Transistoren KP313 -3P330. Vergleichsdaten
Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Referenzmaterialien
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| Typ |
S1-S2/I(U)
msym/mA(V) |
I01-I02 / U
mA/V |
Ich/U
nA/V |
C11
pF |
C12
pF |
C22
pF |
Fw/F
dB/GHz |
Uzi/Ist(U0)
V /mA(V) |
Uzs
В |
Uzi
В |
Usi
В |
IC
mA |
P
MW |
Typ |
Kahn |
zok |
KP313A
KP313B
KP313V |
4.5-10.5 / 5
4.5-10.5 / 5
4.5-10.5 / 5 |
|
10/10
10/10
10/10 |
7
7
7 |
0.9
0.9
0.9 |
|
6.5 / .25 |
+0.4-+1.5/5
-0.6-+0.6/5
-1.5-0.4 / 5 |
15
15
15 |
10
10
10 |
15
15
15 |
15
15
15 |
120
120
120 |
TIR
TIR
TIR |
N
N
N |
16
16
16 |
| KP314A |
4.0-/(10) |
2.5-20 / 10 |
0.1/10 |
6 |
2 |
|
|
|
30 |
30 |
25 |
20 |
200 |
PN |
N |
1 |
KPS315A
KPS315B |
2.8- / 5
1.0-5.0 / 5 |
1.0-20.0
1.0-20.0 |
0.25/5
1/5 |
8
8 |
|
|
|
(1.0-5.0)
(0.4-2.0) |
30
30 |
30
30 |
25
25 |
|
300
300 |
PN
PN |
N
N |
17
17 |
2PS316A1
2PS316B1
2PS316V1
2PS316G1
2PS316D1
2PS316E1
2PS316Zh1
2PS316I1 |
0.5- / 0.3
0.5- / 0.3
0.5- / 0.3
0.5- / 0.3
0.5- / 0.3
0.5- / 0.3
0.5- / 0.3
0.5- / 0.3 |
|
0.1/5
1/5
1/5
1/5
0.5/5
1/5
1/5
1/5 |
6
6
6
6
6
6
6
6 |
2
2
2
2
2
2
2
2 |
|
|
(0.3-2.0)
(0.3-2.0)
(1.3-4.0)
(2.5-6.0)
(0.3-2.2)
(0.3-2.2)
(1.3-4.0)
(2.5-6.0) |
25
25
25
25
25
25
25
25 |
25
25
25
25
25
25
25
25 |
25
25
25
25
25
25
25
25 |
|
60
60
60
60
60
60
60
60 |
PN
PN
PN
PN
PN
PN
PN
PN |
N
N
N
N
N
N
N
N |
37
37
37
37
37
37
37
37 |
3P320A-2
3P320B-2 |
5-16 / 10
5-16 / 10 |
|
20 μA
20 μA |
0.18
0.18 |
0.15
0.15 |
0.18
0.18 |
4.5/8
6/8 |
|
8
8 |
5
5 |
4
4 |
|
80
80 |
Schuss
Schuss |
N
N |
21
21 |
| 3P321A-2 |
5-25 / 8 |
|
1000 / |
|
|
|
3.5/8 |
(1.5-4.5) |
4 |
3 |
3 |
|
30 |
Schuss |
N |
22 |
| KP322A |
4-6.3/(10) |
5.0-24.0 / 10 |
10/10 |
6 |
0.2 |
|
6/0.25 |
(2.5-12.0) |
25 |
20 |
20 |
40 |
200 |
PN |
N |
18 |
KP323A-2
KP323B-2 |
4-5.8/(10)
4-5.8/(10) |
3-12.0 / 10
3-12.0 / 10 |
0.1/10
1/10 |
4
4 |
1.2
1.2 |
|
|
(-6)
(-6) |
25
25 |
25
25 |
20
20 |
12
5 |
100
100 |
PN
PN |
N
N |
19
19 |
3P324A-2
3P324B-2 |
5-10 / 10
5-10 / 10 |
|
20 uA
20 uA |
|
|
|
3.5/12
5/12 |
|
9
9 |
5
5 |
4
4 |
|
60
60 |
Schuss
Schuss |
N
N |
20
20 |
| 3P325A-2 |
8- / 10 |
30-100 / 3 |
1 uA |
|
|
|
2/8 |
(2.0-4.5) |
5 |
3.5 |
2.5 |
|
25 |
Schuss |
N |
20 |
3P326A-2
3P326B-2 |
8-16 / 8
8-16 / 8 |
25-70 / 2.5
25-70 / 2.5 |
5 uA
5 uA |
|
|
|
4.5/17
5.5/17 |
(1.0-4.5)
(1.0-4.5) |
5.5
5.5 |
4
4 |
2.5
2.5 |
|
30
30 |
Schuss
Schuss |
N
N |
