
KP903	Feldeffekttransistoren mit pn-Übergang zur Verwendung in Empfangs-, Sende- und Schaltgeräten im Frequenzbereich bis 30 MHz
KP904	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate sind für den Einsatz in Verstärker-, Konvertierungs- und Generatorstufen im Bereich kurzer und ultrakurzer Wellenlängen konzipiert
KP905	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate zur Verstärkung und Erzeugung von Signalen im Frequenzbereich bis 1500 MHz
KP907	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate zur Verstärkung und Erzeugung von Signalen bis 1500 MHz und für schnelle Schaltanwendungen im Nanosekundenbereich
KP908	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate zur Verstärkung und Erzeugung von Signalen im Frequenzbereich bis 2.25 GHz
KP909	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate für den Betrieb in Verstärker- und Generatorgeräten im kontinuierlichen und gepulsten Modus bei Frequenzen bis 400 MHz
AP910-2	Arsenidogallium-Feldeffekttransistoren mit Schottky-Barriere und n-Kanal für den Betrieb in Leistungsverstärkern, Generatoren, im Frequenzbereich bis 8 GHz
KP911	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate für den Betrieb in Verstärker- und Generatorgeräten
KP912	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate zur Verwendung in wichtigen Spannungsstabilisatoren und -wandlern, Impulsgeräten, Verstärkern und Generatoren
KP913	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate zur Verstärkung und Erzeugung von Signalen im Frequenzbereich bis 400 MHz bei Versorgungsspannungen bis 45 V
2P914	Feldeffekttransistor mit pn-Übergang d zur Verwendung in Verstärkern, Wandlern und Hochfrequenzgeneratoren sowie in Schaltgeräten
3P915-2	Arsenidogallium-Feldeffekttransistoren mit Schottky-Barriere und n-Kanal für den Betrieb in Leistungsverstärkern, Generatoren, im Frequenzbereich bis 8 GHz
KP918	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate zur Verstärkung und Erzeugung von Signalen bis zu 1 GHz und für Hochgeschwindigkeitsschaltgeräte
KP920	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate zur Verstärkung und Erzeugung von Signalen bis 400 MHz und für schnelle Schaltanwendungen
KP921	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, die für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen entwickelt wurden
2P922 2P922-1	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate und n-Kanal, konzipiert für den Einsatz in Sekundärstromversorgungen, Hochgeschwindigkeits-Schalt- und Impulsgeräten sowie in Stabilisatoren und Spannungswandlern
KP923	Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate für den Betrieb in Verstärker- und Generatorgeräten, in linearen Verstärkergeräten bei Frequenzen bis 1 GHz
3P925-2	Galliumarsenid-Feldeffekttransistoren mit Schottky-Barriere und n-Kanal für den Betrieb in breitbandigen Leistungsverstärkern im Frequenzbereich 3.7-4.2 GHz (3P925A) und 4.3-4.8 GHz (3P925B) in einem Pfad mit einem Wellenwiderstand von 50 Ω und enthält interne Anpassungsschaltungen
2P926	Feldeffekttransistoren für Sekundärstromversorgungen, Schalt- und Impulsgeräte sowie für Tasten- und Lineargeräte
3P927	Arsenidogallium-Feldeffekttransistoren mit Schottky-Barriere mit n-Kanal für den Betrieb in Leistungsverstärkern, Selbstoszillatoren, Frequenzumsetzern im Frequenzbereich von 1-18 GHz
2P928	zwei MOS-Transistoren mit n-Kanal und gemeinsamer Source, Generator, konzipiert für den Einsatz in Leistungsverstärkern und Generatoren
3P930	Arsenidogallium-Feldeffekttransistoren mit Schottky-Barriere und n-Kanal für den Betrieb im Frequenzbereich von 5.7-6.3 GHz
KP932	Hochspannungstransistor zum Betrieb in Kaskaden von Farbdisplay-Videoverstärkern
KP933	zwei MIS-Transistoren mit n-Kanal und gemeinsamer Quelle für den Betrieb in linearen und breitbandigen Verstärkergeräten und Selbstoszillatoren mit hoher Frequenzstabilität (zur Verstärkung und Erzeugung von Signalen mit einer Frequenz von bis zu 1 GHz)
KP934	Transistoren mit statischer Induktion und n-Kanal für den Einsatz in Sekundärstromversorgungen und in Hochspannungs-Schlüsselgeräten
KP937	Schaltende Feldeffekttransistoren mit pn-Übergang und n-Kanal zur Verwendung in Sekundärstromversorgungen, Spannungswandlern, elektrischen Antriebssystemen, Impulsgeneratoren von Elektrofunkenverarbeitungskomplexen
KP938	Schaltende Hochspannungs-Feldeffekttransistoren mit pn-Übergang und n-Kanal für den Einsatz in Sekundärstromversorgungen, zur Versorgung von Gleich- und Wechselstrommotoren, in leistungsstarken Schaltern, Niederfrequenzverstärkern
2P941	zur Signalerzeugung und Leistungsverstärkung in elektronischen Schaltkreisen mit einer Betriebsfrequenz von bis zu 400-600 MHz bei einer Versorgungsspannung von 12 V
KP944	MIS-Transistor mit p-Kanal zum Betrieb in Steuerschaltungen von Computerspeichergeräten auf Magnetplatten
KP944	MIS-Transistor mit n-Kanal zum Betrieb in Steuerkreisen von Computerspeichergeräten auf Magnetplatten
KP946	Gerät mit statischer Induktion zur Verwendung in Schaltkreisen von Hochfrequenz-Stromversorgungen mit transformatorlosem Eingang, Schlüsselleistungsverstärkern
KP948	Gerät mit statischer Induktion zur Verwendung in Schaltkreisen von Hochfrequenz-Stromversorgungen mit transformatorlosem Eingang, Schlüsselleistungsverstärkern
KP953	Gerät mit statischer Induktion zur Verwendung in Schaltkreisen von Hochfrequenz-Stromversorgungen mit transformatorlosem Eingang, Schlüsselleistungsverstärkern
KP955	Gerät mit statischer Induktion zur Verwendung in Schaltkreisen von Hochfrequenz-Stromversorgungen mit transformatorlosem Eingang, Schlüsselleistungsverstärkern

Veröffentlichung: cxem.net

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