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ENZYKLOPÄDIE DER FUNKELEKTRONIK UND ELEKTROTECHNIK
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Blitzschutzmaßnahmen. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik

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Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Blitzschutz

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Während eines Gewitters müssen alle beobachten Vorsichtsmaßnahmen. Wenn auf dem Feld ein Gewitter aufkommt, können Sie nicht rennen, sondern müssen sich auf den Boden oder in eine kleine Vertiefung am Hang setzen oder legen.

Wenn Sie sich während eines Gewitters im Wald aufhalten, sollten Sie sich nicht unter hohen Bäumen verstecken, sondern in der Mitte zwischen zwei Bäumen stehen, die 15 bis 20 m voneinander entfernt sind. Metallgegenstände (Schaufeln, Brecheisen, Sägen usw.) sollten nicht in Ihren Händen sein.

Wenn Sie während eines Gewitters mit dem Auto auf einem Feld fahren, sollten Sie anhalten, aus dem Fahrzeug aussteigen und sich in einem Abstand von 25–50 m von ihm entfernen. Während eines Gewitters sowie bei seiner Annäherung müssen Sie alle Fenster, Türen, Lüftungsschlitze und Schornsteine ​​im Raum schließen und sich in einem Abstand von mindestens 0,5 m von den Leitungen des internen Netzwerks, Glühbirnen, Schaltern und Steckdosen fernhalten.

Der Schutz gegen die Einleitung hoher Potenziale in Gebäude und Bauwerke über Freileitungen mit einer Spannung von bis zu 1000 V erfolgt wie folgt. Um Personen in Räumlichkeiten vor Blitzentladungen in Gebieten mit einstöckigen Gebäuden in der Nähe von Freileitungen zu schützen, die nicht durch hohe Gebäude, Industrierohre, hohe Bäume usw. abgeschirmt sind, ist es erforderlich, Blitzschutz-Erdungsvorrichtungen zu schaffen. Sie müssen mit den Stiften und Haken der Isolatoren des Freileitungsträgers, an dem die Erdung erfolgt, sowie mit dem Neutralleiter des Netzes verbunden werden.

Abhängig von der Intensität der Gewitteraktivität werden folgende Abstände zwischen benachbarten Blitzschutzgebieten akzeptiert: 200 m – für Gebiete mit durchschnittlicher Gewitteraktivität (von 10 bis 40 Stunden pro Jahr), 100 m – für Gebiete mit erhöhter Gewitteraktivität (mehr als 40 Stunden pro Jahr).

Der Widerstand der Blitzschutzerdung gegenüber der Ausbreitung von Industriefrequenzströmen sollte 30 Ohm nicht überschreiten.

Autor: Korshevr N.G.

Siehe andere Artikel Abschnitt Blitzschutz.

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GaN-auf-Silizium-LEDs 19.04.2013

Plessey Semiconductors produzierte seine erste Galliumnitrid-auf-Silizium-LED in seinem Werk in Plymouth.

Wie der Chefingenieur des Unternehmens, Barry Dennington, sagte: „Wir können Produktproben der Einstiegsklasse anbieten und diskutieren bereits andere Produkte.“ „Produktchargen können jetzt bestellt werden, mit einer typischen Vorlaufzeit von 6 Wochen“, sagte Dennington. „Grundsätzlich sind wir etwa 80 % billiger als Siliziumkarbid-LEDs“, fügte er hinzu und sagte, dass die Kosten sowohl für das Gehäuse als auch für den Chip etwa die Hälfte der Kosten für das fertige Gerät in diesen kleinen Gehäusen ausmachen.

Vor der Einführung von Beleuchtungs-LEDs brachte Plessey Anzeige-LEDs auf den Markt, bei denen der Preis wichtiger ist als die Effizienz. Die LEDs emittieren 2 lm bei 20 mA in einem 2 x 3,5 mm großen PLCC-2,7-Gehäuse. Die LEDs werden auf 150-mm-Siliziumwafern hergestellt. Im Gegensatz zu den kleineren und teureren Saphir- oder Siliziumkarbid-LEDs, die hauptsächlich für weiße, blaue und grüne LEDs verwendet werden, „sind sie sehr billig“, sagte Dennington, ohne ihren Verkaufspreis anzugeben.

Eine Familie von vier oder fünf dieser Low-Power-Geräte wird "in ein oder zwei Monaten" verfügbar sein, sagte Chief Technology Officer Dr. Keith Strickland. Welcher Art sind diese Geräte? Plessey gibt keine Antworten. „Plane einen für 4 Lumen“, war alles, was Strickland sagen konnte. „Wenn wir 60 lm/W erreichen, werden wir unsere ersten Beleuchtungsprodukte einführen", sagte Strickland. „Wir werden in den nächsten 100 Monaten 12 lm/W erreichen." Die erste Beleuchtungs-LED, betonte er, werde voraussichtlich eine Leistung von 1 Watt haben.

Plessey trat durch die Übernahme von CamGaN, einem Spin-off des GaN-on-Silicon Centre der University of Cambridge, in den Markt für weiße LEDs ein. Zum Zeitpunkt der Übernahme sprach Plessey über die Beleuchtung von LEDs.

Die Effizienz von Signalisierungs-LEDs mit 2 lm Lichtstrom beträgt 32 lm/W, was im Vergleich zu Beleuchtungs-LEDs niedrigerer Kategorie anderer Hersteller nicht viel ist. Das Unternehmen tut jedoch das Richtige, da dies die erste Gallium-auf-Silizium-LED-Produktion eines Unternehmens ist, und Plessey, nie ein LED-Hersteller, hat in 15 Monaten den ganzen Weg zur hochmodernen Fertigung zurückgelegt .

Im vergangenen Mai kündigten Toshiba und Bridgelux Pläne für 200-mm-GaN-auf-Silizium-Wafer-Beleuchtungs-LEDs an und kündigten Ende letzten Jahres die Produktion von 150-mm-Wafern an, obwohl noch keine Produktion zu sehen ist.

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