Low-Power-Feldeffekttransistor KP214A9. Vergleichsdaten

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Low-Power-Feldeffekttransistor KP214A9. Vergleichsdaten

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Der Silizium-n-Kanal-Feldeffekttransistor KP214A9 mit isoliertem Gate und Kanalanreicherung sowie einer eingebauten schützenden Sperrdiode wird in Epitaxie-Planar-Technologie hergestellt. Transistoren sind für den Einsatz in Sekundärstromversorgungen mit transformatorlosem Eingang, in Reglern, Stabilisatoren und Spannungswandlern mit kontinuierlicher und gepulster Steuerung, in Steuergeräten für Elektromotoren mit geringer Leistung und in anderen elektronischen Geräten für die Volkswirtschaft und den Alltag konzipiert.

Die Transistoren sind in einem Kunststoffgehäuse KT-46A (SOT-23) mit flachen verzinnten Anschlüssen (Abb. 1) untergebracht, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Low-Power-Feldeffekttransistor KP214A9

Ausländisches Analogon des Transistors KP214A9 - 2N7002LT1.

Die Pinbelegung und das Diagramm der internen Verbindungen sind in Abb. eines.

Technische Hauptmerkmale bei Tacrav = 25+10 °С

Schwellenspannung, V, mit einem Drain-Strom von 0,25 mA und verbundenem Gate und Drain......1 ...2,5
Offener Kanalwiderstand, Ohm, nicht mehr, mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 300 μs und ihrem Arbeitszyklus von mindestens 50, Drain-Strom 0,5 A und Gate-Source-Spannung 10 V...... 7,5
Offener Kanalwiderstand, Ohm, nicht mehr, mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 300 μs und einem Arbeitszyklus von mindestens 50, Drain-Strom 0,05 A und Gate-Source-Spannung 5 V......7,5
Rest-Drain-Strom, µA, nicht mehr, bei einer Drain-Source-Spannung von 60 V und Nullspannung am Gate......1
Gate-Leckstrom, µA, nicht mehr, bei Null Drain-Source-Spannung und Gate-Source-Spannung ±20 V......±0,1
Steigung der Strom-Spannungs-Kennlinie, mA/V, nicht weniger, mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 300 μs und einem Tastverhältnis von mindestens 50, mit einer Drain-Source-Spannung von 7,5 V und einem Drain-Strom von 0,2 A ......80
Konstante Durchlassspannung der offenen Schutzdiode, V, nicht mehr, bei Null Gate-Source-Spannung des Transistors und der Strom durch die Drain- und Source-Anschlüsse beträgt 115 mA......1,5
Wärmewiderstand Kristallumgebung, °С/W, nicht mehr......625
Ein-/Ausschaltzeit*, nein, nicht mehr, bei einer Drain-Source-Spannung von 25 V, einem Drain-Strom von 0,5 A und einem Ausgangswiderstand der Signalquelle von 25 Ohm......30/40
Transistorkapazität*, pF, nicht mehr, bei Gate-Source-Spannung Null, Drain-Source-Spannung 25 V und Frequenz 1 MHz
Eingang ...... 50
Wochenende ...... 25
Durchgang......5

* Referenzparameter.

Grenzwerte

Die höchste Drain-Source-Spannung, V ...... 60
Maximale Gate-Source-Spannung, V ...... ± 20
Die höchste Gate-Source-Impulsspannung, V, mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 1 s und einem Tastverhältnis von mindestens 300 .....±40
Maximaler konstanter Drain-Strom*, mA, bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V und einer Umgebungstemperatur von nicht mehr als 25 °C......115
Maximaler gepulster Drainstrom**, mA, mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 300 μs......800
Maximale konstante Verlustleistung***, W, bei einer Umgebungstemperatur von nicht mehr als 25 °C......0,2
Der höchste Vorwärtsstrom der Schutzdiode, mA......115
Maximaler Impulsstrom der Schutzdiode**, mA, bei einer Impulsdauer von maximal 300 μs .....800
Die höchste Temperatur des Kristalls, ° С ...... 150
Betriebsbereich Umgebungstemperatur, °С -55...+125

* Wenn die Umgebungstemperatur auf 125 ansteigt

Der Drainstrom muss (sofern die maximale Verlustleistung nicht überschritten wird) gemäß dem Diagramm in Abb. bis auf Null reduziert werden. 2.

** Vorausgesetzt, dass der maximale Verlustleistungswert nicht überschritten wird. *** Im Umgebungstemperaturbereich von 25 bis 125 °C wird die maximale Verlustleistung Pmax nach der Formel berechnet

wobei RTkp-cp der thermische Widerstand der Kristallumgebung ist.

Der zulässige Wert des statischen Potentials beträgt 30 V gemäß OST 11073.062. Der Modus und die Bedingungen für den Einbau von Transistoren in Geräte entsprechen OST 11336.907.0. Beim Löten von Leitungen mit einem Lötkolben ist es notwendig, die Wärme mit einer speziellen Pinzette mit massiven Kupferbacken abzuführen. Die Pinzette wird am Terminal in der Nähe des Gehäuses montiert. Der Lötkolben muss geerdet sein.

Low-Power-Feldeffekttransistor KP214A9

Die wichtigsten typischen grafischen Abhängigkeiten der Parameter des KP214A9-Transistors sind in Abb. dargestellt. 3-7. In Abb. Die Abbildungen 3a und b zeigen die Abhängigkeit des Drain-Stroms lc von der Drain-Source-Spannung Usi bei der Kristalltemperatur Tcr = 25 ± 10 °C und 150 °C. Die Abhängigkeiten des Drainstroms von der Gate-Source-Spannung Uzi sind in Abb. dargestellt. 4, und die normalisierte Temperaturabhängigkeit des offenen Kanalwiderstands RK norm ist in Abb. 5.

Low-Power-Feldeffekttransistor KP214A9
Reis. 6 veranschaulicht die Art der Änderung der Transistorkapazität, wenn sich die Drain-Source-Spannung ändert, und Abb. 7 - Strom-Spannungs-Kennlinie einer offenen Schutzdiode. Die Abhängigkeit des maximal zulässigen konstanten Drainstroms lc max von der Kristalltemperatur ist in Abb. dargestellt. 2.

Autor: V. Kiselev, Minsk, Weißrussland

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