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GEFLÜGELTE WÖRTER, PHRASEOLOGISCHE EINHEITEN
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Geflügelte Wörter, sprachliche Einheiten. Bedeutung, Entstehungsgeschichte, Anwendungsbeispiele

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Und die Schlacht brach aus, die Schlacht von Poltawa

Pushkin A.S.
Pushkin A.S.

Phraseologismus: Und die Schlacht brach aus, die Schlacht von Poltawa.

Bedeutung: Zitiert als Merkmal eines heißen, lauten Streits, Streits.

Herkunft: Zitat aus dem Gedicht „Poltawa“ von A. S. Puschkin, Lied 3 (1829).

Zufällige Phraseologie:

Stürme den Himmel.

Bedeutung:

Erstelle und setze die kühnsten Pläne um.

Herkunft:

Aus einem Brief von Karl Marx (1818-1883) an ein Mitglied der Ersten Internationale Ludwig Kugelmann vom 12. April 1871. Marx schreibt über die Helden der Pariser Kommune, die im Gegensatz zu den feigen Bewohnern bereit seien, „den Himmel zu erobern“. “, das heißt, das Unmögliche zu tun: „Vergleichen sie mit diesen himmelstürmenden Parisern, den Leibeigenen des deutsch-preußischen Heiligen Römischen Reiches mit seinen vorsintflutlichen, nach Kaserne, Kirche, Junkertum und vor allem Spießertum riechenden Maskeraden . Wahrscheinlich basiert dieser Ausdruck auf dem berühmten antiken griechischen Mythos über Ikarus.

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Hochspannungs-MOSFETs für Hochgeschwindigkeits-Schaltgeräte 12.04.2016

Toshiba Electronics Europe (TEE), die europäische Elektroniksparte der Toshiba Corporation, hat eine neue Serie von Hochgeschwindigkeits-Hochspannungs-MOSFETs für Schaltspannungsregler vorgestellt.

Die vier 800-V- und 900-V-n-Kanal-Bausteine ​​verfügen über einen niedrigen typischen Einschaltwiderstand (RDS(ON)) von bis zu 1,9 Ohm. Zielanwendungen für die neuen Geräte sind Sperrwandler für LED-Beleuchtung, Hilfsstromversorgungen und andere Schaltungen, die Schaltströme unter 5 A erfordern.

Die neuen Anreicherungs-MOSFETs werden mit Toshibas planarem Halbleiter-Herstellungsprozess Pi-MOS-8 der achten Generation hergestellt, der ein hohes Maß an Integration mit einer optimierten Zellstruktur kombiniert. Diese Technologie reduziert die Gate-Ladung und -Kapazität, ohne die Vorteile eines niedrigen RDS(ON) zu verlieren, so das Unternehmen.

Toshiba stellt sich diese MOSFETs als Niedrigstrom-Ergänzung zur bestehenden 800-V-DTMOS-IV-Serie mit DTMOS4-Super-Junction-Technologie vor. Die Transistoren TK3A90E 2,5 A und TK5A90E 4,5 A haben eine VDSS-Bewertung von 900 V und typische RDS(ON)-Bewertungen von 3,7 bzw. 2,5 Ohm. Die Transistoren TK4A80E mit 4,0 A und TK5A80E mit 5,0 A haben eine VDSS-Bewertung von 800 V und typische RDS(ON)-Bewertungen von 2,8 bzw. 1,9 Ohm.

Die neuen MOSFETs von Toshiba verfügen über einen extrem niedrigen maximalen Leckstrom von nur 10 µA (VDS = 60 V) und einen Gate-Spannungsschwellenwertbereich von 2,5 bis 4,0 V (bei VDS = 10 V und 0,4 mA Drainstrom). Alle Geräte werden in TO-220SIS-Gehäusen mit Standardformfaktor geliefert.

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