Transistoren der Serie KT8156. Vergleichsdaten

Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Referenzmaterialien

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Die leistungsstarken Silizium-Verbund-NPN-Transistoren KT8156A und KT8156B mit integrierter Dämpfung und Basis-Emitter-Beschleunigungsdioden werden in Epitaxie-Planar-Technologie hergestellt. Die Geräte sind für den Betrieb in horizontalen Scan-Ausgangsstufen kleiner Kathodenstrahlröhren und anderer Komponenten und Blöcke weit verbreiteter Geräte konzipiert.

Die Transistoren sind in einem Standard-Kunststoffgehäuse KT-28 (TO-220) mit starren, verzinnten Anschlüssen untergebracht (Abb. 1). Das Gewicht des Geräts beträgt nicht mehr als 2,5 g.

Ausländisches Analogon des Transistors KT8156A - BU807.

Das schematische Diagramm des Geräts ist in Abb. 2.

wichtigste Eigenschaften

• Kollektor-Emitter-Grenzspannung, V, nicht weniger (mit einem Kollektorstrom von 100 mA, einem Basisstrom von Null, einer Impulsdauer von nicht mehr als 500 μs und einem Arbeitszyklus von nicht weniger als 100), für KT8156A...... 150
• KT8156B......200
• Rückwärtskollektorstrom, mA, nicht mehr (bei einer Kollektor-Basis-Spannung von 330 V und einem Emitterstrom von Null), für KT8156A......0.1
• KT8156B......1
• Kollektor-Emitter-Umkehrstrom, mA, nicht mehr (bei einer Kollektor-Emitter-Spannung von 330 V und einer Emitter-Basis-Spannung von Null), für KT8156A......0,1
• KT8156B......1
• Rückwärts-Emitterstrom, mA, nicht mehr (bei einer Emitter-Basis-Spannung von 6 V und einem Kollektorstrom von Null).......3
• Statischer Stromübertragungskoeffizient, nicht kleiner (bei einer Kollektor-Emitter-Spannung von 1,5 V und einem Kollektorstrom von 5 A).......100
• Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, V, nicht mehr (bei einem Kollektorstrom von 5 A und einem Basisstrom von 50 mA).......1.5
• Basis-Emitter-Sättigungsspannung, V, nicht mehr (bei einem Kollektorstrom von 5 A und einem Basisstrom von 50 mA).......2,4
• Wärmewiderstand Übergangsgehäuse, °С/W, max......2,08
• Durchlassspannungsdämpfungsdiode. B, nicht mehr ...... 2
• Betriebstemperaturbereich, °С......-60...+100

Grenzwerte

• Die höchste Kollektor-Basis-Spannung, V ...... 330
• Die höchste Kollektor-Emitter-Spannung für KT8156A......150
• KT8156B......200
• Die höchste Emitter-Basis-Spannung, V ...... 6
• Höchster konstanter Kollektorstrom. A......8
• Der höchste Impulskollektorstrom. A (mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 10 ms und einem Arbeitszyklus von mindestens 100).......15
• Die höchste konstante Verlustleistung des Kollektors. W (bei Installation auf einem Kühlkörper und einer Gehäusetemperatur zwischen -60...+25°C)......60
• Die höchste konstante Verlustleistung des Kollektors. W (ohne Kühlkörper bei Umgebungstemperatur zwischen -60...+25°C).......1,5
• Die höchste Übergangstemperatur, ° С ...... 150

Es ist nicht erlaubt, Transistoren an den Extremwerten zweier Parameter zu betreiben.

Ein einmaliges Biegen der Geräteleitungen ist nicht näher als 5 mm vom Körper entfernt zulässig (ein Biegen in der Leitungsebene wird nicht empfohlen). In diesem Fall müssen Maßnahmen ergriffen werden, um die Kraftübertragung auf den Körper zu verhindern. Der Biegeradius beträgt mindestens 1,5 mm. Der Abstand vom Gehäuse zur Verzinnungs- und Lötstelle der Leitungen sollte nicht weniger als 5 mm betragen.

Um die Wärmeübertragung vom Transistor zum Kühlkörper zu verbessern, wird empfohlen, vor der Installation des Geräts dessen Metallflansch mit einer Schicht wärmeleitendem Schmiermittel (z. B. KTP-8 gemäß GOST 19783) zu bestreichen. In Abb. Abbildung 3 zeigt die Abhängigkeit des statischen Übertragungskoeffizienten des Basisstroms des Transistors von seinem Kollektorstrom, in Abb. 4 - Abhängigkeit der konstanten Verlustleistung des Kollektors von der Gehäusetemperatur und in Abb. 5 - typische Abhängigkeit der direkten Durchlassspannung an der Dämpfungsdiode (VD2 in Abb. 2) vom Durchlassstrom durch sie.

(zum Vergrößern klicken)

Eine typische Abhängigkeit der Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung vom Basis-Gleichstrom ist in Abb. dargestellt. 6 und vom Kollektorstrom - in Abb. 7. Eine typische Abhängigkeit der Basis-Emitter-Sättigungsspannung vom DC-Kollektorstrom ist in Abb. dargestellt. 8.

Autor: V. Kiselev, Minsk, Weißrussland

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