Transistorbaugruppen der Serie KT222. Vergleichsdaten

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Transistorbaugruppen der Serie KT222. Vergleichsdaten

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Lexikon der Funkelektronik und Elektrotechnik / Referenzmaterialien

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Passende Paare von Silizium-npn-Transistoren KT222AS-KT222BC sind für den Einsatz in elektronischen Geräten für breite Anwendungen, insbesondere für den Aufbau von Differenzverstärkern, vorgesehen. Die Baugruppe ist in einem rechteckigen Kunststoffgehäuse 2101.8-1 (DIP-8) untergebracht, die Anschlüsse sind hartverzinnt (siehe Abbildung). Gewicht - nicht mehr als 1 g. Das nächstgelegene ausländische Analogon ist DI4044 von DIONICS Inc.

Transistorbaugruppen der Serie KT222

Pinbelegung der Baugruppe: Pins 1, 2 und 3 – Kollektor, Basis bzw. Emitter des ersten Transistors; Pins 5, 6 und 7 - Emitter, Basis, Kollektor des zweiten Transistors; Pin 4 und 8 sind frei.

Technologisch wird die Baugruppe auf einem einzigen Chip mit dielektrischer Isolierung der Elemente hergestellt, was nahe Werte der Hauptparameter (statischer Stromübertragungskoeffizient, Basis-Emitter-Spannungsabfall) bei einem Kollektorstrom von 10 μA bis 1 mA gewährleistet über den gesamten Betriebstemperaturbereich. Gleichzeitig weisen die Transistoren der Baugruppe eine geringe gegenseitige Kapazität auf.

Wichtigste elektrische Spezifikationen*

Unterschied in den Basis-Emitter-Spannungswerten von Transistoren, V, nicht mehr, mit einem Kollektorstrom von 10 μA und einer Kollektor-Emitter-Spannung von 5 V.....3
Das Verhältnis der Werte des statischen Stromübertragungskoeffizienten der Basis von Transistoren bei einem Kollektorstrom von 10 μA und einer Kollektor-Emitter-Spannung von 5 V für KT222AS.......0,8...1,25
KT222BS.....0,9...1,11
KT222VS.....0,95...1,05
Rückstrom des Kollektorübergangs, nA, nicht mehr, bei einer Sperrschichtspannung von 45 V und einer Umgebungstemperatur von 25 °C.....1
70 °C.....50
Sperrstrom des Emitterübergangs, nA, nicht mehr, bei einer Spannung am Übergang von 5 V.....1
Statischer Basisstromübertragungskoeffizient, nicht kleiner, bei einer Kollektor-Emitter-Spannung von 5 V und einem Kollektorstrom von 10 μA.....200
1 mA.....225
Kapazität zwischen den Kollektoren der Transistoren, pF, nicht mehr, mit einem Unterschied in den Spannungswerten am Kollektor der Transistoren 5V.....0,8
Grenzfrequenz, MHz, nicht weniger, bei einem Kollektorstrom von 1 mA und einer Kollektor-Emitter-Spannung von 10 V.....200

*Bei 25 °C Umgebungstemperatur, sofern nicht anders angegeben.

Betriebsgrenzen

Die höchste Sperrspannung des Kollektorübergangs bei einem Kollektorstrom von 10 μA.....60
Die höchste Kollektor-Emitter-Sperrspannung, V, bei einem Kollektorstrom von 1 mA ..... 60
Die höchste Sperrspannung des Emitterübergangs, V, bei einem Emitterstrom von 10 μA ..... 7
Der höchste DC-Kollektorstrom, mA ..... 1,5
Der größte Unterschied in den Spannungswerten am Kollektor von Transistoren, V ..... 100
Arbeitsbereich der Umgebungstemperatur, °С.....-10...+70

Autor: S. Konovalov, Brjansk

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