23
23 |
KP327A
KP327B
KP327V
KP327G |
9.5- / 10
9.5- / 10
9.5- / 10
9.5- / 10 |
0.5-17.0 / 10
0.5-17.0 / 10
-17.0/10
-17.0/10 |
50/5
50/5
50/5
50/5 |
2.3
3.0
2.5
3.6 |
0.04
0.04
0.04
0.04 |
1.3
2.0
1.6
3.0 |
3.9/0.8
2.8/0.2
4.5/0.8
3.0/0.2 |
|
16
16
16
16 |
5
5
5
5 |
14
14
14
14 |
30
30
30
30 |
200
200
200
200 |
TIR
TIR
TIR
TIR |
N
N
N
N |
35
35
35
35 |
| 3P328A-2 |
28- / 8 |
|
1000 / |
|
|
|
3.5/8 |
(-4) |
6 |
4 |
6 |
|
50 |
Schuss |
N |
24 |
KP329A
KP329B |
3-/(10)
1-/(10) |
|
1/10
0.1/30 |
6
6 |
|
|
|
(1.5-)
(-4) |
50
40 |
45
35 |
50
40 |
|
250
250 |
PN
PN |
N
N |
36
36 |
3P330A-2
3P330B-2
3P330V-2 |
5- / 10
5- / 10
5- / 10 |
-50/2
-50/2
-50/2 |
1000 /
1000 /
1000 / |
|
|
|
6/25
4.5/25
3.5/17 |
(1.5-4.5)
(1.5-4.5)
(1.5-4.5) |
6
6
6 |
4
4
4 |
3
3
3 |
|
30
30
30 |
Schuss
Schuss
Schuss |
N
N
N |
23
23
23 |
Veröffentlichung: cxem.net
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STMicroelectronics hat seine K5-Familie von Leistungs-MOSFETs um eine neue 900-V-Version erweitert. Durch die Verwendung von 900-V-MDmesh-K5-Transistoren kann der Netzwerk-Leistungswandler zuverlässiger sein als beispielsweise 650-800-V-MOSFETs.
Die neuen Transistoren haben die niedrigsten Rds (on) unter den Analogen in TO-247- (99 mΩ) und DPAK- (810 mΩ) Gehäusen. Gleichzeitig konnte die Gate-Ladung der Transistoren reduziert werden, was einen höheren Wirkungsgrad und einen Betrieb mit höheren Schaltfrequenzen ermöglicht.
Die neuen MOSFETs haben eine deutlich reduzierte Eingangs- und Ausgangskapazität, wodurch die Geräte in ZVS-Schaltungen (Zero Voltage Switching) verwendet werden können. Ein weiteres Merkmal der Serie ist der hohe Pegel der Schwellenspannung zum Einschalten des Transistors, wodurch der Pegel der elektromagnetischen Interferenz des Systems reduziert wird. Die hohe Avalanche-Festigkeit der neuen K5-MOSFETs ist ein wichtiger Faktor bei Mikrosekunden-Transienten-Immunitätstests von Endgeräten.
MOSFET MDmesh K5 sind in einer breiten Palette von Gehäusen mit einer Kanalimpedanz von 99 mΩ bis 2.1 Ω erhältlich.
Merkmale der MDmesh K5-Transistoren:
- niedrige Rds (on)-Werte bei hoher Drain-Source-Spannung;
- die Fähigkeit, mit hohen Schaltfrequenzen zu arbeiten;
- Beständigkeit gegen Lawinendurchbruch;
- ESD-Shutter-Schutz;
- eine breite Palette von Geräten in verschiedenen Fällen.
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