Feldeffekttransistoren der Serie KP723. Vergleichsdaten

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Feldeffekttransistoren der Serie KP723. Vergleichsdaten

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Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Referenzmaterialien

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Die leistungsstarken Silizium-Feldeffekt-n-Kanal-Transistoren KP723A-KP723G mit isoliertem Gate, Kanalanreicherung und integrierter Schutzsperrdiode werden in planarer Epitaxietechnologie hergestellt. Sie sind für den Einsatz in Sekundärstromversorgungen, Leistungsreglern, Stabilisatoren und Spannungswandlern mit kontinuierlicher und Impulssteuerung, in unterbrechungsfreien Stromversorgungen für Personalcomputer, in Antriebsgeräten für Elektromotoren und anderen Einheiten und Geräteblöcken für eine breite Anwendung konzipiert.

Die Geräte sind in einem Kunststoffgehäuse KT-28 (gemäß ausländischer Klassifizierung - TO-220) mit hartgeprägten verzinnten Leitungen untergebracht; Gewicht des Geräts - nicht mehr als 2,5 g.

Ausländische Funktionsanaloge der Transistoren KP723A - IRFZ44, KP723B - IRFZ45, KP723V - IRFZ40, KP723G - IRLZ44.

Die Transistoren der Serien KP723 und KP727 ähneln sich im Gehäusedesign, der elektrischen Schaltung der internen Verbindungen und der Pinbelegung.

Technische Hauptmerkmale bei Tamb.av = 25 °C

Schwellenspannung, V, bei einem Drain-Strom von 0,25 mA und angeschlossenem Gate und Drain für KP723A – KP723V ...... 2...4
KP723G......1...2
Drainstrom, A, nicht weniger, mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 300 μs und einem Tastverhältnis von mindestens 50 für KP723A und KP723V bei einer Drain-Source-Spannung von 1,75 V und einer Gate-Source-Spannung von 10 V, z KP723B bei einer Drain-Source-Spannung von 2,25 V und Gate-Source 10 V, für KP723G bei einer Drain-Source-Spannung von 1,75 V und Gate-Source 5 V ...... 50
Kanalwiderstand eines offenen Transistors, Ohm, nicht mehr, mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 300 μs, einem Tastverhältnis von mindestens 50 und einem Drainstrom von 31 A für KP723A, KP723V (bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V)...... 0,028
KP723B(10V)......0,035
KP723G (5 V) ...... 0,028
Rest-Drain-Strom, μA, nicht mehr, bei der maximal zulässigen Drain-Source-Spannung und einer Gate-Source-Spannung von Null ...... 250
Gate-Leckstrom, nA, nicht mehr, mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 300 μs, einem Arbeitszyklus von mindestens 50 und einer Drain-Source-Spannung von Null für KP723A – KP723V bei einer Gate-Source-Spannung von ±20 V, für KP723G bei einer Gate-Source-Spannung von ±10 V ......100
Die Steigung der Kennlinie, A/V, nicht weniger, mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 300 μs, einem Arbeitszyklus von mindestens 50, einer Drain-Source-Spannung von 25 V, einem Drain-Strom von 31 A für KP723A- KP723V ...... 15
KP723G......23
Wärmewiderstand, °C/W, nicht mehr, Übergang – Fall......1
Übergang - Umwelt ...... 62
Einschaltzeit, nein, nicht mehr, bei einer Drain-Source-Spannung von 30 V, einem Drain-Strom von 51 A für KP723A-KP723V (bei einem Ausgangswiderstand der Signalquelle von 9,1 Ohm und einer Gate-Source-Spannung von 10 V)...... 130
KP723G (4,6 Ohm, 5 V).......247
Ausschaltzeit, nein, nicht mehr, bei einer Drain-Source-Spannung von 30 V, einem Drain-Strom von 51 A für KP723A-KP723V (bei einer Ausgangsimpedanz der Signalquelle von 9,1 Ohm und einer Gate-Source-Spannung von 10 V)...... 150
KP723G (4,6 Ohm, 5 V).......152
Eingangskapazität*, pF, nicht mehr, bei Gate-Source-Spannung Null, Drain-Source-Spannung 25 V und Frequenz 1 MHz für KP723A-KP723V......2500
KP723G......4300
Ausgangskapazität*, pF, nicht mehr, bei Gate-Source-Spannung Null, Drain-Source-Spannung 25 V und Frequenz 1 MHz für KP723A-KP723V......1200
KP723G......1600
Kapazität*, pF, nicht mehr, bei Gate-Source-Spannung Null, Drain-Source-Spannung 25 V und Frequenz 1 MHz ...... 290
Durchlassspannung der Schutzdiode, V, nicht mehr, mit einer Impulsdauer von nicht mehr als 300 μs, einem Arbeitszyklus von mindestens 50, Gate-Source-Spannung Null und Drain-Strom ** 51 A......2,5

