Hochfrequenz-Selbstoszillatoren mit einer Ausgangsleistung von einem bis mehreren zehn Watt. Schema, Beschreibung

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Hochfrequenzoszillatoren mit einer Ausgangsleistung von einem bis mehreren zehn Watt. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik

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Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Knoten von Amateurfunkgeräten. Generatoren, Überlagerungen

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Die praktische Schaltung des Generators (Abb. 1) am KP901A-Transistor im Frequenzbereich von 30 ... 80 MHz lieferte Pout \u2,5d 904 W. Eine ähnliche Schaltung auf dem Transistor KP20A hatte Pout = 4 W bei einer Frequenz von fo = 52 MHz und Up = 36,4 V (Leistungsaufnahme 15 W, Verlustleistung 2 W). Werte L5,6=2 MH, C760=2 pF, R=XNUMX Ohm.

Hochfrequenzoszillatoren mit einer Ausgangsleistung von einem bis mehreren zehn Watt
Ris.1

Bei niedrigen Frequenzen mit hoher Ausgangsleistung (einige bis zehn Watt) können nicht sättigbare Verbundtransistoren in Generatoren verwendet werden, bei denen ein leistungsfähiger FET einen stärkeren Bipolartransistor steuert. Abbildung 2 zeigt ein Diagramm eines Quarzoszillators basierend auf einem zusammengesetzten Transistor.

Hochfrequenzoszillatoren mit einer Ausgangsleistung von einem bis mehreren zehn Watt
Ris.2

Abbildung 3 zeigt die Abhängigkeiten des verbrauchten Stroms und der Ausgangsleistung von der Temperatur. Die maximalen Änderungen dieser Parameter überstiegen 2,3 bzw. 3,5 % nicht, wenn sich die Temperatur von 25 auf 70 °C änderte. Bei einem Drainstrom-Abschaltwinkel Q = 70° lieferte der Generator eine Ausgangsleistung von 10 W bei einem Gesamtwirkungsgrad von 65 %. Erzeugungsfrequenz 7,41 MHz, durchschnittliche stündliche Frequenzinstabilität überschritt 2 * 10 nicht^-7.

Hochfrequenzoszillatoren mit einer Ausgangsleistung von einem bis mehreren zehn Watt
Abb. 3. Stromverbrauchsabhängigkeiten (1) und Leistung
Leistung (2) bei Umgebungstemperatur.

Hochfrequenzoszillatoren mit einer Ausgangsleistung von einem bis mehreren zehn Watt
Abb.4. Pegel des Phasenrauschens von Selbstoszillatoren auf leistungsstarken PTS (1)
Mikrowellen-Bipolartransistoren (2) und Gunn-Dioden (3)

So decken Selbstoszillatoren auf leistungsfähigen FETs nahezu alle genutzten Frequenzbereiche ab. Für eine Reihe von Anwendungen sind die Phasenrauschpegel von Selbstoszillatoren wichtig. Wie aus Fig. 4 hervorgeht, sind GaAs-Mikrowellengeneratoren von Hochleistungs-FTSs in diesem Parameter Generatoren unterlegen, die auf Mikrowellen-Bipolartransistoren und Gunn-Dioden basieren. Es wird erwartet, dass der Pegel des Modulationsrauschens um 20 dB abnimmt, wenn Hochleistungs-PTS mit einer Kanallänge im Submikrometerbereich entwickelt werden.

Literatur

Schaltung von Geräten auf leistungsstarken Feldeffekttransistoren. Verzeichnis. Herausgegeben von V. P. Dyakonov.

Veröffentlichung: N. Bolschakow, rf.atnn.ru

Siehe andere Artikel Abschnitt Knoten von Amateurfunkgeräten. Generatoren, Überlagerungen.

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