Technische Parameter von BMT, die in elektronischen Vorschaltgeräten verwendet werden. Schema, Beschreibung

ENZYKLOPÄDIE DER FUNKELEKTRONIK UND ELEKTROTECHNIK
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Elektronische Vorschaltgeräte auf diskreten Elementen. Technische Parameter von BMT, die in elektronischen Vorschaltgeräten verwendet werden. Grundlagen der Schaltung. Enzyklopädie der Funkelektronik und Elektrotechnik

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Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Vorschaltgeräte für Leuchtstofflampen

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Die Technologie zur Herstellung effizienter bipolarer Leistungstransistoren (BMT) wurde vor einigen Jahren von MOTOROLA entwickelt und hieß H2BIP (Bipolartransistoren mit hoher Verstärkung und hoher Frequenz).

Notiz. Der Kern dieser neuen Technologie besteht darin, dass auf derselben Halbleiterstruktur zusätzlich zum Haupt-Hochspannungs-BMT ein aktiver Untersättigungskreis dieses Transistors und eine integrierte antiparallele Diode zwischen Kollektor und Emitter entstehen.

Mit dieser Technologie hergestellte BMTs zeichnen sich durch die besten Kombinationen von statischen, dynamischen und Energieindikatoren unter Bipolartransistoren aus, während sie eine unbedeutende (nicht mehr als ±0,15 μs) Streuung in der Ausbreitungszeit t aufweisen_s. Geräte dieser Serie wie BUL45D2, BUL38D, BUL39D, MJE18004D2 und die beliebten MJE13003, MJE13005, MJE13007, MJE13009 werden erfolgreich in elektronischen Vorschaltgeräten (die derzeit vielversprechende Massenmarktprodukte sind) eingesetzt.

BMT-Typen MJE13003, MJE13005, MJE13007, MJE13009 werden von vielen Herstellern hergestellt, daher können anstelle von MJE die Bezeichnungen ST, RNE, KSE, HA, MJF usw. stehen.

In der Tabelle. In Abb. 3.11 zeigt die technischen Parameter des BMT, das am häufigsten in elektronischen Vorschaltgeräten verwendet wird.

Schaltungsmerkmale

Eine vergleichende Analyse der Modi der Ausgangstasten eines typischen elektronischen Vorschaltgeräts, das nach einer Halbbrückenschaltung aufgebaut ist und den Betrieb von zwei Leuchtstofflampen mit einer Leistung von jeweils 36–40 W bei einer Schaltfrequenz von 30–50 kHz steuert , zeigt, dass die Höhe der gesamten Leistungsverluste an den Tasten bei Verwendung des BMT-Typs BUL45D2, ebenfalls wie bei MOTOROLAs MJE13005, einen sehr geringen Wert darstellt (ca. 0,5 W pro Transistor).

Ungefähr die gleichen Indikatoren werden erhalten, wenn in diesen Einheiten inländische BMT-Typen KT8136A und KT8181A verwendet werden, die von OAO ELEKTRONPRIBOR (ZAO FZMT, Fryazino) hergestellt werden. Bei der Verwendung in solchen Vorschaltgeräten sind Strom und Spannung gleichwertig

Tabelle 3.11. Technische Parameter von BMT, die in elektronischen Vorschaltgeräten verwendet werden

Technische Parameter von BMT, die in elektronischen Vorschaltgeräten verwendet werden. Schaltungsgrundlagen

MOSFET Typ IRF830 oder „ultraschneller“ IGBT Typ IRGB410U von IR, die Verlustleistung dieser MTs ist 1,5-2 mal höher (0,8-1,0 W pro Transistor).

BMT ist auch deutlich günstiger als seine konkurrierenden Prototypen, was von grundlegender Bedeutung für die Erzielung eines geringen Endpreises elektronischer Vorschaltgeräte ist, da diese darauf abzielen, ineffiziente, aber kostengünstige elektromechanische Vorschaltgeräte (Drosseln mit Starter) zu ersetzen, die derzeit in der Lichttechnik in Lampen mit LL verwendet werden .

Autor: Koryakin-Chernyak S.L.

Siehe andere Artikel Abschnitt Vorschaltgeräte für Leuchtstofflampen.

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