Grenzwerte

Maximale Drain-Source-Spannung, V, für KP723A, KP723B, KP723G ..... 60
KP723V......50
Maximale Gate-Source-Spannung, V, für KP723A-KP723V......±20
KP723G......±10
Der höchste direkte Drain-Strom, A, bei einer Gehäusetemperatur von 25 ° C ...... 50
Der höchste gepulste Drainstrom, A, bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C ...... 200
Die höchste kontinuierliche Verlustleistung, W, mit Kühlkörper, bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C......150
Die höchste Übergangstemperatur, ° С ...... 175
Betriebsbereich Umgebungstemperatur, °С -60...+125

Zulässiger Wert des statischen Potentials - 200 V (III. Steifigkeitsgrad gemäß OSP 1073.062).

Die Betriebsart und die Bedingungen für den Einbau von Transistoren in Geräte müssen OSP 1336.907.0 entsprechen. Der Betrieb mit zwei oder mehr maximal zulässigen Parameterwerten ist nicht zulässig. Um die Zuverlässigkeit und Haltbarkeit zu verbessern, wird empfohlen, Transistoren in Modi zu verwenden, in denen die Parameterwerte 70 % der Grenzwerte nicht überschreiten.

Während der Installation ist das einmalige Biegen von Leitungen mit einem Krümmungsradius von mindestens 1,5 mm in einem Abstand von nicht weniger als 5 mm vom Körper und nur in einer Ebene senkrecht zur Ebene der Leitungen und entlang der Biegung zulässig führen. Das Verdrehen der Leitungen ist nicht gestattet.

Der Abstand vom Gehäuse zur Verzinnungs- und Lötstelle sollte nicht weniger als 5 mm betragen. Löttemperatur - nicht mehr als 265°C. Die Verzinnungszeit sollte 2 s und die Lötzeit 4 s nicht überschreiten.

Um die Wärmeübertragung vom Transistorflansch zum Kühlkörper zu verbessern, wird empfohlen, wärmeleitende Schmierstoffe und Pasten zu verwenden, beispielsweise KPT-8 gemäß GOST 19783. Wenn es erforderlich ist, eine Isolierdichtung unter dem Transistor anzubringen, ist dies der Fall Der Wärmewiderstand muss berücksichtigt werden.

Auf Abb. In Abb. 1-8 zeigt typische grafische Abhängigkeiten der Parameter von Transistoren der KP723-Serie. Die Familien der Ausgangseigenschaften von Geräten bei zwei Werten der Gehäusetemperatur sind in Abb. 1 dargestellt. 2 und 3 und in Abb. 4 und XNUMX – ihre Übertragungseigenschaften.

Feldeffekttransistoren der Serie KP723

Die normalisierten Abhängigkeiten des Widerstands des offenen Kanals von der Sperrschichttemperatur sind in den Abbildungen dargestellt. 5 und in Abb. 6 - Abhängigkeiten der Eingangs-, Ausgangs- und Durchgangskapazität von der Drain-Source-Spannung. Reis. 7, a und b veranschaulichen die Änderung des Stroms durch den Drain-Ausgang des Transistors gegenüber der an die Kanalausgänge angelegten Polarität, wodurch die Schutzdiode des Geräts geöffnet wird.

Auf Abb. 8 zeigt die Temperaturabhängigkeiten des begrenzenden Drainstroms.

Autor: V. Kiselev, Minsk, Weißrussland

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